三星將在平澤P2廠(chǎng)建設10nm第七代DRAM試驗線(xiàn)

三星電子將在平澤二廠(chǎng)（P2）建設一條10nm第七代DRAM（1d DRAM）試驗線(xiàn)，以加強其競爭地位并提高新一代產(chǎn)品的良率。

據報道，三星計劃于2024年第四季度開(kāi)始建設1d DRAM試驗線(xiàn)，預計于2025年第一季度完工。雖然這條1d DRAM生產(chǎn)線(xiàn)具體生產(chǎn)規模的細節尚不清楚，但業(yè)內估計，試驗線(xiàn)的月產(chǎn)能通常約為10000片晶圓。

三星計劃于2025年開(kāi)始量產(chǎn)1c DRAM，隨后于2026年開(kāi)始量產(chǎn)1d DRAM。該公司在為1c DRAM量產(chǎn)做準備的同時(shí)建立這條試驗線(xiàn)的決定反映出其積極的發(fā)展戰略。

業(yè)內人士稱(chēng)，新任三星設備解決方案（DS）負責人全英鉉（Young-Hyun Jun）的技術(shù)背景使他能夠直接管理三星的存儲技術(shù)，從DRAM等核心業(yè)務(wù)開(kāi)始，在DS部門(mén)內實(shí)施重大改革。與此同時(shí)，三星也在加大對NAND閃存技術(shù)的投資。

最近，三星平澤第一工廠(chǎng)（P1）建立了業(yè)界第一條堆疊400層3D NAND（V10）的測試線(xiàn)，而P4的NAND工廠(chǎng)則引進(jìn)了堆疊286層（V9）的設備。

通過(guò)對DRAM和NAND技術(shù)的戰略投資，三星旨在保持其在全球存儲市場(chǎng)上相對于競爭對手的技術(shù)優(yōu)勢。加速開(kāi)發(fā)測試線(xiàn)和推進(jìn)下一代產(chǎn)品的量產(chǎn)，凸顯了三星決心在激烈的競爭環(huán)境中鞏固其領(lǐng)先地位。