富士康退出印度半導體制造項目

昨天，富士康表示，該集團已退出與印度石油集團 Vedanta（韋丹塔）價(jià)值 195 億美元的半導體合資企業(yè)。

這家全球最大的合同電子產(chǎn)品制造商去年與韋丹塔簽署了一項協(xié)議，在印度總理納倫德拉·莫迪（Narendra Modi）的家鄉古吉拉特邦建立半導體和顯示器生產(chǎn)工廠(chǎng)。

「富士康已確定不會(huì )推進(jìn)與 Vedanta 的合資企業(yè)，」富士康的一份聲明表示，但沒(méi)有詳細說(shuō)明原因。該公司表示，它已經(jīng)與 Vedanta 合作了一年多，將「一個(gè)偉大的半導體想法變?yōu)楝F實(shí)」，但他們共同決定終止合資企業(yè)，并將從現在由 Vedanta 完全擁有的實(shí)體中刪除其名稱(chēng)。

Vedanta 表示，它完全致力于其半導體項目，并「與其它合作伙伴一起建立印度第一家晶圓代工廠(chǎng)，韋丹塔已經(jīng)加倍努力，以實(shí)現莫迪的愿景」，它在一份聲明中補充說(shuō)。

一位熟悉此事的消息人士表示，對印度政府激勵批準延遲的擔憂(yōu)導致富士康決定退出該合資企業(yè)。消息人士補充說(shuō)，新德里還對要求政府提供激勵措施的成本估算提出了幾個(gè)問(wèn)題。

莫迪已將芯片制造作為印度經(jīng)濟戰略的重中之重，以追求電子制造業(yè)的「新時(shí)代」，富士康的舉動(dòng)代表了對他首次吸引外國投資者在當地制造芯片的雄心的打擊。

「這筆交易失敗絕對是'印度制造'的挫折，」Counterpoint 研究副總裁 Neil Shah 表示。

印度電子和信息技術(shù)國務(wù)部長(cháng) Rajeev Chandrasekhar 表示，富士康的決定對印度的計劃「沒(méi)有影響」，并補充說(shuō)兩家公司都是該國的「重要投資者」。他說(shuō)，政府不應該「了解為什么或如何選擇兩家私營(yíng)公司選擇合作或不合作」。

重要的一步

富士康主要組裝 iPhone 和其它蘋(píng)果產(chǎn)品，但近年來(lái)它一直在擴展芯片制造業(yè)務(wù)，以實(shí)現多元化經(jīng)營(yíng)。

世界上大部分芯片產(chǎn)量?jì)H限于少數幾個(gè)地區，例如中國臺灣，印度是后來(lái)者。Vedanta-Foxconn 合資企業(yè)去年 9 月在古吉拉特邦宣布了其芯片制造計劃，莫迪稱(chēng)該項目是推動(dòng)印度芯片制造野心的「重要一步」。但他的計劃進(jìn)展緩慢。Vedanta-Foxconn 項目遇到的其它問(wèn)題包括涉及歐洲芯片制造商意法半導體（STMicroelectronics）的談判陷入僵局。

雖然 Vedanta-Foxconn 設法讓 STMicro 加入技術(shù)許可，但印度政府明確表示希望這家歐洲公司能在該合作項目中扮演重要角色，例如在合作伙伴關(guān)系中擁有股份。一位消息人士稱(chēng)，STMicro 對此并不熱衷，談判仍處于不確定狀態(tài)。

印度政府表示，它仍然有信心吸引投資者進(jìn)行芯片制造。美光上個(gè)月表示，它將在印度芯片測試和封裝部門(mén)投資高達 8.25 億美元。在印度聯(lián)邦政府和古吉拉特邦的支持下，總投資將達到 27.5 億美元。

印度預計到 2026 年其半導體市場(chǎng)價(jià)值將達到 630 億美元，去年收到了三份基于 100 億美元激勵計劃建立工廠(chǎng)的申請。

Vedanta-Foxconn 合資企業(yè)，成員還包括總部位于新加坡的 IGSS Ventures 和全球財團 ISMC 公司，后者將 Tower Semiconductor 視為技術(shù)合作伙伴。

由于 Tower 被英特爾收購，耗資 3 億美元的 ISMC 項目也停滯不前，而 IGSS 的另一個(gè) 3 億美元計劃也因希望重新提交申請而停止。

印度已重新邀請公司申請激勵計劃。

鴻海另尋伙伴攻印度半導體？

據悉，鴻海集團（富士康母公司）并未放棄在印度布局半導體事業(yè)，正在當地另尋新伙伴投入。

鴻海強調，將繼續大力支持印度政府「印度制造」愿景，在當地建立更多元且符合利益關(guān)系人需求的合作伙伴關(guān)系，對于印度半導體發(fā)展方向依舊充滿(mǎn)信心。業(yè)界人士透露，這代表鴻海仍持續布局印度半導體事業(yè)，且已接觸當地新潛在合作伙伴。

印度發(fā)展半導體制造的困境

印度政府意識到，在半導體芯片等關(guān)鍵領(lǐng)域完全依賴(lài)全球供應鏈并不可靠。財政支持力度有限、制造業(yè)能力不足等，將嚴重制約該國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

印度政府擬投資 7600 億盧比（1 盧比約合 0.08 元人民幣）打造一項生產(chǎn)激勵計劃，該計劃將為半導體、顯示器制造及設計業(yè)提供具有「全球競爭力」的激勵方案，開(kāi)創(chuàng )印度電子制造業(yè)的「新時(shí)代」。

上述半導體產(chǎn)業(yè)激勵計劃希望能在未來(lái) 3～5 年內確保印度國內所需芯片不會(huì )突然短缺，避免因短缺問(wèn)題引發(fā)電子產(chǎn)品、汽車(chē)和高科技產(chǎn)品各個(gè)領(lǐng)域的芯片價(jià)格大幅上漲。印度政府在一份聲明中說(shuō)，根據該計劃，印度政府將向符合資質(zhì)的顯示器和半導體制造商提供高達項目成本 50% 的財政支持。

印度信息產(chǎn)業(yè)部門(mén)高級官員透露，該計劃將推動(dòng)建立一個(gè)完整的半導體生態(tài)系統，包括設計、制造、包裝和測試等環(huán)節。除了能幫助印度減少進(jìn)口依賴(lài)外，該計劃還將創(chuàng )造大量就業(yè)機會(huì )并帶來(lái)大量投資——預計將直接創(chuàng )造 3.5 萬(wàn)個(gè)就業(yè)機會(huì )和 10 萬(wàn)個(gè)間接就業(yè)機會(huì )，并很可能吸納高達 1.7 萬(wàn)億盧比的外部投資。

半導體產(chǎn)業(yè)激勵計劃向外界公布后，有印度業(yè)內人士專(zhuān)門(mén)刊文指出該國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)面臨的主要難點(diǎn)。

首先，發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)對投資要求很高，但印度政府當前的財政支持不足。

半導體和顯示器制造屬于一個(gè)非常復雜和技術(shù)密集型的行業(yè)，涉及巨大的資本投資，并且具有高風(fēng)險、回報周期長(cháng)以及技術(shù)迭代快等特點(diǎn)，這就需要大量和持續的投資作為基礎?？紤]到在半導體產(chǎn)業(yè)的各個(gè)子部門(mén)建立制造能力通常需要的投資規模，目前公布的財政支持水平可以說(shuō)微乎其微。在當前印度政府財力有限的情況下，獲得半導體龍頭企業(yè)的外部資金支持，將是該計劃成功的關(guān)鍵，但能否獲得這一支持有待觀(guān)察。

其次，印度當前缺乏制造能力。

印度有相當不錯的芯片設計人才，但從未建立起相應的芯片制造能力。據了解，印度空間研究組織和印度國防研究與發(fā)展組織目前都建有各自的晶圓廠(chǎng)，但它們的產(chǎn)能僅為滿(mǎn)足自身需求，同時(shí)也未能達到滿(mǎn)足半導體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的復雜工藝水平。

第三，印度其它技術(shù)儲備不足。

按照上述激勵計劃，印度政府將給予半導體制造企業(yè)資金支持，但對該產(chǎn)業(yè)所需的其它配套部門(mén)，如封裝、測試設施和芯片設計中心等并未明確資金支持。此外，印度國內半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)人才儲備嚴重不足，而培養相關(guān)人才的周期就已限制了該計劃在未來(lái) 3 至 5 年取得成功的可能。

第四，印度資源效能不足、基礎設施建設落后。

半導體產(chǎn)業(yè)對水資源需求量大，同時(shí)需要極其穩定的電力供應，以及大量的土地和高技能勞動(dòng)力。印度《商業(yè)標準報》分析認為，穩定可靠的電力供應是半導體生產(chǎn)的關(guān)鍵要素，因為加工過(guò)程非常精細，極短時(shí)間的停電或者電壓不穩都能導致停工，但印度在供電方面問(wèn)題百出。其他方面，包括充足的水供應、交通基礎設施以及成熟的工人等也難以保證。有分析稱(chēng)，印度有大量的芯片設計從業(yè)人員，但程序工程師非常短缺且不善于運營(yíng)芯片工廠(chǎng)。