應用于鎖相環(huán)的脈寬調整電路的設計
前言
在鎖相環(huán)PLL、DLL和時(shí)鐘數據恢復電路CDR等電路的應用中,人們普遍要求輸出時(shí)鐘信號有50%的占空比,以便在時(shí)鐘上升及下降沿都能夠采樣數據,最大限度地提高數據傳輸的速度。為了達到這一需求,我們經(jīng)常需要在時(shí)鐘的輸出加入脈寬調整電路來(lái)得到一個(gè)占空比盡可能達到50%的時(shí)鐘信號。
近年來(lái)誕生了許多種類(lèi)的脈寬調整電路。這些電路大致可以分為以下三類(lèi):第一類(lèi)最為簡(jiǎn)單,即采用2分頻器產(chǎn)生占空比為50%的時(shí)鐘,2分頻器并不是專(zhuān)為調整占空比而采用的,但的確達到了這一需求;第二類(lèi)通過(guò)負反饋機制,采用數字或模擬控制,調整信號占空比,這類(lèi)電路最主要考慮的是系統穩定性;最后一種是采用復雜數字算法的占空比調整電路,其實(shí)現相對比較復雜。因此本文主要分析設計前兩種類(lèi)型的脈寬調整電路。
2分頻器作為脈寬調整電路
絕大多數PLL中使用2分頻prescaler電路處理VCO輸出的高頻信號,既實(shí)現了反饋路徑上的預分頻要求,降低了后續反饋分頻電路的工作頻率和功耗;又實(shí)現了對輸出信號脈寬的調整,基本滿(mǎn)足了50%占空比的要求。但其最大的缺點(diǎn)在于減少了壓控振蕩器VCO一半的輸出信號范圍,對于高頻信號的50%占空比需求,這一缺點(diǎn)體現得比較明顯。
通常我們采用靜態(tài)D觸發(fā)器實(shí)現2分頻,為了實(shí)現在高頻工作時(shí)降低功耗,現在越來(lái)越多采用動(dòng)態(tài)邏輯電路實(shí)現2分頻。圖1是一種傳統的九管實(shí)現的動(dòng)態(tài)2分頻器。當時(shí)鐘¢為低電平時(shí),第一級時(shí)鐘開(kāi)關(guān)導通,采樣輸入信號,這時(shí)第二級輸出的高電平保證了該電路的即時(shí)輸出是前一次采樣保持得到的信號,該信號電荷儲存于輸出節點(diǎn)的寄生電容。由于現代CMOS工藝已經(jīng)進(jìn)入深亞微米階段,晶體管的漏電流現象越發(fā)明顯,因此,該電路正常工作的頻率不能太低。當¢變?yōu)楦唠娖胶?,第一級剛才所采樣的信號正確到達第三級的輸入端,¢的高電平使得這一級成為普通反相器,實(shí)現了觸發(fā)器的功能。由于采用了動(dòng)態(tài)機制,利用寄生電容采樣保持信號,減少了直流通路,降低了功耗,與靜態(tài)邏輯實(shí)現方法相比,所用晶體管數量大大減少。該電路設計中,主要考慮時(shí)鐘MOS開(kāi)關(guān)的導通電阻和開(kāi)關(guān)速度的折中以及信號上升下降時(shí)間的大致匹配。為提高該電路的速度,可以按照圖2所示改進(jìn),與圖1電路相比,時(shí)鐘MOS開(kāi)關(guān)更靠近電地,因此速度更快。對圖2電路仿真結果表明,該電路最高工作頻率可以達到12GHz。
圖1 傳統的動(dòng)態(tài)觸發(fā)器
圖2 改進(jìn)的動(dòng)態(tài)觸發(fā)器
負反饋脈寬調整電路
同鎖相環(huán)電路利用負反饋機制鎖定相位的原理類(lèi)似,我們同樣可以利用負反饋機制構建簡(jiǎn)單系統來(lái)調整信號占空比。該系統主要有以下幾個(gè)模塊構成:壓控脈寬調整器、脈寬電壓轉換器和電壓比較器等。系統模塊圖如圖3所示。
圖3 負反饋脈寬調整電路模塊
壓控脈寬調整器可由壓控延時(shí)線(xiàn)VCDL和鑒相器PD組成。簡(jiǎn)單的VCDL可以由一串反相器構成,其輸出信號是輸入信號的延時(shí),延時(shí)大小由控制電壓VC決定;鑒相器PD可由靜態(tài)RS觸發(fā)器構成。兩個(gè)同頻存在延時(shí)的信號輸入鑒相器后,檢測的是兩信號上升沿之差,即產(chǎn)生了脈寬與延時(shí)成線(xiàn)性關(guān)系(延時(shí)小于一個(gè)周期)的同頻輸出,延時(shí)越長(cháng)(在一個(gè)周期范圍內),則PD輸出信號的占空比越大。因此,要實(shí)現寬范圍信號占空比的調節,重要的是實(shí)現VCDL的寬范圍。
另外一種更為簡(jiǎn)單的壓控脈寬調整器是脈寬伸縮電路,如圖4所示。該電路通過(guò)調整信號不同的上升/下降延時(shí)達到調整占空比的目的。圖中靠近電地的MOS管電流源的電流大小由控制電平VC決定??刂齐妷狠^大時(shí),NMOS電流鏡的電流大于PMOS電流源中的電流,信號上升比下降要慢,反之亦然。因此,改變控制電壓的大小,即實(shí)現了信號上升下降延時(shí)的不同,從而實(shí)現了脈寬的調節。
圖4 壓控脈寬調整器
設計該電路時(shí),傳輸信號反相器中的MOS管采用最小特征尺寸,并保證較大的寬度,使MOS管開(kāi)關(guān)迅速,提高電路的工作頻率;作為電流源使用的MOS管,為減少溝長(cháng)調制效應,晶體管的長(cháng)度應該比較大,這樣對減少噪聲也有幫助。另外要注意的是,當控制電壓處于電源電壓一半時(shí),調整P、N電流源電流基本一致,這一要求確定了它們的相對寬長(cháng)比,對擴大電路工作范圍有重要的作用。由于電路調整了信號上升/下降的延時(shí),有可能在高頻應用時(shí)會(huì )對信號的完整性有所傷害,因此必須在該電路的輸出加上緩沖器,根據負載決定緩沖器的驅動(dòng)能力。為了適應后續模塊比較的要求,需要產(chǎn)生相位互補信號。該電路可由兩條反相器鏈組成。由于正相路徑比反相路徑少一級,為保證信號的相位互補,我們對正相路徑的負載增加MOS電容,通過(guò)增大正相路徑延時(shí)來(lái)達到互補的要求。
脈寬調整電路中的另一個(gè)模塊是脈寬電壓轉換器,它的功能是產(chǎn)生與脈寬成線(xiàn)性關(guān)系的電壓信號。本設計中采用兩個(gè)對稱(chēng)的轉換器實(shí)現對壓控脈寬調整器輸出互補信號的脈寬比較。如果輸出時(shí)鐘是50%占空比,其互補信號脈寬基本一致,則兩轉換器的輸出電平也是基本相同的。由于考慮的是電壓相對值,因此脈寬電壓轉換過(guò)程中產(chǎn)生的一些非理想因素,比如充放電流不匹配、電荷共享等,可以忽略。該轉換器的基本原理是由脈寬控制電流源對電容充放電。在脈寬比較極端的情況時(shí),該電路也能夠正常反映當前信號占空比的正確關(guān)系。
系統中另一個(gè)模塊是電壓比較器,它在整個(gè)負反饋系統中起著(zhù)重要的作用。本設計中采用跨導運算放大器OTA對脈寬電壓轉換器輸出的電壓值進(jìn)行比較,并產(chǎn)生壓控脈寬調整器所需的控制電壓VC,構成整個(gè)系統的負反饋回路。該OTA需要較高的直流增益和較大的帶寬。為了更好地保證整個(gè)環(huán)路的穩定性,放大器采用一級折疊共源共柵結構。圖5為該放大器的電路圖。
圖5 折疊共源共柵跨導運算放大器
當壓控脈寬調整器輸出信號具有約50%占空比時(shí),轉換器的輸出電壓維持在較小的值(考慮充放電荷大致相同),因此,采用PMOS管作為放大器的差分輸入符合輸入范圍的要求。為了擴大輸出范圍,放大器采用了寬范圍Cascode電流鏡作為有源負載。
經(jīng)過(guò)仿真可得,該放大器直流增益達65dB,完全滿(mǎn)足系統要求。為了保證反饋環(huán)路穩定以及減少控制電壓上的紋波(ripple),放大器的負載電容應取得較大一些,以降低主極點(diǎn)頻率??紤]面積方面的因素,該電容可以采用NMOS電容,這種電容的單位面積電容值比其他類(lèi)型的集成電容都要大的多。該電容的缺點(diǎn)是電容值受工藝、電壓等因素變化較大,而且漏電隨柵氧化層厚度減小而增大,但在此處做相位補償和濾波之用,可以忽略這些缺點(diǎn)。
整個(gè)系統中最重要的是系統環(huán)路穩定性的問(wèn)題,該閉環(huán)系統的環(huán)路增益是:Loop gain=1/(1+s/p1)A0/(1+s/p2)只要放大器的負載電容足夠大(大約30pF),就可以使環(huán)路有足夠的相位裕度保證整個(gè)閉環(huán)系統的穩定。典型的二階系統控制電壓穩定曲線(xiàn)如圖6所示。在脈寬電壓轉換器中,我們可以采用類(lèi)似于電賀泵的電容充放電結構,也可以采用本次設計中采用的簡(jiǎn)單低通濾波器結構??紤]到這兩種結構所引入的極點(diǎn)p1的位置不同,因此后者更加容易穩定。
圖6 典型的二階系統控制電壓穩定曲線(xiàn)
該系統在SMIC 180nm數字工藝下,采用Cadence公司的Spectre仿真器通過(guò)仿真,工作頻率范圍100MHz~1.5GHz,穩定時(shí)間約在1~3μs,有效輸入占空比為30%~70%,輸出占空比誤差在0.5%之內,基本滿(mǎn)足了寬范圍應用中所需的50%占空比設計要求。
該系統的誤差主要來(lái)自環(huán)路有限的增益以及控制電壓上的紋波抖動(dòng)。另外,保證壓控脈寬調整器足夠的范圍和線(xiàn)性度,都對提高系統的性能有重要的作用。因此在壓控脈寬調整器中采用VCDL結構比直接采用脈寬伸縮電路有優(yōu)勢,但脈寬伸縮結構實(shí)現更為簡(jiǎn)單。
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