大功率電源中MOSFET功率計算

　　對于除最大負載外的所有負載，在開(kāi)、關(guān)過(guò)程中，同步整流器的MOSFET的漏源電壓通過(guò)捕獲二極管箝制。因此，同步整流器沒(méi)有引致開(kāi)關(guān)損耗，使其功率耗散易于計算。需要考慮只是電阻耗散。

　　最壞情況下?lián)p耗發(fā)生在同步整流器負載系數最大的情況下，即在輸入電壓為最大值時(shí)。通過(guò)使用同步整流器的RDS(ON) HOT和負載系數以及歐姆定律，就可以計算出功率耗散的近似值：PDSYNCHRONOUS RECTIFIER=[ILOAD2×RDS(ON) HOT ]×[1>-(VOUT/VIN(MAX))]

　　開(kāi)關(guān)MOSFET的耗散

　　開(kāi)關(guān)MOSFET電阻損耗的計算與同步整流器的計算相仿，采用其(不同的)負載系數和RDS(ON) HOT ：PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON) HOT]×(VOUT/VIN)

　　由于它依賴(lài)于許多難以定量且通常不在規格參數范圍、對開(kāi)關(guān)產(chǎn)生影響的因素，開(kāi)關(guān)MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗計算較為困難。在下面的公式中采用粗略的近似值作為評估一個(gè)MOSFET的第一步，并在以后在實(shí)驗室內對其性能進(jìn)行驗證：PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE

　　其中CRSS為MOSFET的反向轉換電容(一個(gè)性能參數)，fSW為開(kāi)關(guān)頻率，而IGATE為MOSFET的啟動(dòng)閾值處(柵極充電曲線(xiàn)平直部分的VGS)的MOSFET柵極驅動(dòng)的吸收電流和的源極電流。

　　一旦根據成本(MOSFET的成本是它所屬于那一代產(chǎn)品的非常重要的功能)將選擇范圍縮小到特定的某一代MOSFET，那一代產(chǎn)品中功率耗散最小的就是具有相等電阻損耗和開(kāi)關(guān)損耗的型號。若采用更小(更快)的器件，則電阻損耗的增加幅度大于開(kāi)關(guān)損耗的減小幅度;而采用更大(RDS(ON)低)的器件中，則開(kāi)關(guān)損耗的增加幅度大于電阻損耗的減小幅度。

　　如果VIN是變化的，必須同時(shí)計算在VIN(MAX)和VIN(MIN)處的開(kāi)關(guān)MOSFET的功率耗散。MOSFET最壞情況下功率耗散將出現在最小或最大輸入電壓處。耗散為兩個(gè)函數的和：在VIN(MIN) (較高的負載系數)處達到最大的電阻耗散，和在VIN(MAX)(由于VIN2的影響)處達到最大的開(kāi)關(guān)耗散。最理想的選擇略等于在VIN極值的耗散，它平衡了VIN范圍內的電阻耗散和開(kāi)關(guān)耗散。

　　如果在VIN(MIN)處的耗散明顯較高，電阻損耗為主。在這種情況下，可以考慮采用較大的開(kāi)關(guān)MOSFET，或并聯(lián)多個(gè)以達到較低的RDS(ON)值。但如果在VIN(MAX)處的耗散明顯較高，則可以考慮減小開(kāi)關(guān)MOSFET的尺寸(如果采用多個(gè)器件，或者可以去掉MOSFET)以使其可以更快地開(kāi)關(guān)。

　　如果所述電阻和開(kāi)關(guān)損耗平衡但還是太高，有幾個(gè)處理方式：

　　改變題目設定。例如，重新設定輸入電壓范圍;改變開(kāi)關(guān)頻率，可以降低開(kāi)關(guān)損耗，且可能使更大、更低的RDS(ON)值的開(kāi)關(guān)MOSFET成為可能;增大柵