理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導參數

Coss越大或在DS極額外的并聯(lián)更大的電容，關(guān)斷時(shí)MOSFET越接近理想的ZVS，關(guān)斷功率損耗越小，那么更多能量通過(guò)Coss轉移到開(kāi)通損耗中。為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側續流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導通，然后續流的同步MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期是0電壓的開(kāi)關(guān)ZVS，開(kāi)關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。

注意到圖1是基于連續電流模式下所得到的波形，對于非連續模式，由于開(kāi)通前的電流為0，所以，除了Coss放電產(chǎn)生的功耗外，沒(méi)有開(kāi)關(guān)的損耗，即非連續模式下開(kāi)通損耗為0。但在實(shí)際的檢測中，非連續模式下仍然可以看到VGS有米勒平臺，這主要是由于Coss的放電電流產(chǎn)生的。Coss放電快，持續的時(shí)間短，這樣電流迅速降低，由于VGS和ID的受轉移特性的約束，所以當電流突然降低時(shí)，VGS也會(huì )降低，VGS波形前沿的米勒平臺處產(chǎn)生一個(gè)下降的凹坑，并伴隨著(zhù)振蕩。