恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)

●   全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無(wú)線(xiàn)單元，部署5G基站更快、更輕松

●   簡(jiǎn)化設計和制造，同時(shí)保證性能 

荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng )新封裝技術(shù)有助于為5G基礎設施打造更輕薄的無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟性，同時(shí)能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片模塊系列與全新的射頻功率器件頂部冷卻解決方案相結合，不僅有助于將無(wú)線(xiàn)電產(chǎn)品的厚度和重量減少20%以上，而且還可以減少5G基站制造和部署的碳足跡。 

恩智浦副總裁兼射頻功率業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Pierre Piel表示：“頂部冷卻技術(shù)為無(wú)線(xiàn)基礎設施行業(yè)帶來(lái)了重大機遇，借助該技術(shù)，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結合，打造出尺寸更小的射頻子系統?；谶@一創(chuàng )新技術(shù)的解決方案，讓我們既可以部署更環(huán)保的基站，同時(shí)又能保證實(shí)現5G全部性能優(yōu)勢所需的網(wǎng)絡(luò )密度?！?nbsp;

恩智浦新推出的頂部冷卻式器件具有顯著(zhù)的設計和制造優(yōu)勢，如無(wú)需專(zhuān)用射頻屏蔽、可以使用高性?xún)r(jià)比的精簡(jiǎn)印刷電路板，以及分離熱管理與射頻設計。這些特性有助于網(wǎng)絡(luò )解決方案提供商為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商打造更輕薄的5G無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品，同時(shí)縮短產(chǎn)品的整體設計周期。 

恩智浦首個(gè)頂部冷卻式射頻功率模塊系列專(zhuān)為32T32R、200W射頻而設計，覆蓋3.3GHz至3.8GHz的頻率范圍。這款器件結合使用了恩智浦專(zhuān)有的LDMOS和GaN半導體技術(shù)，兼具高增益、高效率和寬帶性能，能夠在400MHz瞬時(shí)帶寬下提供31 dB的增益和46%的效率。 

A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。恩智浦RapidRF參考板系列將為A5M36TG140-TC提供支持。