美芯片禁令失算！日媒：中國大陸只落后臺積電這么少

美國對大陸下達芯片禁令，反而推動(dòng)中國大陸芯片業(yè)驚人大躍進(jìn)，根據「日經(jīng)新聞」報導，大陸芯片業(yè)實(shí)力持續進(jìn)步，目前只差臺積電3年水平。而美國出口管制的目標，是想讓大陸在芯片競賽中落后長(cháng)達10年的時(shí)間。

報導引述半導體調查公司TechanaLye社長(cháng)清水洋治說(shuō)法指出，大陸半導體實(shí)力僅落后臺積電3年，他以華為2024年4月開(kāi)賣(mài)的最新智能手機「Huawei Pura 70 Pro」應用處理器(AP)「KIRIN 9010」，以及華為「KIRIN 9000」為例，「KIRIN 9010」是由華為旗下海思半導體設計、加上中芯采用7納米技術(shù)，「KIRIN 9000」則是海思半導體設計、采用臺積電2021年時(shí)的5納米制程量產(chǎn)。

清水洋治續指，中芯采用7納米量產(chǎn)的芯片，該款芯片面積118.4平方毫米，與臺積電5納米芯片面積107.8平方毫米差距不大，不過(guò)處理性能幾乎相同，雖然兩者在良率上有落差，但從出貨的芯片性能來(lái)看，中芯的實(shí)力只落后臺積電3年，尤其中芯采用7納米技術(shù)，卻能和臺積電5納米性能同等，代表海思半導體的設計能力已進(jìn)一步提升。

另以華為Pura 70 Pro為例，其搭載37個(gè)主要半導體產(chǎn)品，海思半導體就負責14個(gè)，其他陸廠(chǎng)負責18個(gè)，非陸制產(chǎn)品僅有5個(gè)，包括DRAM和運動(dòng)傳感器是由SK Hynix、Bosch生產(chǎn)，代表該產(chǎn)品高達86%半導體為大陸自制。

清水洋治最后總結，美國政府的管制只是稍微拖慢大陸的技術(shù)革新，反而刺激了大陸芯片產(chǎn)業(yè)的自主化。