廣東：大力推動(dòng)刻蝕機等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代

據廣東省人民政府官方消息，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新發(fā)展行動(dòng)方案(2024—2030年)》。

其中提到，力爭到2030年取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個(gè)以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設10個(gè)左右國家和省級創(chuàng )新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群，建設成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新高地。

省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃支持光芯片技術(shù)攻關(guān)。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長(cháng)和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發(fā)投入力度，著(zhù)力解決產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的“卡點(diǎn)”“堵點(diǎn)”問(wèn)題。

推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。大力推動(dòng)刻蝕機、鍵合機、外延生長(cháng)設備及光矢量參數網(wǎng)絡(luò )測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實(shí)工業(yè)設備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設備更新升級。