英飛凌SiC超結技術(shù)樹(shù)立新標準，加速電動(dòng)汽車(chē)普及與工業(yè)效率提升

英飛凌科技股份公司作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應用領(lǐng)域包括汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統、電動(dòng)汽車(chē)充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等?，F在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng )新優(yōu)勢，推出了SiC溝槽型超結（TSJ）技術(shù)。

ID-PAK封裝MDIP-04-01

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer表示：“ TSJ技術(shù)的推出顯著(zhù)擴展了我們的SiC技術(shù)能力。溝槽柵結構與超結技術(shù)的結合可以實(shí)現更高的效率和更緊湊的設計，這對于性能和可靠性要求極高的應用十分重要?！?/p>

英飛凌致力于通過(guò)SiC  TSJ技術(shù)逐步擴展CoolSiC?產(chǎn)品組合。此次擴展涵蓋多種封裝形式，包括分立器件、模塑和框架封裝模塊，以及裸晶圓。擴展后的產(chǎn)品組合能夠滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應用需求。

首批基于這項新技術(shù)的產(chǎn)品是適用于汽車(chē)牽引逆變器的英飛凌ID-PAK封裝1200 V功率器件。產(chǎn)品充分利用英飛凌在SiC及硅基超結技術(shù)（CoolMOS?）領(lǐng)域25年多的經(jīng)驗，集溝槽柵技術(shù)與超結設計優(yōu)勢于一身。該可擴展封裝平臺支持最高800 kW功率，可實(shí)現高度靈活的系統配置。這項技術(shù)的主要優(yōu)勢之一是通過(guò)將R DS(on)*A降低多達40%以獲得更高的功率密度，從而在相同功率等級下實(shí)現更緊湊的設計。此外，ID-PAK封裝1200 V SiC TSJ功率器件可在不犧牲短路能力的前提下，將主逆變器電流承載能力提升多達25%。

這一技術(shù)進(jìn)步還為要求嚴苛的汽車(chē)和工業(yè)應用帶來(lái)了整體系統性能提升，包括更低的能耗和散熱要求，以及更高的可靠性。此外，該系統還降低了并聯(lián)要求，從而簡(jiǎn)化了設計流程并降低了整體系統成本。憑借這些創(chuàng )新優(yōu)勢，基于英飛凌ID-PAK封裝的SiC TSJ功率器件將助力汽車(chē)應用領(lǐng)域設計出更高效、更具成本效益的牽引逆變器。。

英飛凌科技汽車(chē)電子事業(yè)部總裁Peter Schiefer表示：“作為全球汽車(chē)半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導者，英飛凌始終引領(lǐng)創(chuàng )新步伐，助力構建汽車(chē)技術(shù)進(jìn)步與可持續交通出行之間的橋梁。我們的全新的基于溝槽柵結構的SiC超結技術(shù)能夠提升效率和簡(jiǎn)化系統設計，為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統帶來(lái)更大的價(jià)值?！?/p>

現代汽車(chē)公司開(kāi)發(fā)團隊是英飛凌TSJ技術(shù)的首批客戶(hù)之一，他們將充分利用這項技術(shù)的優(yōu)勢提升其電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)品性能。該合作能夠幫助現代汽車(chē)開(kāi)發(fā)出更加高效、緊湊的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統。

供貨情況

首批ID-PAK封裝1200 V功率器件樣品現已向部分汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統客戶(hù)開(kāi)放。ID-PAK封裝 1200 V SiC TSJ功率器件預計將于2027年實(shí)現量產(chǎn)。

英飛凌將參加PCIM Europe 2025

歐洲電力電子系統及元器件展（PCIM Europe）將于2025年5月6~8日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在7號展廳470號展臺展示低碳化和數字化產(chǎn)品和解決方案。公司代表還將在PCIM展會(huì )舞臺和同期舉辦的PCIM會(huì )議上發(fā)表多場(chǎng)演講。