化學(xué)機械拋光 Slurry 的蛻與進(jìn)

Slurry急需“與時(shí)俱進(jìn)”

盡管CMP工藝在0.35μm節點(diǎn)就被廣為采用，但是其發(fā)展和進(jìn)步還是隨著(zhù)IC集成的發(fā)展“與時(shí)俱進(jìn)”，特別是新材料和新結構為其帶來(lái)了不少進(jìn)步良機。

“CMP工藝相當復雜，其發(fā)展速度一直處于IC制造工藝的前沿?！盓ntrepix的總裁兼CEO Tim Tobin說(shuō)，“新材料包括了摻雜氧化物、稀有金屬、聚合物、高k/低k材料以及III-V族半導體材料等，比較熱門(mén)的前沿結構則有MEMS、TSV、3D結構以及新的納米器件等（圖3），所有這些新興技術(shù)都是擺在CMP面前亟待解決的課題。也正因為如此，CMP在半導體整個(gè)制造流程中的重要性不言而喻，成本與性能的博弈是未來(lái)不得不面對的問(wèn)題?！?P align=center>

那么，所有這些芯片制造的“新寵兒”對于slurry來(lái)說(shuō)意味著(zhù)什么呢？“隨著(zhù)芯片制造技術(shù)的提升，對slurry性能的要求也愈發(fā)的嚴格。除了最基本的質(zhì)量要求外，如何保證CMP工藝整體足夠可靠、如何保證slurry在全部供應鏈（包括運輸及儲藏）過(guò)程中穩定等，一直是slurry過(guò)去和現在面對的關(guān)鍵。摩爾定律推動(dòng)技術(shù)節點(diǎn)的代代前進(jìn)，這將使slurry的性能、質(zhì)量控制、工藝可靠性及供應穩定性面臨更大的挑戰?！蓖跏缑舨┦空f(shuō)。

對于新材料來(lái)說(shuō)，slurry不僅要有去除材料的能力，還要保證能夠適時(shí)恰當的停留在所要求的薄膜層上。對于某些新材料，如低k材料，其親水性差，親油性強，多孔性和脆性等特點(diǎn)還要求slurry的性能要足夠溫和，否則會(huì )造成材料的垮塌和剝離。因此，如何去除線(xiàn)寬減小和低k材料帶來(lái)的新缺陷，如何在減低研磨壓力的情況下提高生產(chǎn)率等也是研發(fā)的重點(diǎn)?！癈abot目前傳統材料的slurry就包括氧化物（D3582和D7200）、Cu（C8800）、Barrier （B7000）等，”吳國俊博士說(shuō)，“同時(shí)，其它一些新材料，如Ru、Nitride、SiC等的slurry也有所涉足?！?