瑞能半導體攜新一代高性能、高密度電源技術(shù)亮相 PCIM Europe 2024

可再生能源和電動(dòng)汽車(chē)應用產(chǎn)品組合廣獲好評

2024年6月12日,德國紐倫堡 — 當地時(shí)間6月11日至13日,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導體(以下可簡(jiǎn)稱(chēng)為:瑞能),參加全球電力電子行業(yè)最負盛名的展覽會(huì )之一的德國紐倫堡電力電子系統及元器件展覽會(huì ) (PCIM Europe),展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù),以及諸如1200V 碳化硅功率模塊、650V /1200V SiC MOSFET、快恢復二極管、可控硅整流器、IGBT 和其他可應用于工業(yè),汽車(chē),消費電子等領(lǐng)域的先進(jìn)功率器件。

PCIM Europe 成立于 1979 年,是全球最大的功率半導體展會(huì ),也是展示電力電子技術(shù)和應用最新進(jìn)展的重要平臺。今年,瑞能以“Power Efficiency for a Cooler Planet”為主題,特別是展出的以可再生能源與電動(dòng)汽車(chē)為重點(diǎn)應用場(chǎng)景的主推產(chǎn)品組合,受到了行業(yè)伙伴和現場(chǎng)觀(guān)眾的高度關(guān)注和認可。

瑞能半導體CEO Markus Mosen先生表示,“五十余年的技術(shù)沉淀和積累,以及在技術(shù)和應用平臺上的不斷創(chuàng )新投入,瑞能半導體始終致力于研發(fā)可靠高效的電源控制技術(shù),以支持高額定電壓和高效、高性能的應用運行。在PCIM Europe 2024,瑞能半導體會(huì )全方位展示當前重點(diǎn)聚焦的工業(yè)、汽車(chē)電子、可再生能源、大數據、消費電子等領(lǐng)域的研發(fā)成果,尤其是針對太陽(yáng)能和風(fēng)能存儲、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電樁, 逆變器、大數據服務(wù)器等要求嚴苛的應用提供了不同的解決方案。在全球經(jīng)濟可持續發(fā)展大背景下,期待和廣大朋友共話(huà)功率器件的高質(zhì)量發(fā)展之路,同筑低碳未來(lái)?！?/span>

瑞能半導體不斷深耕專(zhuān)業(yè)技術(shù),用產(chǎn)品詮釋對創(chuàng )新的理解。在今年的PCIM Europe上,瑞能展臺涵蓋了如下亮點(diǎn):

● 全新系列的 SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二極管 (SBD)

采用 TSPAK 封裝的,適用于電動(dòng)汽車(chē)充電、車(chē)載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度 PSU 應用。新型 MOSFET 有 650V、750V、1200V 和 1700V 四種型號,電阻范圍從 20mΩ 到 150mΩ。新型 SiC SBD 的電流范圍為 10 至 40A(650V、750V 和 1200V)。

● 全新SiC 功率模塊

半橋、四組、六組、雙增壓和 NPC 3L 拓撲的 SiC 功率模塊,主要針對于電動(dòng)汽車(chē)充電、儲能系統、電機驅動(dòng)器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。

● 全新 1700V SiC 技術(shù)和汽車(chē)級 1200V / 750V 車(chē)規SiC MOSFET

提供多種封裝選項和產(chǎn)品配置,包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻,實(shí)現可再生能源和電動(dòng)汽車(chē)的高功率、高密度設計,是高效率功率電源方案的最佳選擇。

● 高可靠性晶閘管/二極管模塊

專(zhuān)為主流應用而設計,適用于 UPS、逆變器、軟啟動(dòng)器等工業(yè)應用,V_DRM 最高可達 1600V,I_T(有效值)最高可達 250A。得益于其平面芯片技術(shù)和先進(jìn)的模塊制造能力,這些模塊可采用半橋、并聯(lián)、反并聯(lián)或其他定制拓撲結構,并通過(guò)了 JEDEC 標準下的 1000 小時(shí)可靠性測試以及 100% 無(wú)鉛測試,符合最高級別的歐盟 RoHS 標準。

● MOSFET 系列產(chǎn)品

產(chǎn)品覆蓋擊穿電壓范圍為 600V、650V 和 800V 的超級結 MOSFET。采用 8 英寸晶圓技術(shù)的 20V 至 30V MOSFET 系列產(chǎn)品,性能優(yōu)于傳統的平面 MOSFET。

● 功率二極管系列產(chǎn)品

產(chǎn)品陣容涵蓋低 V_F 產(chǎn)品陣容的額定電壓為 45V 至 2000V,額定電流為 1A 至 100A。產(chǎn)品組合包括低 V_F 肖特基整流器、標準二極管和超快恢復整流器。

● 新一代IGBT 產(chǎn)品

IGBT 系列產(chǎn)品具有極低的漏電流,在高溫和低溫結溫條件下均具有出色的傳導和開(kāi)關(guān)特性。它們已通過(guò)高壓 H3TRB 和 100% 偏壓 HTRB 測試,最高結溫可安全達到 175°C。這些針對特定應用的 IGBT 經(jīng)過(guò)了調整,以滿(mǎn)足各種應用的精確需求,包括開(kāi)關(guān)行為、傳導損耗、短路能力、環(huán)境耐用性和續流二極管特性。1200V 和 650V 變流產(chǎn)品包括裸芯片、分立元件和 PIM,可提供給各種終端客戶(hù)。

隨著(zhù)時(shí)間的推移,推動(dòng)創(chuàng )新、打磨產(chǎn)品并贏(yíng)得競爭優(yōu)勢。作為一家功率半導體廠(chǎng)商,瑞能半導體在體系構建,產(chǎn)品認證,功率模塊開(kāi)發(fā)與制造等各個(gè)領(lǐng)域,已經(jīng)做了充足的積累和準備,去擁抱充滿(mǎn)不確定性的行業(yè)變化的浪潮。

當下,瑞能半導體已將業(yè)務(wù)重點(diǎn)聚焦在工業(yè)和汽車(chē)電子,這兩個(gè)功率半導體最大的應用市場(chǎng)。受益于全球“碳中和”政策,混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源未來(lái)五年復合年增長(cháng)率超過(guò)20%,這可視為是功率半導體市場(chǎng)增長(cháng)的重要引擎。

Markus Mosen先生強調,“瑞能在打造低碳未來(lái)的進(jìn)程中,會(huì )扮演好兩個(gè)角色:一是自身生產(chǎn)運營(yíng)中的降碳;另一個(gè)則更為重要,就是用自己的產(chǎn)品去助力其他企業(yè)、行業(yè)實(shí)現節能降碳,例如會(huì )采用效率更高的功率半導體或智能化模塊,來(lái)改善轉換效率帶來(lái)的功率損失?！?/p>

近期,瑞能車(chē)規推出車(chē)規級碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,以及基于最新技術(shù)平臺開(kāi)發(fā)的碳化硅二極管,硅MOSFET,不同封裝的功率模塊基于自身的功率模塊廠(chǎng)的布局也會(huì )陸續推出。

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關(guān)于瑞能半導體

瑞能半導體專(zhuān)注于功率半導體領(lǐng)域,傳承逾50年的核心技術(shù),全球銷(xiāo)售點(diǎn)遍布大中華區、歐洲、亞太及美洲,產(chǎn)品應用覆蓋智能家電,電動(dòng)汽車(chē),通訊工業(yè)等行業(yè),為客戶(hù)在各自細分行業(yè)提供可靠專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持。瑞能半導體掌握獨立的功率半導體技術(shù),憑借優(yōu)異的品質(zhì)和性能,其產(chǎn)品已被全球眾多知名企業(yè)驗證并使用。