三星電子調派2000名工程師至平澤工廠(chǎng)，強化HBM技術(shù)研發(fā)

據報道，三星電子近期進(jìn)行了大規模人事調整，調派約2000名工程師至位于韓國平澤的半導體生產(chǎn)基地，旨在解決高帶寬內存（HBM）技術(shù)面臨的挑戰。 然而，三星公司否認了這些說(shuō)法，稱(chēng)其毫無(wú)根據。

韓國媒體指出，此次人事調整由三星設備解決方案（DS）部門(mén)執行副總裁兼負責人Jun Young-hyun主導，旨在提升先進(jìn)DRAM工藝的良品率，并應對三星在HBM領(lǐng)域的技術(shù)差距。 據悉，超過(guò)2000名來(lái)自三星器興和華城園區的工程師被重新分配至平澤工廠(chǎng)，以加強生產(chǎn)過(guò)程管理和產(chǎn)品質(zhì)量。 此次調整主要針對在從開(kāi)發(fā)到量產(chǎn)過(guò)渡階段專(zhuān)注于優(yōu)化良品率的工程師。

三星正加速其平澤P4工廠(chǎng)的設備采購，預計將開(kāi)始第六代10納米級DRAM（1c DRAM）的量產(chǎn)。 然而，三星的HBM3E產(chǎn)品據稱(chēng)未能達到行業(yè)標準，可能無(wú)法進(jìn)入英偉達的供應鏈。 據報道，三星對未能滿(mǎn)足英偉達的HBM標準表示歉意，并對未來(lái)的突破表示樂(lè )觀(guān)。

此外，SK海力士計劃在2025年底前轉向3納米工藝生產(chǎn)HBM4產(chǎn)品，這可能會(huì )擴大其與三星之間的技術(shù)差距。 三星正在探索使用3納米工藝生產(chǎn)HBM4芯片的可能性，以保持競爭力。

此次人事調整和戰略部署，體現了三星電子在人工智能和高性能計算領(lǐng)域對先進(jìn)內存解決方案的重視，以及其在全球半導體市場(chǎng)中保持競爭優(yōu)勢的決心。