半導體存儲產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟“狂飆”模式？

經(jīng)歷較長(cháng)時(shí)間的行業(yè)下行周期后，2023年第四季度以來(lái)，存儲產(chǎn)業(yè)出現了較為明顯的回暖跡象。與此同時(shí)，隨著(zhù)AI人工智能浪潮的推動(dòng)，加上數據中心等應用對高端存儲需求的持續增加，全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈復蘇態(tài)勢愈發(fā)強烈。

而近日，從SK海力士、鎧俠、三星、美光等廠(chǎng)商釋放的信號來(lái)看，存儲產(chǎn)業(yè)邁入上行周期的確定性進(jìn)一步提升。

SK海力士12層HBM3E即將量產(chǎn)，HBM工廠(chǎng)迎利好

近期，SK海力士無(wú)論是在技術(shù)研發(fā)還是建廠(chǎng)投資方面，都釋出了利好消息。

技術(shù)研發(fā)方面，眾所周知，受益于人工智能熱潮推動(dòng)，SK海力士在A(yíng)I存儲器市場(chǎng)掌握著(zhù)主導地位。SK海力士首席執行官郭魯正表示，由于HBM等高性能存儲器芯片的強勁需求，存儲器芯片市場(chǎng)還將維持一段時(shí)間的樂(lè )觀(guān)態(tài)勢，預計存儲器芯片市場(chǎng)將持續活躍到明年年初。

SK海力士認為，隨著(zhù)人工智能市場(chǎng)的擴大，明年存儲器的需求將持續增長(cháng)，并制定了積極應對的戰略。SK海力計劃在本季度向主要客戶(hù)供應12層HBM3E樣品并開(kāi)始量產(chǎn)，并將在明年下半年推出與臺積電合作開(kāi)發(fā)的12層HBM4。

除了全力發(fā)展HBM高帶寬內存市場(chǎng)外，SK海力士在顯存方面的發(fā)展也迎來(lái)新的進(jìn)展。

7月30日，SK海力士宣布推出全球最高性能的新一代顯存產(chǎn)品GDDR7。與前一代產(chǎn)品相比，SK海力士GDDR7運行速度提高了60%以上，能效與前一代相比提升了50%以上。此外，SK海力士技術(shù)團隊通過(guò)采用封裝新技術(shù)，成功地將該產(chǎn)品的熱阻減少了74%。

圖片來(lái)源：SK海力士

SK海力士表示，GDDR7將于今年第三季度量產(chǎn)，將適用于圖形處理、人工智能、高性能計算、及自動(dòng)駕駛等多種領(lǐng)域。

投資建廠(chǎng)發(fā)面，SK海力士將投資約9.4萬(wàn)億韓元，龍仁半導體產(chǎn)業(yè)集群首個(gè)晶圓廠(chǎng)及事業(yè)設施。根據規劃，SK海力士將建設四座生產(chǎn)下一代半導體的先進(jìn)晶圓廠(chǎng)，其中第一座晶圓廠(chǎng)計劃明年3月開(kāi)工，2027年5月完工，將生產(chǎn)包括代表性AI存儲器HBM在內的下一代DRAM，并在工廠(chǎng)竣工后根據市場(chǎng)需求生產(chǎn)其他產(chǎn)品。

SK海力士龍仁半導體集群鳥(niǎo)瞰圖
圖片來(lái)源：SK海力士

此外，SK海力士還與美國商務(wù)部簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT）?；诿绹缎酒涂茖W(xué)法案》，SK海力士就美國印第安納州半導體先進(jìn)封裝工廠(chǎng)的投資，將獲得最高4.5億美元的直接補助和最高5億美元的貸款。與此同時(shí)，美國財政部決定為SK海力士提供在美國投資額最高可達25%的稅收抵免。

SK海力士此前宣布，將在美國印第安納州投資建設HBM先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，總投資達38.7億美元，并創(chuàng )造約1,000個(gè)工作崗位。該工廠(chǎng)預計在2028年下半年開(kāi)始量產(chǎn)新一代HBM等適于A(yíng)I的存儲器產(chǎn)品。同時(shí)，SK海力士還將與普渡（Purdue）大學(xué)等當地研究機構攜手進(jìn)行半導體研發(fā)。SK海力士表示，為了在印第安納州順利進(jìn)行面向AI的存儲器量產(chǎn)，將如期進(jìn)行工廠(chǎng)建設。

鎧俠Q1營(yíng)收環(huán)比大漲106.4%，規劃10月底IPO？

近日，NAND閃存大廠(chǎng)鎧俠公布了2024財年（4-6月，2024自然年二季度）第一財季營(yíng)收報告。

數據顯示，當季鎧俠營(yíng)收創(chuàng )歷史新高，達4,285億日元，同比大漲71%，環(huán)比增長(cháng)106.4%；營(yíng)業(yè)利潤1259億日元，環(huán)比增加187%；凈利潤也自去年同期的虧損1,031億日元轉為盈利698億日元，環(huán)比增長(cháng)578%。

圖片來(lái)源：鎧俠

鎧俠表示，供需平衡改善，帶動(dòng)NAND Flash平均售價(jià)持續上升，同時(shí)閃存市場(chǎng)需求復蘇也隨之推動(dòng)NAND Flash產(chǎn)品出貨量增加，外加日元貶值等，是推動(dòng)公司營(yíng)收實(shí)現大幅增長(cháng)的主要因素。

鎧俠指出，以日元計算，當季NAND Flash售價(jià)較上一財季（2024年1-3月）上漲20%左右，為連續第四個(gè)季度呈現上漲；NAND Flash出貨量也環(huán)比增長(cháng)了10-14%。鎧俠表示，上季以美元計算的售價(jià)環(huán)比增長(cháng)15%左右。

另外，鎧俠位于日本巖手縣北上市工廠(chǎng)Fab 2（K2）已于7月完工。而隨著(zhù)市場(chǎng)需求的復蘇，鎧俠將在密切關(guān)注NAND閃存市場(chǎng)趨勢的同時(shí)逐步進(jìn)行資本投資。并計劃于2025年秋季在K2開(kāi)始運營(yíng)。

鎧俠在新聞稿中強調，將致力于抓住NAND Flash閃存市場(chǎng)機遇，滿(mǎn)足對AI人工智能應用和數據中心日益增長(cháng)的需求，并在合適的時(shí)機實(shí)施符合市場(chǎng)趨勢的資本投資。

據日經(jīng)新聞報道，鎧俠K2工廠(chǎng)將用來(lái)增產(chǎn)人工智能AI用最先進(jìn)存儲器。報道還稱(chēng)，北上工廠(chǎng)將生產(chǎn)被稱(chēng)為“第8代”的最先進(jìn)存儲器，預計月產(chǎn)2.5萬(wàn)片，除AI數據中心外，也將用于智能手機、PC、汽車(chē)等領(lǐng)域。

至于備受關(guān)注的IPO情況，有知情人士表示，鎧俠會(huì )在8月底提交正式申請，目標10月底上市，而為了趕上期限，鎧俠正以比一般IPO更快的速度進(jìn)行準備，不過(guò)最終結果要視進(jìn)度而定，不排除推延至12月。

三星平澤P4生產(chǎn)第6代DRAM，或明年6月開(kāi)始運營(yíng)

據韓國媒體ETNews最新報道，三星電子內部已經(jīng)確認在平澤P4工廠(chǎng)內建設1c納米制程DRAM產(chǎn)線(xiàn)的投資計劃，目標是預計在2025年的6月投入量產(chǎn)。

三星平澤P4是一座綜合性的半導體生產(chǎn)中心，分為四期計劃。在三星早前的規劃中，一期以生產(chǎn)NAND Flash閃存為主，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內存。不過(guò)ETNews最新報道稱(chēng)，當前，三星已在P4一期導入DRAM生產(chǎn)設備，但暫時(shí)擱置了二期建設。1c納米制程DRAM是第六代10納米級DRAM制程技術(shù)，報導指出，三星計劃在2024年底啟動(dòng)1c納米制程技術(shù)的存儲器生產(chǎn)計劃。

另?yè)n媒消息，三星高管在2024年第2季度財報電話(huà)會(huì )議透露，第五代8層HBM3E產(chǎn)品目前已交付客戶(hù)評估，計劃2024年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)。

該高管還指出，已經(jīng)完成了12層HBM3E芯片的量產(chǎn)準備，將在今年下半年根據多個(gè)客戶(hù)的要求計劃擴大供應。

據悉，三星HBM銷(xiāo)售額在第二季度環(huán)比增長(cháng)了50%，預計在下半年將增長(cháng)3-5倍，三星表示，HBM3E芯片在三星HBM中所占的份額預計將在第三季度超過(guò)10%，并有望在第四季度迅速擴大到60%。至于第六代HBM4，三星預計，有望從2025年下半年開(kāi)始出貨。

事實(shí)上，在DRAM方面，8月6日，韓國存儲廠(chǎng)商三星電子宣布，已開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)界最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM內存，支持12GB和16GB容量。

圖片來(lái)源：三星

據官方介紹，三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強，適合端側AI在移動(dòng)端的應用，LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊架構，每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成，在提升Die密度的同時(shí)，減少厚度，提高耐熱性。與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR5X DRAM厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。

圖片來(lái)源：三星

具體來(lái)看，通過(guò)采用更先進(jìn)的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(EMC)工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，超過(guò)之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。同時(shí)，三星優(yōu)化了背面研磨工藝，進(jìn)一步壓縮了封裝厚度。

此外，通過(guò)提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動(dòng)設備內有多余的空間，促進(jìn)空氣流動(dòng)，散熱控制能力也因此得到提升，三星表示，這一屬性對于像端側人工智能類(lèi)具有復雜功能的高性能應用尤為關(guān)鍵。

三星計劃通過(guò)向移動(dòng)處理器生產(chǎn)商，和移動(dòng)設備制造商供應0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續擴大低功耗DRAM的市場(chǎng)。三星表示，未來(lái)hiatus計劃開(kāi)發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來(lái)設備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。
   
美光量產(chǎn)第九代NAND閃存，瞄準數據中心等需求

7月31日，美光宣布量產(chǎn)其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品已開(kāi)始出貨，成為業(yè)界首家實(shí)現這一里程碑的廠(chǎng)商之一。適用于個(gè)人設備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數據中心。

據介紹，G9 NAND數據傳輸速率比當前SSD中的NAND技術(shù)要快50%。同時(shí)，與市場(chǎng)上現有的同類(lèi)NAND解決方案相比，美光G9 NAND的每顆芯片寫(xiě)入帶寬和讀取帶寬分別高出99%和88%。

圖片來(lái)源：美光

封裝方面，與前一代NAND產(chǎn)品相同，美光G9 NAND采用11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝，比同類(lèi)產(chǎn)品節省28%的空間。

據悉，采用了G9 NAND技術(shù)的美光2650 NVMe SSD理論性能水平接近PCIe 4.0，突破了高性?xún)r(jià)比TLC客戶(hù)端SSD的性能極限。連續讀取速率高達7000 MB/s。

與同類(lèi)競品相比，美光2650 NVMe SSD表現出色，連續讀取性能提升高達70%，連續寫(xiě)入性能提升高達103%，隨機讀取性能提升高達156%，隨機寫(xiě)入性能提升高達85%。

而在此之前，7月底，美光還宣布推出全新的數據中心SSD產(chǎn)品9550 NVMe SSD。其順序讀取速率和順序寫(xiě)入速率分別為14.0 GB/s和10.0 GB/s。

圖片來(lái)源：美光

美光表示，與業(yè)界同類(lèi)SSD相比，其性能提升高達67%。此外，其隨機讀取速率達到3,300 KIOPS，比競品提升高達35%，隨機寫(xiě)入速率達到400 KIOPS，比競品提升高達33%。

存儲產(chǎn)業(yè)復蘇信號強勁

眾所周知，SK海力士、三星、美光和鎧俠是全球知名的存儲廠(chǎng)商，四家廠(chǎng)商在NAND Flash領(lǐng)域的市場(chǎng)份額合計達83%，而前三家廠(chǎng)商在DRAM領(lǐng)域的市占合計逾90%。

全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)此前的研報顯示，今年第一季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收較前一季度成長(cháng)5.1%，達183.5億美元；NAND Flash產(chǎn)業(yè)也因市場(chǎng)量?jì)r(jià)齊揚，營(yíng)收季增28.1%，達147.1億美元。

在市場(chǎng)需求提升，供需結構拉升價(jià)格，加上HBM等高附加值產(chǎn)品快速崛起的利好形式下，當前全球DRAM及NAND Flash存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可謂是一片利好。

而根據集邦咨詢(xún)的最新調研，2024年DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收有望分別達增加907億美元和674億美元，分別同比增長(cháng)75%和77%。

集邦咨詢(xún)同時(shí)預測，2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續維持成長(cháng)，并創(chuàng )歷史新高。其中，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將來(lái)到1,365億美元、年增51%，NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收也將來(lái)到870億美元、年增29%。