高通重申與臺積電在 Snapdragon 芯片方面的合作伙伴關(guān)系
根據戰略決策,高通(納斯達克股票代碼:QCOM)選擇維持與臺積電(TSMC)的合作伙伴關(guān)系,生產(chǎn)即將推出的旗艦產(chǎn)品 Snapdragon 8 Gen 4 處理器。 盡管三星 (KS:005930) Foundry 在環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術(shù)方面取得了早期進(jìn)展,但此舉表明高通對臺積電 N3E 技術(shù)和良好記錄的偏愛(ài)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202311/453266.htm臺積電正在提升產(chǎn)能,目標是到今年年底月產(chǎn)量達到6萬(wàn)至7萬(wàn)片晶圓,明年的目標是突破10萬(wàn)片晶圓。 每片晶圓的售價(jià)為 20,000 美元,反映出利用先進(jìn)半導體技術(shù)的高昂成本。 盡管存在這些成本,高通仍看重臺積電 FinFET 架構的效率和良率。
相比之下,三星代工廠(chǎng)的半導體產(chǎn)品面臨功率和效率方面的挑戰。 然而,該公司并非沒(méi)有前景。 它可能會(huì )獲得谷歌(納斯達克股票代碼:GOOGL)基于老一代節點(diǎn)的 Tensor G4 芯片的訂單,并正在使用第二代基于 GAA 的技術(shù)為未來(lái)的 Galaxy 手機開(kāi)發(fā)專(zhuān)有處理器。
與此同時(shí),臺積電繼續吸引半導體行業(yè)的大客戶(hù)。 蘋(píng)果(納斯達克股票代碼:AAPL)在 iPhone 15 Pro 系列中的 A17 Pro 芯片上采用了臺積電最初的 N3B 技術(shù),盡管在每片晶圓成本相似的情況下,其良率略高于 50%。 預計到明年,僅此部分就將貢獻臺積電收入的百分之十。
三星代工廠(chǎng)也沒(méi)有固步自封。 該公司的目標是到 2030 年通過(guò)其節能 GAA 晶體管獲得重要的合作伙伴關(guān)系。 盡管目前缺乏主要合作伙伴關(guān)系,但有傳言稱(chēng)其可能與 AMD(納斯達克股票代碼:AMD)和高通在先進(jìn)工藝方面進(jìn)行合作。 此外,三星系統 LSI 正朝著(zhù)明年發(fā)布其 Exynos Dream 芯片(Exynos 2500)邁進(jìn),這可能標志著(zhù)其內部處理器開(kāi)發(fā)向前邁出了重要一步。
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