晶圓代工是什么?圖解晶圓代工流程!
晶片是用來(lái)干嘛的?為什么日常生活中會(huì )用到晶片呢?晶片這么重要嗎?晶圓又是什么呢?
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202305/446556.htm在過(guò)去,需要將電晶體、二極體、電阻、電容等電子元件焊接成電路,并將這個(gè)能執行簡(jiǎn)單邏輯運算的電路裝置在電子產(chǎn)品上,才能夠讓電子產(chǎn)品順利運作,然而手工焊接不僅成本高且耗時(shí),效果也不理想。后來(lái)德州儀器的工程師–杰克·基爾比,便想到如果能夠事先設計好電路圖,然后照電路圖將所有電子元件整合在矽晶元上,便能解決手工焊接的難題,而這就是全世界第一個(gè)“集成電路”也就是我們常聽(tīng)到的IC(IntegratedCircuit)的由來(lái)。
集成電路發(fā)明后,技術(shù)也開(kāi)始高速發(fā)展,一個(gè)晶片從原本僅能塞不到五個(gè)電晶體,到后來(lái)可以塞下數億個(gè)電晶體。而電晶體縮得越小,除了更低的能耗、延遲以及更高的效能外,也讓晶片隨之縮小,電子產(chǎn)品也能越來(lái)越小。如今這些優(yōu)點(diǎn)正反應在電子產(chǎn)品上,讓生活越來(lái)越方便。
晶圓代工(Foundry)是半導體產(chǎn)業(yè)的一種商業(yè)模式,指接受其他無(wú)廠(chǎng)半導體公司(Fabless)委托、專(zhuān)門(mén)從事晶圓成品的加工而制造集成電路,并不自行從事產(chǎn)品設計與后端銷(xiāo)售。下面帶你認識晶圓代工的流程。
晶圓代工流程一:矽晶圓生產(chǎn)
晶片最偉大的貢獻,莫過(guò)于將原本僅能執行0和1的邏輯運算(注)的電晶體,集合在一起形成具有強大處理能力的運算中樞,而連結這些電晶體的基板就是“矽”這個(gè)元素。
之所以會(huì )選擇“矽”作為IC的主要原料,是因為矽在自然界中屬于“半導體”,也就是導電性介于導體與絕緣體的存在,可以借由加入雜質(zhì),來(lái)調整半導體的導電性,進(jìn)而控制電流是否流通,達到訊號切換的功能,換句話(huà)說(shuō)就是讓晶片能夠順利執行0和1的運算,而能操控電子產(chǎn)品。
矽晶圓的制造流程簡(jiǎn)化來(lái)說(shuō)就是將“矽”加工至可用來(lái)放置電子元件的“矽晶圓”:
純化:矽的前身是石英砂,里面含有許多雜質(zhì),因此需要將其純化,主要方式為將石英砂加入碳并加熱還原成冶金級矽,隨后將其丟入反應爐中與氯化氫以及氫氣反應形成多晶矽。
拉晶:將多晶矽置入單晶爐中,透過(guò)加熱處理、接入晶種(注1)后,就可以從中拉出半導體產(chǎn)業(yè)所需的“單晶矽柱”(矽晶柱),上面會(huì )有可擺放電晶體的“矽晶格”,也因此矽晶柱的品質(zhì)掌控對于晶圓廠(chǎng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,拉晶的速度、溫度的控制等等因子都有可能大大影響到最后的生產(chǎn)品質(zhì),而矽晶柱直徑越大,拉晶也就越難。(注2)
注1:這邊的晶種指的是一小塊單晶矽,透過(guò)將晶種與熔融物接觸并冷卻凝固,借此形成大晶體,目的是讓晶圓的原子排列能與晶種相同。
注2:?jiǎn)尉c多晶矽的區別:當矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核時(shí),如果各個(gè)晶核的晶面取向相同,則稱(chēng)為單晶矽,如果晶面取向不同,則稱(chēng)為多晶矽,在電學(xué)性質(zhì)表現上,單晶矽優(yōu)于多晶矽,因此在半導體產(chǎn)業(yè)中多采用單晶矽作為主要原料。
到這邊為止,安置電子元件的基板–矽晶圓便完成了,而我們常在新聞中看到的8吋晶圓廠(chǎng)、12吋晶圓廠(chǎng),指的其實(shí)就是矽晶圓的直徑,不過(guò),為什么要特地分成8吋、12吋或是X吋呢?
8吋晶圓 vs 12吋晶圓
其實(shí)關(guān)鍵就在于“生產(chǎn)成本”。簡(jiǎn)單的數學(xué)運算就可知道,一片12吋晶圓的表面積是一片8吋晶圓的2.25倍,也就是說(shuō)在相同良率下,12吋晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)效率會(huì )是8吋晶圓廠(chǎng)的2.25倍,因此只要兩種晶圓尺寸的生產(chǎn)成本差距在2.25倍以下的話(huà),生產(chǎn)12吋晶圓便會(huì )比生產(chǎn)8吋晶圓來(lái)的有優(yōu)勢,故生產(chǎn)12吋晶圓其實(shí)是較為先進(jìn)的技術(shù)。
12吋晶圓廠(chǎng)較有生產(chǎn)效率,為什么還要保留8吋晶圓廠(chǎng)?
前面提到,12吋晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)量平均來(lái)說(shuō)會(huì )是8吋晶圓廠(chǎng)的兩倍多,因此在產(chǎn)能滿(mǎn)載的前提下,12吋廠(chǎng)比較符合成本效益,然而對于某些客戶(hù)集中在利基市場(chǎng)的廠(chǎng)商來(lái)說(shuō),不見(jiàn)得有足夠的出貨量去支撐12吋廠(chǎng)帶來(lái)的額外產(chǎn)能,因此對這些廠(chǎng)商來(lái)說(shuō),也就沒(méi)必要花更多的資金投資技術(shù)門(mén)檻更高的12吋廠(chǎng)。
8吋晶圓供不應求?
前面提到,某些產(chǎn)品市場(chǎng)規模不大,因此透過(guò)8吋或6吋晶圓廠(chǎng)來(lái)生產(chǎn)較有效率,相對的某些產(chǎn)品市場(chǎng)規模較大,因此產(chǎn)線(xiàn)通常都會(huì )分布在12吋晶圓廠(chǎng)。過(guò)去12吋晶圓廠(chǎng)主要拿來(lái)生產(chǎn)智能手機、筆記本電腦等有高階運算需求的晶片,另一方面6吋、8吋晶圓廠(chǎng)則是用于生產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用元件等運算能力要求度不高的晶片。
由于過(guò)去12吋晶圓廠(chǎng)為市場(chǎng)主流,因此部分晶圓設備廠(chǎng)已經(jīng)停止生產(chǎn)8吋晶圓廠(chǎng)的設備,而直接蓋新的8吋廠(chǎng)又需要龐大的資金,對于大部分業(yè)者來(lái)說(shuō)難以負荷。外加隨著(zhù)5G逐漸普及,物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的晶片需求提升,因此8吋晶圓市場(chǎng)近期才會(huì )供不應求。
晶圓代工流程二:集成電路制造
回到IC制造的工作流程介紹,前面提及過(guò)去制作電路的方法,是將所有的電子元件手工連接起來(lái),而相較之下集成電路的優(yōu)勢,就在于他是直接依照設計好的電路圖,一口氣將所有電子元件整合在一起。因此有個(gè)一致的標準,生產(chǎn)起來(lái)容易許多。
這兩種電路制作模式的關(guān)鍵差異來(lái)自于“光學(xué)原理”。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),集成電路制造就是將從IC設計廠(chǎng)拿到的“電路設計圖”透過(guò)光學(xué)成像的原理轉移到“矽晶圓”上,最后依照設計圖架構,在矽晶元上集成化所需的電子元件:
▲ 步驟1–鍍上薄膜:于矽晶片表面鍍上氧化層(或金屬)。
▲ 步驟2–涂上光阻:于薄膜表面涂上光阻劑,該光阻劑曝光后化學(xué)結構會(huì )改變,變的相當易溶。
▲ 步驟3–顯影:透過(guò)紫外光與凸透鏡的聚光效果,將光罩上的電路圖縮小并投影在光阻上。
▲ 步驟4–蝕刻:透過(guò)特殊化學(xué)溶液將被紫外光照射的光阻沖洗掉,接著(zhù)再透過(guò)另一種化學(xué)溶液將步驟1的薄膜沖洗掉。
▲ 步驟5–光阻去除:接著(zhù)最后一樣以化學(xué)溶液將光阻去除。

注:實(shí)際過(guò)程相當復雜,需要堆疊許多不同材質(zhì)的薄膜在特定的位置,因此需要好幾十層的光罩并且不斷重復上述步驟才能完成光刻制程,其他關(guān)于晶圓清洗、烘烤等步驟限于篇幅的關(guān)系,無(wú)法詳細陳述。
在光刻制程結束后,緊接著(zhù)就是注入雜質(zhì)(磷原子與硼原子)到矽晶片(半導體)中控制其導電性,至此,構成集成電路所需的電晶體及相關(guān)的元件便已依照設計好的電路圖在矽晶片上集成完畢,最后將銅倒入溝槽中形成電子接線(xiàn),將數億個(gè)電晶體串接起來(lái)后,近半個(gè)世紀以來(lái)不斷推動(dòng)科技進(jìn)步的基石–集成電路便就此完成。
晶圓代工廠(chǎng)如何突破物理極限提升光刻技術(shù)?
相信有在關(guān)注臺積電的人多少會(huì )看過(guò)跟上述類(lèi)似的新聞,不過(guò)在探討什么是摩爾定律、EUV等專(zhuān)有名詞前,必須先了解光刻技術(shù)如何演進(jìn)。
R=k1xNA是光學(xué)微影的分辨率公式,要想要有更好的成像品質(zhì),就必須要想辦法提升分辨率,上述公式中,R代表至多可以曝出多小的線(xiàn)寬,越小則代表越精細、分辨率越高,能夠執行越精細的光刻作業(yè),代表光在真空中的波長(cháng),NA代表成像系統的數值孔徑,k1則是一系數(受到許多制程相關(guān)因子影響)。

所以根據上述公式,要想提高分辨率,主要可以透過(guò)降低光源波長(cháng)或是提高成像系統的數值孔徑(注)來(lái)達成。
注:數值孔徑(NA)沒(méi)有單位。是用以衡量一個(gè)光學(xué)系統(鏡頭)能夠收集的光的角度范圍。
EUV是什么?
EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續了摩爾定律的壽命,這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源,跟過(guò)去光刻技術(shù)所采用的光源比起來(lái),EUV的波長(cháng)更短,因此有助于大幅提高分辨率。

摩爾定律是什么?
摩爾定律指的是集成電路上可容納的電晶體數目,約每隔十八個(gè)月到兩年增加一倍、性能也提升一倍,所以與其說(shuō)是“定律”,其實(shí)它更像是一個(gè)用來(lái)描述集成電路產(chǎn)業(yè)演進(jìn)軌跡的指標,而近幾年許多新聞媒體之所以會(huì )認為摩爾定律快走到盡頭,主要就是因為過(guò)去采用DUV光源的光刻技術(shù)在分辨率的提升上已經(jīng)到達極限,換句話(huà)說(shuō)就是媒體認為晶圓代工廠(chǎng)已經(jīng)沒(méi)有辦法提供具有更高效能的晶片,這對晶圓代工廠(chǎng)甚至是對整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)都會(huì )是相當大的沖擊,也幸虧EUV微影技術(shù)的成功,才讓摩爾定律得以延續。

晶圓幾奈米是什么意思?
奈米是一公尺的負9次方,也就是頭發(fā)厚度的10萬(wàn)分之一。而新聞上看到的“XX奈米”,則是指晶片上電晶體控制電流通過(guò)的“閘極長(cháng)度”,長(cháng)度越小,電晶體就越小,能塞進(jìn)晶片的電晶體數量就越多,設備的效能也會(huì )相應提升。
而隨著(zhù)技術(shù)精進(jìn),奈米制程也逐步縮小。就如前所述,網(wǎng)路越來(lái)越快,也因此需要更先進(jìn)、更精密的晶片。這,就讓臺積電“純代工”的優(yōu)勢逐漸顯現。
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