蘋(píng)果與博通合作/英特爾披露AI芯片規劃

近日，蘋(píng)果、博通、英特爾、三星、臺積電、Rapidus傳來(lái)最新動(dòng)態(tài)。例如蘋(píng)果與博通達成價(jià)值數十億美元的新協(xié)議，加碼研發(fā)5G射頻組件；英特爾披露了其AI芯片大戰前景規劃；三星將于6月揭曉升級版3納米和4納米芯片制程；臺積電再發(fā)200億元新臺幣公司債擬擴建廠(chǎng)房設備；日本Rapidus目標2025年4月試產(chǎn)2納米芯片。

蘋(píng)果與博通達成價(jià)值數十億美元的新協(xié)議

5月23日，蘋(píng)果宣布與博通公司（蘋(píng)果長(cháng)期供應商合作伙伴之一）建立新的重要合作伙伴關(guān)系。蘋(píng)果公司稱(chēng)這是一項“數十億美元的交易”，博通將在美國開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)一些關(guān)鍵的5G射頻組件。

圖片來(lái)源：蘋(píng)果官方公告截圖

根據這項合作協(xié)議，博通將在美國開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)一系列關(guān)鍵的5G射頻組件，包括FBAR濾波器和尖端的無(wú)線(xiàn)連接組件。FBAR濾波器將在包括科羅拉多州福特科林斯市在內的幾個(gè)美國制造和技術(shù)中心設計和制造，據稱(chēng)，博通在那里擁有一個(gè)重要的設施。

蘋(píng)果公司表示，該公司已經(jīng)幫助支持了博通在科羅拉多州福特科林斯市的FBAR濾波器制造設施的1100多個(gè)工作崗位。與蘋(píng)果的合作將使博通能夠“繼續投資于關(guān)鍵的自動(dòng)化項目和技術(shù)人員和工程師的技能提升”。

與博通達成合作協(xié)議之際，蘋(píng)果公司也在繼續開(kāi)發(fā)自己的內部技術(shù)，以實(shí)現減少對諸如藍牙和Wi-Fi組件等博通提供的組件的依賴(lài)。例如，據報道，蘋(píng)果正在開(kāi)發(fā)一種集成Wi-Fi和藍牙功能的芯片，可能最早于 2025 年推出。蘋(píng)果還一直在研究自家版本的其他iPhone組件，如射頻芯片和無(wú)線(xiàn)充電組件，這些組件目前也由博通提供。

英特爾披露AI芯片大戰前景規劃

5月22日，在德國漢堡舉行的高性能計算展上，英特爾披露了公司未來(lái)AI算力戰略部署的最新細節，為追趕英偉達又增添了一筆重磅砝碼。

圖片來(lái)源：英特爾公告截圖

對于市場(chǎng)上最關(guān)心的下一代Max系列GPU芯片Falcon Shores，英特爾在周一給出了一系列參數預告：高帶寬內存（HBM3）規格將達到288GB，支持8bit浮點(diǎn)運算，總帶寬可達9.8TB/秒。英特爾在周一表示，公司已經(jīng)接近完成向美國阿貢國家實(shí)驗室交付基于Ponte Vecchio的Aurora超級計算機。

與算力霸主英偉達相比，英特爾的AI芯片業(yè)務(wù)還無(wú)足輕重。作為傳統芯片大廠(chǎng)，英特爾雖然早在2021年就展示過(guò)代號為“Ponte Vecchio”的旗艦數據中心GPU，但實(shí)際交付的不斷拖延也令公司錯過(guò)了這一輪AI大爆發(fā)的機會(huì )。

英特爾在周一表示，公司已經(jīng)接近完成向美國阿貢國家實(shí)驗室交付基于Ponte Vecchio的Aurora超級計算機。英特爾也強調這款系統的表現會(huì )優(yōu)于使用英偉達H100芯片的HPC。曾為“曼哈頓工程”做出重要貢獻的阿貢國家實(shí)驗室也表示，將利用這款超算為科學(xué)研究社區開(kāi)發(fā)一系列生成式AI模型。完整的Aurora包含63744個(gè)GPU和21248個(gè)CPU，還有1024個(gè)DAOS存儲節點(diǎn)。

由于戰略轉型的緣故，業(yè)界推測，英特爾這款芯片問(wèn)世的時(shí)間最早也是在2025年，屆時(shí)英偉達很有可能會(huì )拿出更強的競品，而躍躍欲試AI賽道的另一家競品AMD，也將在今年末推出MI300芯片。

英特爾副總裁兼超級計算事業(yè)部總經(jīng)理Jeff McVeigh周一表示，在放棄之前把CPU和GPU結合在一起的策略后，公司正在花時(shí)間重新設計芯片。雖然公司渴望擁有市場(chǎng)上最強的CPU和GPU，但很難說(shuō)同一家供應商能同時(shí)湊齊兩者的最佳組合。反過(guò)來(lái)說(shuō)，如果擁有獨立的產(chǎn)品，就能在平臺級別的選擇中展開(kāi)競爭。

三星下月揭曉升級版3/4納米芯片制程

據三星官方預告，三星計劃在今年6月的VLSI Symposium 2023上公布其名為SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術(shù)和名為SF4X4納米芯片制造工藝。該活動(dòng)將于2023年6月11日至16日在日本京都舉行。

公開(kāi)資料顯示，三星在去年6月量產(chǎn)了SF3E（3nm GAA），這也是三星首次實(shí)現GAA“多橋-通道場(chǎng)效應晶體管（MBCFET）”應用，其打破了FinFET原有的性能限制，引入全新的GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術(shù)，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比，同時(shí)還通過(guò)增加驅動(dòng)電流增強芯片性能。

根據官方的預告，三星此次的SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術(shù)，將使用“第二代多橋-通道場(chǎng)效應晶體管（MBCFET）”，在原有的SF3E基礎上做進(jìn)一步的優(yōu)化。三星表示，與SF4（4LPP，4nm級低功耗工藝）相比，SF3在相同功率和晶體管數量下的性能提高了22%，在相同頻率和復雜性下的功耗降低了34%，邏輯面積縮小了21%。不過(guò)三星并沒(méi)有將其SF3與SF3E進(jìn)行比較，也沒(méi)有關(guān)于SRAM和模擬電路縮放方面的資料。

結合過(guò)往情況看，三星每每研發(fā)的第一代芯片制造工藝處于試錯期并不被廣泛使用，而后續幾代則會(huì )逐漸被業(yè)界所接受使用率從而大幅度提升。業(yè)界消息稱(chēng)，Exynos 2500和驍龍 8 Gen 4或使用SF3工藝，并且業(yè)界此前消息顯示，由于臺積電產(chǎn)能不足，AMD的部分4納米制程產(chǎn)品已轉換給三星，傳聞顯示，二者在近期已進(jìn)行了簽約。目前，雙方還未對此消息進(jìn)行回應。

此外，三星還在改進(jìn)其4nm工藝，目標是通過(guò)SF4P（4LPP+）縮小與競爭對手之間的差距，預計會(huì )在今年晚些時(shí)候量產(chǎn)。此外，三星還計劃推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），但值得注意的是，臺積電幾乎同一時(shí)間也會(huì )帶來(lái)名為N3P的增強型3nm工藝。

三星希望憑借SF3在2024年能與臺積電（TSMC）的先進(jìn)工藝展開(kāi)競爭。最近三星承認其半導體制造工藝上落后于臺積電，不過(guò)其認為更早地采用GAA架構晶體管技術(shù)是一項優(yōu)勢，希望五年內可以實(shí)現超越。

臺積電再發(fā)公司債，擬擴建廠(chǎng)房設備

近日全球代工龍頭臺積電加速了全球擴產(chǎn)的步伐。其近日發(fā)布公告發(fā)行新臺幣200億元無(wú)擔保普通公司債，資金將用于新建擴建廠(chǎng)房設備。

臺積電公告顯示，預計發(fā)行185億元新臺幣無(wú)擔保普通公司債，其中，5年期的甲類(lèi)發(fā)行金額為19億元新臺幣，7年期的乙類(lèi)發(fā)行金額102億元新臺幣，10年期的丙類(lèi)發(fā)行金額64億元新臺幣。這是臺積電今年第7期無(wú)擔保普通公司債。

因應晶圓18廠(chǎng)建廠(chǎng)及擴產(chǎn)需求，臺積電上半年已發(fā)行600億元新臺幣無(wú)擔保普通公司債，下半年發(fā)行139億元新臺幣無(wú)擔保普通公司債，并發(fā)行10億美元無(wú)擔保美元公司債。

公開(kāi)資料顯示，臺積電晶圓18廠(chǎng)主要生產(chǎn)5納米制程產(chǎn)品，第3季開(kāi)始大量出貨，5納米制程第3季貢獻8%營(yíng)收，預計全年營(yíng)收比重約8%。

在今年的2023年北美技術(shù)研討會(huì )上，臺積電詳細的介紹了其未來(lái)的擴產(chǎn)計劃。臺積電稱(chēng)，從2017年到2019年，臺積電平均每年建設兩期晶圓廠(chǎng)左右。從2020年到2023年，平均值將顯著(zhù)增加到5左右。近兩年，臺積電共開(kāi)工建設10期新廠(chǎng)，包括5期中國臺灣晶圓廠(chǎng)、2期中國臺灣先進(jìn)封裝廠(chǎng)、3期海外晶圓廠(chǎng)。

到2024年，28納米及以下工藝的海外產(chǎn)能將比2020年增長(cháng)3倍。

在中國臺灣，臺南Fab 18的5、6、8期是臺積電N3的量產(chǎn)基地。此外，臺積電正在準備新的晶圓廠(chǎng)，新竹的Fab 20和臺中的新工廠(chǎng)，用于N2 生產(chǎn)。

在美國，臺積電計劃在亞利桑那州建設2座晶圓廠(chǎng)。N4首座晶圓廠(chǎng)已開(kāi)始設備進(jìn)場(chǎng)，2024年量產(chǎn)。第二座工廠(chǎng)正在建設中，計劃用于生產(chǎn) N3。兩家晶圓廠(chǎng)的總產(chǎn)能將達到每年60萬(wàn)片晶圓。

在日本，臺積電正在熊本建設一座晶圓廠(chǎng)，為 16/12納米和28納米系列技術(shù)提供代工服務(wù)，以滿(mǎn)足全球市場(chǎng)對專(zhuān)業(yè)技術(shù)的強勁需求。該工廠(chǎng)的建設已經(jīng)開(kāi)始，將于2024年實(shí)現量產(chǎn)。

在中國大陸，28納米技術(shù)的新階段將于2022年開(kāi)始量產(chǎn)。

Rapidus目標2025年4月試產(chǎn)2nm芯片

據外媒消息，日本晶圓代工廠(chǎng)商Rapidus于5月22日在日本北海道千歲市其2nm工廠(chǎng)預設地舉行的工程概要說(shuō)明會(huì )上表示，其2nm試產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始生產(chǎn)的時(shí)間預計將在2025年3-4月左右。

根據計劃，Rapidus位于千歲市的2nm晶圓廠(chǎng)將由日本建設公司鹿島負責興建，預計2023年9月動(dòng)工、2025年1月完工，目標在2027年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。鹿島也是臺積電熊本工廠(chǎng)的興建工程承包商（營(yíng)造商）。

公開(kāi)資料顯示，Rapidus是由索尼集團和NEC等8家科技大廠(chǎng)去年在東京共同投資的合資企業(yè)，目標是到2025年在日本制造出尖端的2納米芯片。日本此前已表示將向Rapidus投資700億日元（約5.25億美元）。此計劃由尖端半導體科技中心（the Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）統籌，日本10年間將通過(guò)LSTC投資Rapidus達347億美元。

外媒近期消息顯示，日本近日表示將額外向Rapidus提供3,000億日元（約22.7億美元）補貼，用以在日本北海道興建半導體廠(chǎng)。據悉，Rapidus曾在去年12月和IBM達成戰略性伙伴關(guān)系，雙方將攜手推動(dòng)基于IBM突破性的2nm制程技術(shù)的研發(fā)。除了IBM之外，Rapidus也和比利時(shí)半導體研發(fā)機構imec合作，imec預估將提供極紫外光（EUV）相關(guān)技術(shù)的援助。近日外媒最新消息顯示，imec表示，為了對Rapidus提供進(jìn)一步援助，或考慮在北海道設立研發(fā)中心。