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高壓cmos
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X-FAB增強其180納米車(chē)規級高壓CMOS代工解決方案
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺,增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA,提高運行穩健性。與上一代平臺相比,此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%,為某些關(guān)鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案,基于低掩模數5V單柵極核心模塊,支持-40°C
- 關(guān)鍵字: X-FAB 180納米 高壓CMOS 代工
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高壓cmos介紹
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