如何降低晶體管和變壓器的損耗,提高開(kāi)關(guān)電源效率?
今天給大家分享的是:開(kāi)關(guān)電源損耗與效率、開(kāi)關(guān)晶體管損耗、開(kāi)關(guān)變壓器損耗。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202408/462105.htm一、開(kāi)關(guān)電源的損耗
開(kāi)關(guān)電源的損耗主要來(lái)自三個(gè)元件:開(kāi)關(guān)晶體管、變壓器和整流二極管。
1、開(kāi)關(guān)晶體管損耗
主要分為開(kāi)通/關(guān)斷損耗兩個(gè)方面。開(kāi)關(guān)晶體管的損耗主要與開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)次數有關(guān),還與工作頻率和負載特性有關(guān)。如果開(kāi)關(guān)時(shí)間增加一倍,開(kāi)關(guān)管的損耗將增加約2~3倍,而開(kāi)關(guān)管的損耗與開(kāi)關(guān)電源的工作頻率成正比。
2、開(kāi)關(guān)變壓器的損耗
主要包括磁滯損耗、渦流損耗和銅損。開(kāi)關(guān)變壓器的渦流損耗和變壓器線(xiàn)圈的銅損與工作頻率的平方成正比,而磁滯損耗除與工作頻率外還與磁通密度的1.6次方成正比。
3、整流二極管的損耗
主要由兩部分組成:正向導通損耗和反向恢復損耗。整流二極管的正向損耗與整流二極管的正向壓降有關(guān),而反向恢復損耗與二極管的反向恢復時(shí)間有關(guān)。
以上三種損耗占開(kāi)關(guān)電源總損耗的20%以上。如何降低開(kāi)關(guān)晶體管和變壓器的損耗,提高效率,是每個(gè)工程師在設計的時(shí)候都會(huì )考慮到的問(wèn)題。
二、開(kāi)關(guān)晶體管損耗
開(kāi)關(guān)晶體管的損耗主要包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗。
開(kāi)關(guān)晶體管電路
1、開(kāi)關(guān)晶體管的等效電路
開(kāi)關(guān)晶體管的等效電路
三極管(或MOSFET)的輸入可以等效為一個(gè)電容并聯(lián)一個(gè)電阻,其輸入電壓為:
輸入電壓公式
三極管(或MOSFET)導通時(shí),輸出端可以等效為一個(gè)電感并聯(lián)一個(gè)電阻;三極管截止時(shí),可以等效為一個(gè)電容與一個(gè)電阻并聯(lián);其輸出電壓為:
輸出電壓公式
集電極電流為:
集電極電流公式
2、開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程——純阻性負載
純阻性開(kāi)關(guān)電路
三極管開(kāi)關(guān)特性參數:
(1) 延遲時(shí)間 t d
當輸入信號 Vin 變?yōu)檎龝r(shí),集電極電流Ic上升到其最大值 Icm 的 10%所需的時(shí)間。
(2) 上升時(shí)間 t r
集電極電流Ic從其最大值 Icm 的 10% 上升到 90%所花費的時(shí)間。
(3) 存放時(shí)間 t s
當輸入信號 V in變?yōu)樨摃r(shí),峰值集電極電流 I cm降至其值的 90%所需的時(shí)間。
(4) 下降時(shí)間 t f
集電極電流Ic從其最大值 Icm 的 90% 下降到 10%所花費的時(shí)間。
純阻性負載的開(kāi)關(guān)損耗
3、 開(kāi)關(guān)晶體管導通/關(guān)斷過(guò)程-反激式輸出電源
反激式開(kāi)關(guān)電源
采用反激式開(kāi)關(guān)電源,流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流是鋸齒波。起初開(kāi)關(guān)管導通,流過(guò)變壓器初級線(xiàn)圈的電流很小,但在變壓器關(guān)斷前電流變得很大。因此晶體管在導通時(shí)間(t d和t r)的損耗很小,而在關(guān)斷時(shí)間(t s和t f)的損耗很大,相差幾十倍。
反激式開(kāi)關(guān)模式電源的開(kāi)關(guān)損耗
4、開(kāi)關(guān)晶體管導通/關(guān)斷過(guò)程-正向輸出電源
正向開(kāi)關(guān)電源
對于正向開(kāi)關(guān)電源,流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流是梯形波形。起初開(kāi)關(guān)管導通,流過(guò)變壓器初級線(xiàn)圈的電流比較大。它在晶體管關(guān)閉之前變大。因此,開(kāi)關(guān)管在導通初期(t d和t r)和關(guān)斷期間(t s和t f)的損耗均大于反激式開(kāi)關(guān)電源。
降低開(kāi)關(guān)損耗的一種方法是盡可能縮短晶體管的導通/關(guān)斷時(shí)間,尤其是關(guān)斷時(shí)間,另一種方法是降低工作頻率。
正激式開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)損耗
5、開(kāi)關(guān)時(shí)間對開(kāi)關(guān)損耗的影響
增加開(kāi)啟/關(guān)閉時(shí)間會(huì )同時(shí)增加開(kāi)關(guān)損耗
純阻性負載的開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)管的四次開(kāi)關(guān)次數成正比。因此增加晶體管的導通/關(guān)斷時(shí)間會(huì )同時(shí)降低開(kāi)關(guān)電路的電壓和電流上升率。也有利于降低開(kāi)關(guān)電源的輻射干擾,但會(huì )增加晶體管的開(kāi)關(guān)損耗。
在感性負載中,正激式和反激式開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)損耗不同。
開(kāi)關(guān)電路各點(diǎn)的波形和損耗
三、開(kāi)關(guān)電源變壓器損耗
1、單極開(kāi)關(guān)電源變壓器磁芯的磁滯回線(xiàn)
單極開(kāi)關(guān)電源變壓器磁芯的磁滯回線(xiàn)
上圖為單極開(kāi)關(guān)電源正常工作時(shí)變壓器鐵心的磁化曲線(xiàn)(磁滯回線(xiàn))。當勵磁電流對鐵芯進(jìn)行磁化時(shí),磁通密度沿磁化曲線(xiàn)abc變化。在這種情況下,磁通密度隨著(zhù)磁場(chǎng)強度的增加而增加。退磁時(shí),磁通密度和磁場(chǎng)強度沿磁化曲線(xiàn)cda變化。在這種情況下,磁通密度隨著(zhù)磁場(chǎng)強度而降低。
一方面,當脈沖寬度一定時(shí),勵磁電流和退磁電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)強度大小相等方向相反,因此磁滯環(huán)的兩端(a和c)為基本穩定。另一方面,磁滯回線(xiàn)的兩端會(huì )隨著(zhù)脈沖寬度的變化而變化。
2、變壓器鐵芯的選擇
各種變壓器鐵芯的工作頻率范圍
關(guān)于變壓器鐵芯的選擇,我們主要考慮體積、工作效率、可靠性、成本等方面,其中必然涉及到變壓器鐵芯的諸多參數,如:最大磁通密度Bm(或磁飽和磁通密度B s )、最大磁導率μ m、有效磁導率μ e、矯頑力H m和渦流損耗等。這些參數基本上與工作頻率有關(guān),尤其是渦流損耗P e和磁滯損失 P h。
原文鏈接:
http://www.kynixsemiconductor.com/News/44.html
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