開(kāi)關(guān)電源設計中MOSFET驅動(dòng)技術(shù)詳解

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?jiàn)R3越大，MOS的導通速度越慢。

可以看到，驅動(dòng)電阻增加可以降低MOS開(kāi)關(guān)的時(shí)候得電壓電流的變化率。比較慢的開(kāi)關(guān)速度，對EMI有好處。下圖是對兩個(gè)不同驅動(dòng)情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?jiàn)，驅動(dòng)電阻大的時(shí)候，高頻諧波明顯變小

但是驅動(dòng)速度慢，又有什么壞處呢？那就是開(kāi)關(guān)損耗大了，下圖是不同驅動(dòng)電阻下，導通損耗的功率曲線(xiàn)。

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?jiàn)，驅動(dòng)電阻大的時(shí)候，損耗明顯大了。

結論：驅動(dòng)電阻到底選多大？還真難講，小了EMI不好；大了效率不好。所以只能一個(gè)折中的選擇了。

那如果，開(kāi)通和關(guān)斷的速度要分別調節，怎么辦？就用以下電路。