相約2025慕尼黑上海電子展，展望可穿戴設備未來(lái)發(fā)展！

近年來(lái)，在科技飛速發(fā)展的浪潮推動(dòng)下，可穿戴設備領(lǐng)域迎來(lái)了爆發(fā)式增長(cháng)，產(chǎn)品種類(lèi)愈發(fā)豐富，形態(tài)持續創(chuàng )新。從產(chǎn)品形態(tài)來(lái)看，新型可穿戴設備正朝著(zhù)隱形化、輕量化、柔性化的方向邁進(jìn)，更好地貼合人體，融入日常生活場(chǎng)景中。

在市場(chǎng)層面，全球可穿戴設備市場(chǎng)規模持續擴張。據Canalys數據顯示，2024年全球可穿戴設備市場(chǎng)出貨量達1.93億臺，同比增長(cháng)4%。其中，新興市場(chǎng)表現尤為突出，出貨量同比增幅超過(guò)20%，展現出巨大的市場(chǎng)潛力。

 技術(shù)升級：雙輪驅動(dòng)可穿戴設備發(fā)展

未來(lái)，可穿戴設備的技術(shù)升級將主要聚焦兩大方向：一是與AI深度整合。隨著(zhù)生成式AI技術(shù)的爆發(fā)式增長(cháng)，為可穿戴設備開(kāi)辟了新的發(fā)展路徑?？纱┐髟O備終端廠(chǎng)商也在不斷探索AI技術(shù)與產(chǎn)品相結合，以期釋放更大的市場(chǎng)發(fā)展潛力；

 二是顯示技術(shù)創(chuàng )新。在顯示技術(shù)方面，可穿戴設備也取得了顯著(zhù)進(jìn)展。目前，60%的腕表采用了OLED屏幕，1.8英寸以上大屏占比增至40%，兼顧了高清晰度和低功耗的需求。

 東芯半導體多存儲產(chǎn)品矩陣，賦能可穿戴設備未來(lái)發(fā)展

在即將于2025年4月15-17日舉辦的慕尼黑上海電子展上，針對可穿戴設備的新技術(shù)和新產(chǎn)品也將是展會(huì )的焦點(diǎn)之一。

 隨著(zhù)可穿戴設備超小型化、輕量等方向發(fā)展，對于用于存儲數據的存儲器的要求也越來(lái)越高。此次，東芯半導體（展位號：N5.517）將攜其應用于可穿戴設備的存儲芯片產(chǎn)品亮相慕尼黑上海電子展，并同時(shí)展出TWS耳機、智能手表，以及手環(huán)等多個(gè)可穿戴解決方案。

 東芯半導體（展位號：N5.517）深耕存儲芯片領(lǐng)域，聚焦于中小容量的NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。

 在SPI NAND Flash產(chǎn)品領(lǐng)域，東芯半導體（展位號：N5.517）的產(chǎn)品具有引腳少、封裝尺寸小且形式豐富（如WSON、BGA、LGA等），且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，帶有內部ECC模塊，使其在滿(mǎn)足數據傳輸效率的同時(shí)，節約了空間，提升了穩定性。

 目前，東芯半導體（展位號：N5.517）的SPI NAND Flash產(chǎn)品擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，并已經(jīng)推進(jìn)至1xnm先進(jìn)工藝制程。產(chǎn)品可提供1.8V/3.3V兩種電壓，不僅能滿(mǎn)足常規應用場(chǎng)景，使其在目前日益普及的由電池驅動(dòng)的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設備中保持低功耗，有效延長(cháng)設備的待機時(shí)間，也更靈活地適用于不同應用場(chǎng)景。

 在DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，東芯半導體（展位號：N5.517）的DDR3(L)系列可以傳輸雙倍數據流，具備高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域也應用廣泛。LPDDR系列產(chǎn)品具有LPDDR1、LPDDR2，以及LPDDR4X三個(gè)系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，非常適合應用于各種移動(dòng)設備中。未來(lái)，LPDDR系列產(chǎn)品將廣泛應用于可穿戴/遙控設備等便攜式產(chǎn)品中。

 MCP在MCP系列產(chǎn)品領(lǐng)域，MCP可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝，簡(jiǎn)化走線(xiàn)設計，節省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩定性。東芯半導體（展位號：N5.517）具有NAND Flash和DDR多種容量組合，Flash和DDR均采用低電壓設計，核心電壓1.8V，可滿(mǎn)足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對低功耗的需求。

 如前所述，可穿戴設備對芯片的功耗、尺寸，以及生物兼容性等方面的要求越來(lái)越高。對此，東芯半導體（展位號：N5.517）也進(jìn)行了積極布局。以其大容量、低功耗、ETOX工藝的NOR Flash為例，該產(chǎn)品具備1.8V低工作電壓，封裝可選擇WLCSP晶圓級封裝技術(shù)，該封裝技術(shù)最大的特點(diǎn)就是能有效縮減封裝體積，可滿(mǎn)足可穿戴式產(chǎn)品輕薄短小的特性需求。此外，東芯半導體（展位號：N5.517）的NOR Flash產(chǎn)品覆蓋64Mb-2Gb中高容量，可根據不同容量的目標客戶(hù)群進(jìn)行精確定位，幫助其在性能、功耗和性?xún)r(jià)比之間獲得絕佳平衡。

 AI技術(shù)深刻影響可穿戴設備領(lǐng)域

AI技術(shù)的發(fā)展將對可穿戴設備領(lǐng)域戴帶來(lái)深刻的影響和變革。從智能化升級到健康醫療領(lǐng)域的深度應用，再到全新交互方式的探索，AI正在重塑可穿戴設備領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展方向。具體表現為：功能范式的更新，即從基礎數據采集向主動(dòng)健康管理演進(jìn)，通過(guò)機器學(xué)習算法，實(shí)現運動(dòng)監測與個(gè)性化訓練方案生成，健康指標分析與疾病預警等核心功能；交互能力增強，搭建大數據模型能夠使得可穿戴設備交互能力實(shí)現突破，使可穿戴設備從輔助工具成為真正的人體增強系統，賦能健康監護、認知增強和環(huán)境互動(dòng)等方面。典型的應用場(chǎng)景包括實(shí)時(shí)生理參數異常檢測、動(dòng)態(tài)運動(dòng)姿態(tài)矯正、慢性病智能管理等。

 此外，隨著(zhù)AI技術(shù)的融入與不斷發(fā)展，未來(lái)可穿戴設備芯片的技術(shù)競爭焦點(diǎn)可能會(huì )更注重于算的方面，在醫療健康無(wú)感化監測與自主智能交互等方面扮演更加重要的角色。目前，為順應科技的發(fā)展，進(jìn)一步豐富其產(chǎn)品品類(lèi)，東芯半導體（展位號：N5.517）將以存儲為核心，向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索，拓展行業(yè)應用領(lǐng)域，優(yōu)化業(yè)務(wù)布局。

 可穿戴設備數據隱私與合規性挑戰

目前，可穿戴設備正無(wú)縫融入到我們的日常生活中，為我們的健康管理和便利性帶來(lái)了極大的提升。但由于這些設備具有數據收集功能和網(wǎng)絡(luò )連接特性，它們收集的用戶(hù)生物特征數據（如心率、睡眠模式、地理位置等），一旦泄露或被濫用，可能會(huì )對用戶(hù)造成嚴重的隱私威脅。

 針對這一問(wèn)題，東芯半導體（展位號：N5.517）認為需要以技術(shù)手段確保數據全生命周期的安全可控，而可靠高效的存儲芯片就起到了至關(guān)重要的作用。東芯半導體（展位號：N5.517）的“局部自電位升壓操作方法”、“步進(jìn)式、多次式編寫(xiě)/擦除操作方法”、“步進(jìn)式、多次式編寫(xiě)/擦除操作方法”、“內置8比特ECC技術(shù)”、“提高擦除可靠性技術(shù)”、“數據自動(dòng)刷新技術(shù)”，以及“具有垂直溝道晶體管的存儲器制造方法”等多個(gè)產(chǎn)品設計核心環(huán)節中所涉及的核心技術(shù)，都旨在提高存儲產(chǎn)品的可靠性，用自主的創(chuàng )新能力不斷提高產(chǎn)品的可靠性水平，為客戶(hù)提供高品質(zhì)的存儲產(chǎn)品及解決方案。

結語(yǔ)

在萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代，可穿戴設備作為關(guān)鍵一環(huán)，正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機遇。AI技術(shù)與可穿戴設備的深度融合將進(jìn)一步推動(dòng)該市場(chǎng)的發(fā)展。然而，數據隱私與合規性挑戰也不容忽視，需要整個(gè)行業(yè)共同努力應對。歡迎前往慕尼黑上海電子展，了解可穿戴設備領(lǐng)域最新的技術(shù)發(fā)展趨勢。