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Maxim為什么選擇設計單片NV SRAM模塊
作者：
時(shí)間：2013-11-04
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設計原則，首先需要知道電池備份存儲器的開(kāi)發(fā)歷史。
開(kāi)發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類(lèi)似于IC的混合存儲器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰紐扣電池工作，等同于帶有長(cháng)期備用穩壓電源的CMOS技術(shù)。
為了理解Maxim的單芯片模塊(SPM)封裝設計以及對鋰錳(ML)二次(可充電)電池的選擇，首先需要知道電池備份存儲器的開(kāi)發(fā)過(guò)程。如果了解選擇電池化學(xué)材料的相關(guān)問(wèn)題，就很容易找到這一問(wèn)題的答案。
建議讀者首先熟悉非易失應用中所使用的原(不可充電)鋰鈕扣電池，在應用筆記505："Lithium Coin-Cell Batteries: Predicting an Application Lifetime"中進(jìn)行了說(shuō)明。
“磚模塊”—過(guò)孔元件
早期的混合模塊封裝延用了傳統的雙列直插(DIP)封裝，這主要是受市場(chǎng)驅動(dòng)的結果，因為EPROM插座為產(chǎn)品提供了更大的靈活性。模塊在制造過(guò)程中經(jīng)過(guò)適當處理，具有連接方便、簡(jiǎn)單易用并且可靠性高等優(yōu)勢。
將原鋰鈕扣電池集成到產(chǎn)品中的主要限制是鈕扣電池不能暴露在+85°C (+185°F)以上的溫度環(huán)境中。大批量電路板組裝過(guò)程中遇到的這一工藝限制迫使生產(chǎn)商在處理備份電池模塊時(shí)使用特殊的方法。而電池廠(chǎng)商對集成電路應用或印刷電路板組裝的要求并不熟悉，因此，電子制造涉及到的環(huán)境問(wèn)題對他們而言是一個(gè)全新領(lǐng)域。當時(shí)，設計更耐熱的鈕扣電池也不是他們開(kāi)發(fā)計劃所關(guān)心的主要問(wèn)題。
對于很多用戶(hù)而言，習慣于將DIP模塊封裝稱(chēng)為“磚模塊”，受模塊物力尺寸的限制，許多用戶(hù)很難為這種封裝找到合適的空間。
DIP模塊采用傳統的600mil寬的排列，占用較大的電路板面積，而且封裝的高度也較高。存儲器的每一次容量擴充都必須改動(dòng)電路板布局，增加引腳數，并進(jìn)一步增加電路板面積。模塊采用全密封結構，增加的材料也會(huì )影響最終電路板的抗振動(dòng)特性。
解決溫度限制問(wèn)題的常用方法是采用插座或手工焊接模塊。但這兩種方法會(huì )提高成本，而且安裝很不方便。另外，插座連接還會(huì )產(chǎn)生系統可靠性問(wèn)題。
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