一種使用2D材料進(jìn)行3D集成的新方法

美國賓夕法尼亞州立大學(xué)的研究人員展示了一種使用 2D 材料進(jìn)行 3D 集成的新穎方法。他們在最近的研究中詳細介紹了這一進(jìn)步，解決了將更多晶體管集成到越來(lái)越小的區域中所面臨的日益嚴峻的挑戰，這是半導體行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，因為器件的尺寸不斷縮小，同時(shí)需要增強的功能。

根據摩爾定律，芯片上的晶體管數量每?jì)赡昃蜁?huì )增加一倍，保證處理能力的提高，但也有限制。

當今最強大的處理器在一個(gè)縮略圖大小的區域內擁有大約 500 億個(gè)晶體管，在這個(gè)狹小的區域安裝更多晶體管的工作變得越來(lái)越困難。

該研究的共同通訊作者、工程科學(xué)與力學(xué)副教授 Saptarshi Das 及其同事在 2023 年 1 月 10 日發(fā)表在科學(xué)雜志《自然》上的一項研究中提出了一種解決方案：將 3D 集成與 2D 材料技術(shù)融合。

在半導體行業(yè)中，3D 集成是指多層半導體元件的垂直堆疊。這種方法不僅可以更輕松地將更多硅基晶體管集成到芯片上，還可以使用二維材料制成的晶體管在不同層中整合不同的功能堆棧，這被稱(chēng)為「超越摩爾」。

通過(guò)研究，Saptarshi 和團隊表明，除了擴展現有技術(shù)之外，還有通過(guò)單片 3D 集成實(shí)現「更多摩爾」和「超越摩爾」的實(shí)用方法。研究人員使用單片 3D 集成，直接在彼此之上構建器件，而不是像過(guò)去那樣堆疊單獨制造的層。

賓夕法尼亞州立大學(xué)研究合著(zhù)者兼研究生研究助理 Najam Sakib 表示，單片 3D 集成提供最高密度的垂直連接，因為它不依賴(lài)于兩個(gè)預先圖案化芯片的粘合（這需要將兩個(gè)芯片粘合在一起的微凸塊），因此有更多的空間來(lái)進(jìn)行連接。

然而，工程科學(xué)和力學(xué)研究生助理、該研究的共同通訊作者 Darsith Jayachandran 指出，單片 3D 集成存在重大問(wèn)題，因為傳統的硅元件會(huì )在加工溫度下熔化。Jayachandran 表示，其中一項挑戰是硅基芯片后端集成的工藝溫度上限為 450 攝氏度，我們的單片 3D 集成方法將溫度降至 200 攝氏度以下。不兼容的工藝溫度預算使單片 3D 集成面臨挑戰，但 2D 材料可以承受該工藝所需的溫度。

該團隊是第一個(gè)通過(guò)使用過(guò)渡金屬二硫屬化物（一種 2D 半導體）創(chuàng )建 2D 晶體管來(lái)實(shí)現如此規模的單片 3D 集成的人。

賓夕法尼亞州立大學(xué)研究生研究助理 Muhtasim Ul Karim Sadaf 表示，它為我們的電子設備添加了新的有用功能，例如更好的傳感器、改進(jìn)的電池管理或其它特殊功能，使我們的工具更加智能和多功能。

3D 集成垂直堆疊器件的能力也使更節能的計算成為可能，這解決了芯片上晶體管等微小組件的一個(gè)問(wèn)題：距離。

賓夕法尼亞州立大學(xué)研究通訊作者和研究生研究助理 Rahul Pendurthi 表示，通過(guò)將器件垂直堆疊在一起，可以縮短它們之間的距離，從而減少延遲和功耗。

研究人員還通過(guò)利用二維材料構建的晶體管滿(mǎn)足了「超越摩爾」的要求。

二維材料的特殊光學(xué)和電學(xué)特性（例如光敏感性）使其非常適合用作傳感器。研究人員聲稱(chēng)，鑒于邊緣設備和鏈接設備的數量不斷增加，例如無(wú)線(xiàn)家庭天氣傳感器和在網(wǎng)絡(luò )邊緣收集數據的手機，這很有幫助。

該研究的合著(zhù)者、工程科學(xué)與力學(xué)研究生助理 Muhtasim Ul Karim Sadaf 表示：我們不僅要讓芯片變得更小、更快，還要讓芯片具有更多功能。

研究人員指出，使用 2D 材料進(jìn)行 3D 集成還有更多好處。卓越的載流子遷移率是半導體材料的特性之一，它描述了電荷的傳輸方式。另一個(gè)是非常薄，這使得研究人員能夠為 3D 集成的每一層添加更多的計算能力和更多的晶體管。

該研究展示了大規模的 3D 集成，這與使用小規模原型的典型學(xué)術(shù)研究形成鮮明對比。Das 聲稱(chēng)，這一成就縮小了學(xué)術(shù)界和企業(yè)之間的差距，并可以為企業(yè)利用賓夕法尼亞州立大學(xué)在二維材料方面的資源和經(jīng)驗進(jìn)行更多合作開(kāi)辟了道路。

賓夕法尼亞州立大學(xué)二維晶體聯(lián)盟 (2DCC-MIP)、國家用戶(hù)設施和美國國家科學(xué)基金會(huì ) (NSF) 材料創(chuàng )新平臺的科學(xué)家們生產(chǎn)的高質(zhì)量、晶圓級過(guò)渡金二硫化物的可用性，使得該研究成果實(shí)現規模擴產(chǎn)成為可能。

NSF 材料創(chuàng )新平臺項目總監 Charles Ying 補充道：「這一突破再次證明了材料研究作為半導體行業(yè)基礎的重要作用。賓夕法尼亞州立大學(xué)二維晶體聯(lián)盟多年來(lái)為提高 2D 材料的質(zhì)量和尺寸所做的努力，使得實(shí)現半導體的 3D 集成成為可能，可以為電子產(chǎn)品帶來(lái)變革?！?/p>

Das 認為，這只是技術(shù)進(jìn)步的開(kāi)始。

他指出：「我們能夠在晶圓級展示大量器件，這表明我們已經(jīng)能夠將這項研究轉化為半導體行業(yè)能夠認可的規模。我們在每一層放置了 30,000 個(gè)晶體管，這可能是一個(gè)創(chuàng )紀錄的數字。這使得賓夕法尼亞州立大學(xué)可以領(lǐng)導一些工作并與美國半導體行業(yè)合作推進(jìn)這項研究?！?/p>

除了 Das、Jayachandran、Pendurthi、Sadaf 和 Sakib 之外，其他作者還包括工程科學(xué)與力學(xué)博士生 Andrew Pannone；陳晨，2DCC-MIP 助理研究教授；韓穎，機械工程博士后研究員；Nicholas Trainor，材料科學(xué)與工程博士生；Shalini Kumari，博士后學(xué)者；Thomas McKnight，材料科學(xué)與工程博士生；Joan Redwing，2DCC-MIP 主任、材料科學(xué)與工程和電氣工程杰出教授；楊陽(yáng)，工程科學(xué)與力學(xué)助理教授。