電子元器件科普小知識：功率MOSFET的基礎知識

MOSFET利用不同類(lèi)型的柵極結構開(kāi)發(fā)了MOS電容的特性。通過(guò)改變施加在MOS結構的頂端電極的偏置的數值和極性，你可以全程驅動(dòng)它下面的芯片直到反轉。圖2顯示了一個(gè)N溝道MOSFET的簡(jiǎn)化結構，人們稱(chēng)之為垂直、雙擴散結構，它以高度濃縮的n型襯底開(kāi)始，以最小化溝道部分的體電阻。

在它上面要生長(cháng)了一層n-epi，并制成了兩個(gè)連續的擴散區，p區中合適的偏置將產(chǎn)生溝道，而在它里面擴散出的n+區定義了源極。下一步，在形成磷摻雜多晶硅之后，要生長(cháng)薄的高品質(zhì)柵極氧化層，從而形成柵極。要在定義源極和柵電極的頂層上開(kāi)接觸窗口，與此同時(shí)，整個(gè)晶圓的底層使漏極接觸。由于在柵極上沒(méi)有偏置，n+源和n漏被p區分隔，并且沒(méi)有電流流過(guò)(三極管被關(guān)閉)。

如果向柵極施加正偏置，在p區中的少數載流子(電子)就被吸引到柵極板下面的表面。隨著(zhù)偏置電壓的增加，越來(lái)越多的電子被禁閉在這塊小空間之中，本地的“少子”集中比空穴(p)集中還要多，從而出現“反轉”(意味著(zhù)柵極下面的材料立即從p型變成n型)?，F在，在把源極連接到漏極的柵結構的下面的p型材料中形成了n“溝道”;電流可以流過(guò)。就像在JFET(盡管物理現象不同)中的情形一樣，柵極(依靠其電壓偏置)控制源極和漏極之間的電流。

MOSFET制造商很多，幾乎每一家制造商都有其工藝優(yōu)化和商標。IR是HEXFET先鋒，摩托羅拉構建了TMOS，Ixys制成了 HiPerFET和MegaMOS，西門(mén)子擁有SIPMOS家族的功率三極管，而Advanced Power Technology擁有Power MOS IV技術(shù)，不一而足。不論工藝被稱(chēng)為VMOS、TMOS或DMOS，它都具有水平的柵結構且電流垂直流過(guò)柵極。

功率MOSFET的特別之處在于：包含像圖2中并行連接所描述的那樣的多個(gè)“單元”的結構。具有相同RDS(on)電阻的MOSFET并聯(lián)，其等效電阻為一個(gè)MOSFET單元的RDS(on)的1/n。裸片面積越大，其導通電阻就越低，但是，與此同時(shí)，生電容就越大，因此，其開(kāi)關(guān)性能就越差。

如果一切都是如此嚴格成正比且可以預測的話(huà)，有什么改進(jìn)的辦法嗎?是的，其思路就是最小化(調低)基本單元的面積，這樣在相同的占位空間中可以集成更多的單元，從而使RDS(on)下降，并維持電容不變。為了成功地改良每一代MOSFET產(chǎn)品，有必要持續地進(jìn)行技術(shù)改良并改進(jìn)晶體圓制造工藝(更出色的線(xiàn)蝕刻、更好的受控灌注等等)。但是，持續不斷地努力開(kāi)發(fā)更好的工藝技術(shù)不是改良MOSFET的唯一途徑;概念設計的變革可能會(huì )極大地提高性能。這樣的突破就是飛利浦去年11 月宣布：開(kāi)發(fā)成功TrenchMOS工藝。其柵結構不是與裸片表面平行，現在是構建在溝道之中，垂直于表面，因此，占用的空間較少并且使電流的流動(dòng)真正是垂直的(見(jiàn)圖3)。在RDS(on)相同的情況下，飛利浦的三極管把面積減少了50%;或者，在相同的電流處理能力下，把面積減少了35%。

本文小結

我們把MOSFET與更為著(zhù)名、更為常用的雙極型三極管進(jìn)行了比較，我們看到MOSFET比BJT所具備的主要優(yōu)勢，我們現在也意識到一些折衷。最重要的結論在于：整個(gè)電路的效率是由具體應用決定的;工程師要在所有的工作條件下仔細地評估傳導和開(kāi)關(guān)損耗的平衡，然后，決定所要使用的器件是常規的雙極型、MOSFET或可能是IGBT?