根據應用恰當選擇MOSFET的技巧

低輸出電容也有利于傳統的降壓轉換器(有時(shí)又稱(chēng)為硬開(kāi)關(guān)轉換器)，不過(guò)原因不同。因為每個(gè)硬開(kāi)關(guān)周期存儲在輸出電容中的能量會(huì )丟失，反之在諧振轉換器中能量反復循環(huán)。因此，低輸出電容對于同步降壓調節器的低邊開(kāi)關(guān)尤其重要。

馬達控制應用的MOSFET

馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應用領(lǐng)域，這時(shí)最重要的選擇基準可能又與其它大不相同。不同于現代開(kāi)關(guān)電源，馬達控制電路不在高頻下開(kāi)關(guān)。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區時(shí)間)相等。對于這類(lèi)應用，反向恢復時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時(shí)，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開(kāi)關(guān)經(jīng)由MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續為馬達供電。當第一個(gè)MOSFET再次導通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除，通過(guò)第一個(gè)MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。

所以，若設計團隊需要在電源電路采用MOSFET，在評估過(guò)程開(kāi)始之前，需對手中的應用進(jìn)行仔細全面的考慮。應根據自己的需求而非制造商吹噓的特定規格來(lái)對各項參數進(jìn)行優(yōu)先級劃分。

補充：利用IC和封裝設計獲得最小的 RDS(ON) 規格

在MOSFET的選擇過(guò)程中，評估參數的設計人員一般通過(guò)仔細分析相關(guān)規格來(lái)了解自己到底需要什么。但有時(shí)深入了解IC制造商如何提供工作特性是很有必要的。以RDS(ON)為例，你也許通常期望該規格只與器件的設計及半導體制造工藝有關(guān)。但實(shí)際上，封裝設計對導通阻抗RDS(ON) 的最小化有著(zhù)巨大的影響。

封裝對RDS(ON)的作用巨大是因為該參數主要取決于傳導損耗，而封裝無(wú)疑可以影響傳導損耗?？紤]本文正文提及的飛兆半導體FDMS7650 和1mΩ導通阻抗。該器件能獲得較低RDS(ON) 值，大約一半原因可歸結于封裝設計。其封裝采用一種堅固的銅夾技術(shù)取代常用的鋁或金鍵合引線(xiàn)來(lái)連接源極和引線(xiàn)框架。這種方案把封裝阻抗降至最小，并降低了源極電感，源極電感是開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生振鈴的主要原因。