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白光LED散熱與O2PERA封裝技術(shù)

作者： 時(shí)間：2011-11-01 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏
=left>　　(1)提高樹(shù)脂的耐熱性(提高玻璃轉移點(diǎn)的溫度)。
　　(2)添加防氧化劑。
　　(3)主劑的雙重結合，降低容易氧化的部位。
　　有關(guān)第(1)項，一般認為可以透過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂與硬化劑的組合，可望獲得改善。
　　有關(guān)第(2)項，研究人員開(kāi)始檢討防氧化劑的添加量與相性。
　　有關(guān)第(3)項，采用脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂，可以解決特性面的問(wèn)題。
　　提高白色度與反射率
　　為了使基板白色化，必需將白色顏料添加于樹(shù)脂內，該白色顏料的選擇會(huì )直接反映在基板的反射率，因此它是非常重的項目。適合LED基板的白色顏料必需選用「在可視光領(lǐng)域的反射率很高，即使低波長(cháng)它的反射率也不會(huì )降低的材料」，二氧化鈦比較接近上述要求，其它候補材料則有氧化鋅、鋁等等?；迦籼砑佣趸?，可以提高初期白色度與反射率，缺點(diǎn)是熱與紫外線(xiàn)會(huì )使有機部份迅速變色。此外若添加填充材料，基板的剛性會(huì )提高、熱變形溫度也隨著(zhù)變高，它可以提升芯片封裝時(shí)的導線(xiàn)固定性與加工時(shí)的良率。
　　白色積層板材料
　　圖5是日本業(yè)者開(kāi)發(fā)的粘貼銅箔白色積層板“CS-3965H”的分光反射率。如圖所示CS-3965H的分 光反射率，從近紫外(波長(cháng)420nm)開(kāi)始站立，在可視光全波長(cháng)領(lǐng)域達到87%。如果基板變色時(shí)，在藍光領(lǐng)域(波長(cháng)450nm)的反射率會(huì )降低。
白光LED散熱與O2PERA封裝技術(shù)
　　圖6是“CS-3965H”經(jīng)過(guò)加熱與紫外線(xiàn)照射后的藍光反射率變化特性，如圖所示CS-3965H銅箔白色積層板的變色非常低，由于CS-3965H的初期反射率很高，熱與紫外線(xiàn)照射后的反射率變化卻非常低，非常適用于高輝度LED的封裝。
白光LED散熱與O2PERA封裝技術(shù)
高功率LED的散熱設計
　　白光LED已經(jīng)開(kāi)始應用在一般照明與汽車(chē)等領(lǐng)域，投入LED的電力也從過(guò)去數十mW提高數W等級，因此發(fā)熱問(wèn)題更加表面化。
　　所謂熱問(wèn)題是指隨著(zhù)投入電力的增加，LED芯片的溫升造成光輸出降低。有效對策除了改善芯片的特性之外，搭載LED芯片的封裝材料與結構檢討也非常重要。樹(shù)脂封裝方式是目前市場(chǎng)的主流，由于樹(shù)脂的熱傳導率很低，因此經(jīng)常成為影響熱問(wèn)題的原因之一，目前常用對策是將金屬導入樹(shù)脂封裝結構，或是采用高熱傳導率陶瓷材料。
　　LED高功率化必需進(jìn)行以下檢討，分別是：
　　(1)芯片大型化
　　(2)大電流化
　　(3)芯片本身的發(fā)光效率改善
　　(4)高效率取光封裝結構
　　其中最簡(jiǎn)單的方法是增加電流量，使光量呈比例性增加，不過(guò)此時(shí)LED芯片產(chǎn)生的熱量會(huì )增加。圖7是電流投入LED芯片時(shí)的放射照度量測結果，如圖所示在高輸出領(lǐng)域放射照度呈飽和、衰減狀，主要原因是LED芯片發(fā)熱所致，為實(shí)現LED芯片高輸出化，必需進(jìn)行有效的熱對策。
　　接著(zhù)介紹應用陶瓷特性的封裝技術(shù)。
　　封裝的功能
　　封裝主要目的是保護內部組件，使內部組件與外部作電氣性連接，促進(jìn)發(fā)熱的內部組件散熱。對LED芯片而言，封裝的目的是使光線(xiàn)高效率放射到外部，因此要求封裝材料具備高強度、高熱傳導性與高反射性。
　　陶瓷封裝的優(yōu)點(diǎn)
　　陶瓷材料幾乎網(wǎng)羅上述所有要求特性，非常適合當作LED的封裝。表2是主要陶瓷材料的物性，如表2所示陶瓷材料的耐光劣化性，與耐熱性比傳統環(huán)氧樹(shù)脂更優(yōu)秀。
　　目前高散熱封裝結構是將LED芯片固定在金屬板上周?chē)矘?shù)脂，此時(shí)芯片材料與金屬的熱膨脹差異非常大，LED芯片封裝時(shí)與溫度變化的環(huán)境下，產(chǎn)生的熱歪斜極易引發(fā)LED芯片缺陷，造成發(fā)光效率降低、發(fā)熱等問(wèn)題，隨著(zhù)芯片大型化，未來(lái)熱歪斜勢必更嚴重。陶瓷材料的熱膨脹系數接近LED芯片，因此陶瓷被認為是解決熱歪斜最有效的材料之一。
　　封裝結構
　　照片1是高輸出LED用陶瓷封裝的實(shí)際外觀(guān)；圖8是陶瓷封裝的構造范例，圖中的反射器電鍍銀膜，可以提高光照射效率 。圖8(c)是應用多層技術(shù)，使陶瓷與反射器成形一體結構。
白光LED散熱與O2PERA封裝技術(shù)
陶瓷封裝結構
　　為了使發(fā)熱的LED芯片正常動(dòng)作，必需考慮適當的散熱系統，這意味著(zhù)封裝已經(jīng)成為散熱組件的一部份。接著(zhù)介紹有關(guān)散熱的處理方式。
封裝與散熱基板的功能
　　散熱設計必需考慮如何使LED芯片產(chǎn)生的熱透過(guò)筐體釋放到外部。圖9是LED Lamp內部的熱流與封裝內側理想熱擴散模式。
白光LED散熱與O2PERA封裝技術(shù)
　　如圖9右側實(shí)線(xiàn)所示，高熱擴散性封裝的內側(P~Q之間)溫度分布非常平坦，熱可以擴散至封裝整體，而且還非常順暢流入封裝基板內，因此LED芯片正下方的溫度大幅下降。
　　圖10是利用熱模擬分析確認該狀態(tài)獲得的結果，該圖表示定常狀態(tài)溫度分布，與單位面積時(shí)的單位時(shí)間流動(dòng)的熱量，亦即熱流束的分布狀況。由圖可知使用高熱傳導材料的場(chǎng)合，封裝內部的溫差會(huì )變小，此時(shí)并未發(fā)現熱流集中在局部，封裝內部的熱擴散性因而大幅提高。
熱傳導率差異封裝
　　陶瓷是由鋁或是氮化鋁制成，若與目前常用的封裝材料環(huán)氧樹(shù)脂比較，鋁質(zhì)陶瓷的熱傳導率是環(huán)氧樹(shù)脂的55倍，氮化鋁陶瓷的熱傳導率是環(huán)氧樹(shù)脂的400倍。此外金屬板的熱傳導率大約是200W/mK，鋁的熱傳導率大約是400W/mK左右，要求高熱傳導率的封裝，大多使用金屬作base。
LED芯片接合劑的功能

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