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EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設計應用 > SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰讓工程師 “頭禿”!

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰讓工程師 “頭禿”!

作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 時(shí)間:2025-03-05 來(lái)源:安森美 收藏

隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC 將越來(lái)越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode ,內容包括(共源共柵)關(guān)鍵參數和并聯(lián)振蕩的分析,以及設計指南。本文為第一篇,聚焦產(chǎn)品介紹、背景知識和并聯(lián)設計。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202503/467642.htm

簡(jiǎn)介

大電流操作通常需要直接并聯(lián)器件。出于成本或布局的考慮,并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊,但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現的。本文總結了適用于所有并聯(lián)電壓柵控型(如SiC cascode、SiC MOSFET、Si MOSFET、IGBT等)的通用最佳實(shí)踐方案。并聯(lián)Cascode等高增益器件尤其具有挑戰性。遵循這些實(shí)踐方案有助于成功實(shí)現 SiC JFET cascode的并聯(lián)工作。

Cascode背景知識

如圖 1 所示,cascode 結構是由一個(gè)常開(kāi) SiC JFET(碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管) 與一個(gè)低壓 Si MOSFET (硅金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)串聯(lián)而成。JFET的 柵極直接連接到 MOSFET 的源極,JFET 的柵極電阻是 JFET 芯片的一部分。

MOSFET 漏極-源極電壓是 JFET 柵極-源極電壓的反相,從而使cascode 結構呈現常關(guān)特性。正如《Cascode入門(mén)》中所述,Cascode與其他功率晶體管的主要區別在于,一旦 VDS超過(guò) JFET 的閾值電壓,就沒(méi)有柵極-漏極電容。  這是因為 JFET 沒(méi)有漏極-源極電容,因此Cascode結構的開(kāi)關(guān)速度極快。  這一特性與寄生電感問(wèn)題相結合,是Cascode并聯(lián)工作中需要解決的核心問(wèn)題。

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圖 1 帶雜散阻抗的Cascode結構

并聯(lián)的挑戰

■ 靜態(tài)電流失配

靜態(tài)電流失配是指并聯(lián)器件在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)穩定后,并聯(lián)器件之間的電流不匹配現象。對于具有熱不穩定性(如負溫度系數導通電阻的舊式硅二極管或穿通型IGBT)的器件尤其值得關(guān)注。如果各個(gè)器件導通電阻的變化(分布)足夠?。唇?jīng)過(guò)分選的器件),并且為了彌補不可避免的電流失配而留有裕量,則具有負溫度系數的器件可以成功并聯(lián)。

有一個(gè)廣為流傳的誤解,認為正溫度系數導通電阻能強制均流,從而有利于并聯(lián)。實(shí)際上,正溫度系數僅確保熱穩定性?,F代(包括 SiC JFET、SiC MOSFET、場(chǎng)截止 IGBT 等)的參數分布較窄,這進(jìn)一步強化了人們對于正溫度系數在均流方面具有強大作用的看法,但決定靜態(tài)均流的是參數分布和共同的散熱裝置。

■ 動(dòng)態(tài)電流失配

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圖2 閾值電壓失配導致的動(dòng)態(tài)電流失配

動(dòng)態(tài)電流失配是由MOS柵控器件和JFET器件固有的器件間閾值電壓變化、電流環(huán)路的不對稱(chēng)性以及柵極驅動(dòng)器之間傳播時(shí)延差異(如果適用的話(huà))所引起的。閾值電壓較低的部件會(huì )較早導通、較晚關(guān)斷,因此會(huì )產(chǎn)生更多的硬開(kāi)關(guān)損耗。在開(kāi)關(guān)頻率非常高的情況下,這種情況更加令人擔憂(yōu)。

圖2顯示了兩個(gè)并聯(lián)cascode電路在導通時(shí)的動(dòng)態(tài)失配。電流失配迅速減小是典型的現象,因為穩態(tài)均流主要由RDS(on)決定。在計算中,使用數據表中RDS(on)和RθJC的最大值,可以為并聯(lián)時(shí)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流失配提供安全裕量。

并聯(lián)設計還有哪些挑戰?后續推文我們將繼續介紹。

第二篇跳轉:SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來(lái)了!http://dyxdggzs.com/article/202503/467644.htm

第三篇跳轉:速看!SiC JFET并聯(lián)設計白皮書(shū)完整版http://dyxdggzs.com/article/202503/467646.htm



關(guān)鍵詞: JFET Cascode 功率半導體

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