存儲芯片的「寒冬期」即將過(guò)去

全球的半導體存儲芯片銷(xiāo)售已經(jīng)走出最糟糕的時(shí)期。韓國三星電子等大型制造商的減產(chǎn)使得過(guò)剩情況緩解，同時(shí)給行情的下跌踩下剎車(chē)。雖然庫存水平仍然較高，制造商提出進(jìn)一步減產(chǎn)，但也出現了增強產(chǎn)能的動(dòng)向，供需能否趨于平衡仍不明朗。

在個(gè)人電腦（PC）和智能手機中用于數據臨時(shí)存儲的半導體存儲芯片 DRAM 的價(jià)格已經(jīng)止跌。從存儲芯片制造商和設備制造商的 8 月份參考交易價(jià)格來(lái)看，作為指標的 8GB DDR4 為每塊 1.48 美元左右，已連續 4 個(gè)月維持不變。

如此看來(lái)芯片過(guò)剩已經(jīng)得到緩解，2022 年秋季以后，韓國 SK 海力士、三星等大型企業(yè)推進(jìn)的產(chǎn)能壓縮策略效果已經(jīng)顯現。

日本三井住友信托銀行的主任山上隼人以三星、SK 海力士、美國美光科技和美國西部數據的存貨等為基礎，計算了平均的庫存周轉天數。顯示庫存可在多少天內消化，由此可以得知銷(xiāo)售效率。2023 年 4~6 月的 4 家企業(yè)的平均庫存周轉天數為 151 天，比屬于最近峰值的 2022 年 10~12 月縮短了 4%。

4 家企業(yè)的平均庫存周轉天數在 2021~2022 年激增。原因是新冠疫情下的居家辦公需求告一段落，個(gè)人電腦和智能手機等使用存儲芯片的產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(cháng)乏力。2022 年 10~12 月達到 158 天，達到過(guò)去 10 年中最長(cháng)。

價(jià)格此前也不斷下跌，8GB DDR4 自 2022 年春季開(kāi)始，一年內下降了 45%。由于行情低迷，各存儲芯片制造商的業(yè)績(jì)惡化。為了實(shí)現供需平衡的正?；?，各大企業(yè)從 2022 年秋季開(kāi)始啟動(dòng)減產(chǎn)和壓縮庫存。

目前的存儲器銷(xiāo)售情況正在恢復。美國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )（SIA）的統計顯示，2023 年 4~6 月全球半導體銷(xiāo)售額比上一季度增長(cháng) 4.7%。在以 ChatGPT 為代表的生成式 AI（人工智能）熱潮中，面向 AI 的芯片表現強勁。

美國調查公司 Gartner 預測，2023 年 AI 芯片市場(chǎng)將同比增長(cháng) 20.9%。再加上銷(xiāo)售的改善，市場(chǎng)上出現了 DRAM 價(jià)格或許已不會(huì )進(jìn)一步下跌的聲音。

不過(guò)，庫存周轉天數依然很長(cháng)。設備制造商也有聲音表示「仍在抑制采購」，供應過(guò)剩的狀況并未消除。三星和 SK 海力士也表示將進(jìn)一步減產(chǎn)。

山上隼人分析稱(chēng)，半導體存儲芯片有望實(shí)現長(cháng)期增長(cháng)，存在增強產(chǎn)能的趨勢。雖然目前行情出現改善，但供需平衡容易惡化的環(huán)境仍將持續下去。

三星近期與客戶(hù)（包括小米、OPPO 及谷歌）簽署了內存芯片供應協(xié)議，DRAM 和 NAND 閃存芯片價(jià)格較現有合同價(jià)格上調 10%-20％。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場(chǎng)或將供不應求。手機廠(chǎng)商為何接受漲價(jià)？知情人士稱(chēng)，這些廠(chǎng)商預計智能手機銷(xiāo)量有望增加，特別是在海外市場(chǎng)。

與此同時(shí)，三星還計劃以更高價(jià)格，向自家生產(chǎn) Galaxy 系列手機的移動(dòng)業(yè)務(wù)部門(mén)供應存儲芯片，以此反應移動(dòng)芯片價(jià)格上漲的趨勢。

另?yè)_媒報道，三星、鎧俠及 SK 海力士等上游 NAND Flash 原廠(chǎng)已開(kāi)始拉高晶圓合約價(jià)。由于中間通路及下游系統模組廠(chǎng)手中庫存低于正常季節水準，引發(fā)終端搶貨，消費性 SSD、存儲卡，手機相關(guān)零組件如 eMMC、eMCP 價(jià)格全面走揚。供應鏈表示，目前平均漲幅約在個(gè)位數左右，由于部分存儲產(chǎn)品庫存水位相對較低，因此四季度漲幅有望上看雙位數。

天風(fēng)國際分析師郭明錤表示，美光科技亦自 9 月開(kāi)始調漲 NAND Flash 晶圓合約價(jià)約 10%，有助于改善美光 2H23 獲利。DRAM 方面，美光可望最快自 4Q23/1Q24 開(kāi)始受益于三個(gè)趨勢，包括英特爾新平臺 MeteorLake 加速 DDR5 滲透率成長(cháng)、AI 服務(wù)器強勁需求推升 HBM 出貨，以及品牌與處理器廠(chǎng)在裝置上推廣 LLM 有利 DDR/LPDDR 規格升級。

TrendForce 在 9 月 11 日發(fā)布研報稱(chēng)，NAND Flash 晶圓合約價(jià)已在 8 月反彈，且隨著(zhù)原廠(chǎng)減產(chǎn)幅度擴大，客戶(hù)備貨力度有望回升，有效支撐 9 月 NAND Flash 晶圓合約價(jià)持續上漲。不過(guò)該機構預計，今年需求量上壓縮仍然嚴重，例如通用型服務(wù)器出貨量被 AI 服務(wù)器排擠，所以第三季度 NAND flash 均價(jià)仍將持續下跌，到第四季度有望持平或按照 0% 至 5% 的幅度上漲。

DRAM 復蘇腳步較 NAND 稍有落后，仍在尋求筑底。TrendForce 稱(chēng)，受惠于行業(yè)供應商陸續啟動(dòng)減產(chǎn)，整體 DRAM 供給量逐季減少，加上季節性需求支撐，預期第三季 DRAM 均價(jià)跌幅將會(huì )收斂至 5% 以下。不過(guò)，由于全年庫存仍處于高水位，今年 DRAM 價(jià)格壓力仍然存在，實(shí)際止跌反彈的時(shí)間可能要等到 2024 年。

據世界半導體貿易統計組織 (WSTS) 的最新數據，預計全球存儲器芯片在 2023 年的市場(chǎng)規模約為 840 億美元，占全球芯片市場(chǎng)規模的比例為 20.36%。不過(guò)，WSTS 同時(shí)指出，存儲器芯片市場(chǎng)規模在 2023 年或按年下降 35.20%，到 2024 年恢復至 1203 億美元、按年增加 43.20%。