深圳將出臺21條促進(jìn)半導體與集成電路高質(zhì)量發(fā)展“新政”

國際電子商情10日訊 深圳市發(fā)展和改革委員會(huì )日前發(fā)布了《深圳市關(guān)于促進(jìn)半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施（征求意見(jiàn)稿）》（下稱(chēng)《若干措施》）。

《若干措施》提出重點(diǎn)支持高端通用芯片、專(zhuān)用芯片和核心芯片、化合物半導體芯片等芯片設計；硅基集成電路制造；氮化鎵、碳化硅等化合物半導體制造；高端電子元器件制造；晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet（芯粒）等先進(jìn)封裝測試技術(shù)；EDA工具、關(guān)鍵IP核技術(shù)開(kāi)發(fā)與應用；光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設備等先進(jìn)裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn)以及核心半導體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

此外，《若干措施》明確提出全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節、加速突破基礎支撐環(huán)節、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)能、構建高質(zhì)量人才保障體系等內容。具體來(lái)看， 《若干措施》從多個(gè)層面全面培育發(fā)展深圳半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)集團的發(fā)展，深入資金、平臺、政策、人才、產(chǎn)業(yè)園區等多方面的支持。

1、全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節

（一）實(shí)現核心芯片產(chǎn)品突破。重點(diǎn)突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設計，布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專(zhuān)用芯片的開(kāi)發(fā)。以5G通信產(chǎn)業(yè)為牽引，全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。聚焦智能“終端”等泛物聯(lián)網(wǎng)應用，推動(dòng)超低功耗專(zhuān)用芯片、NB-IoT芯片的快速產(chǎn)業(yè)化。對企業(yè)購買(mǎi)IP開(kāi)展高端芯片研發(fā)，給予IP購買(mǎi)實(shí)際支付費用最高20%的資助，單個(gè)企業(yè)每年總額不超過(guò)1000萬(wàn)元。加快基于RISC-V等精簡(jiǎn)指令集架構的芯片研發(fā)，對研發(fā)投入1000萬(wàn)元（含1000萬(wàn)元）以上的RISC-V芯片設計企業(yè)，按照不超過(guò)研發(fā)投入的20%給予補助，每年最高1000萬(wàn)元。對深圳企業(yè)銷(xiāo)售自研芯片，且單款銷(xiāo)售金額累計超過(guò)2000萬(wàn)元的，按照不超過(guò)當年銷(xiāo)售金額的15%給予獎勵，最高1000萬(wàn)元。

（二）加強對設計企業(yè)流片支持。積極協(xié)調深圳支持建設的集成電路生產(chǎn)線(xiàn)和中試線(xiàn)開(kāi)放一定產(chǎn)能，服務(wù)深圳中小設計企業(yè)的流片需求。支持集成電路設計企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度，重點(diǎn)支持集成電路設計企業(yè)流片和掩模版制作。對于使用多項目晶圓進(jìn)行研發(fā)的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜版制作費用的50%和直接流片費用70%、年度總額不超過(guò)500萬(wàn)元的補助；對于首次完成全掩膜工程產(chǎn)品流片的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜制作費用50%和流片費用50%，年度總額不超過(guò)700萬(wàn)元的補助。

（三）提升半導體制造能力。加強與集成電路制造企業(yè)合作，規劃建設邏輯工藝和特色工藝集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，支持建設高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產(chǎn)線(xiàn)。支持代表新發(fā)展方向的半導體與集成電路制造重大項目落戶(hù)，鼓勵既有集成電路生產(chǎn)線(xiàn)改造升級。

（四）趕超高端封裝測試水平。加快MOSFET模塊等功率器件、高密度存儲器封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)突破晶圓級、系統級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空、Chiplet（芯粒）等先進(jìn)封裝核心技術(shù)，以及脈沖序列測試、IC集成探針卡等先進(jìn)晶圓級測試技術(shù)，按照項目實(shí)際投資額的10%給予補助，單個(gè)項目不超過(guò)1000萬(wàn)元。

（五）加速化合物半導體成熟。鼓勵通信設備、新能源汽車(chē)、電源系統、軌道交通、智能終端等領(lǐng)域企業(yè)推廣試用化合物半導體產(chǎn)品，提升系統和整機產(chǎn)品的競爭力。對年度采購深圳設計或制造的化合物半導體產(chǎn)品金額達2000萬(wàn)元（含）以上的企業(yè)，按不超過(guò)采購金額的20%給予補助，每年最高500萬(wàn)元。引導企業(yè)參與關(guān)鍵環(huán)節技術(shù)標準制定，搶占產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，提升產(chǎn)品市場(chǎng)主導權和話(huà)語(yǔ)權。

2、加速突破基礎支撐環(huán)節

（六）加快EDA核心技術(shù)攻關(guān)。推動(dòng)模擬、數字、射頻集成電路等EDA工具軟件實(shí)現全流程國產(chǎn)化。支持開(kāi)展先進(jìn)工藝制程、新一代智能、超低功耗等EDA技術(shù)的研發(fā)。加大國產(chǎn)EDA工具推廣應用力度，鼓勵企業(yè)和科研機構購買(mǎi)或租用國產(chǎn)EDA工具軟件，推動(dòng)國產(chǎn)EDA工具進(jìn)入高校課程教學(xué)。對購買(mǎi)國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機構，按照不超過(guò)實(shí)際支出費用的70%給予補助，每年最高1000萬(wàn)元。對租用國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機構，按照不超過(guò)實(shí)際支出費用的50%給予補助，每年最高500萬(wàn)元。

（七）推動(dòng)關(guān)鍵材料自主可控。依托骨干企業(yè)加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導體材料的研發(fā)生產(chǎn)，按照不超過(guò)研發(fā)費用（含材料驗證測試費用）的40%給予補助，最高1000萬(wàn)元。支持首批次新材料進(jìn)入重點(diǎn)集成電路制造企業(yè)供應鏈，按一定期限內產(chǎn)品實(shí)際銷(xiāo)售總額給予研制單位不超過(guò)30%，最高2000萬(wàn)元獎勵。

（八）突破核心設備及零部件配套。鼓勵我市企業(yè)進(jìn)行集成電路關(guān)鍵設備及零部件研發(fā)，推進(jìn)檢測設備、薄膜沉積設備、刻蝕設備、清洗設備、高真空泵等高端設備部件和系統集成開(kāi)展持續研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)，支持首臺套關(guān)鍵設備及零部件進(jìn)入重點(diǎn)集成電路制造企業(yè)供應鏈，按一定期限內產(chǎn)品實(shí)際銷(xiāo)售總額給予研制單位不超過(guò)30%，最高2000萬(wàn)元獎勵。大力引進(jìn)國內外設備及零部件領(lǐng)域龍頭企業(yè)落戶(hù)深圳，給予不超過(guò)3000萬(wàn)元一次性落戶(hù)獎勵。

（九）加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)支持力度。進(jìn)一步增強深圳集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng )新能力，打破重大關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的局面，對我市集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域、優(yōu)先主題、重點(diǎn)專(zhuān)項的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。引導企業(yè)加大研發(fā)投入，對符合條件、開(kāi)展研究開(kāi)發(fā)活動(dòng)的深圳集成電路企業(yè)，給予研究開(kāi)發(fā)費用補助。對于新引進(jìn)投資300萬(wàn)元以上的集成電路企業(yè)給予房租補貼。

3、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)能

（十）積極承擔國家專(zhuān)項戰略任務(wù)。鼓勵有關(guān)單位承擔國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、科學(xué)技術(shù)部等部委開(kāi)展的集成電路領(lǐng)域重大項目、重大技術(shù)攻關(guān)計劃和重點(diǎn)研發(fā)計劃。根據國撥資金撥付進(jìn)度，給予不超過(guò)1:1的資金配套，總額不超過(guò)項目總投資的30%。對重點(diǎn)核心企業(yè)提出的能夠解決集成電路產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”問(wèn)題，但未獲得國家資金的重大項目，根據企業(yè)自籌資金投入情況，可分階段給予不超過(guò)30%的配套資金支持。對于成功申報國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心、國家制造業(yè)創(chuàng )新中心、國家技術(shù)創(chuàng )新中心的，予以1:1配套支持。

（十一）支持企業(yè)做大做強。助力企業(yè)快速發(fā)展，提高市場(chǎng)占有率，不斷做大產(chǎn)業(yè)規模。對年度營(yíng)業(yè)收入首次突破1億元、3億元、5億元、10億元的深圳集成電路EDA、IP及設計企業(yè)，分別給予企業(yè)核心團隊500萬(wàn)元、700萬(wàn)元、1000萬(wàn)元和1200萬(wàn)元的一次性獎勵。對年度營(yíng)業(yè)收入首次突破10億元、20億元、50億元、100億元的深圳集成電路制造、封裝測試、關(guān)鍵裝備和材料企業(yè)，分別給予企業(yè)核心團隊500萬(wàn)元、700萬(wàn)元、1000萬(wàn)元和1200萬(wàn)元的一次性獎勵。

（十二）強化產(chǎn)業(yè)支撐平臺建設。建設集成電路領(lǐng)域制造業(yè)創(chuàng )新中心、產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心、IC設計平臺、設備材料研發(fā)中心、檢測認證中心等公共服務(wù)平臺，以骨干企業(yè)、科研機構為依托，聯(lián)合上下游企業(yè)和高校、科研院所等構建中小企業(yè)孵化平臺，對符合我市產(chǎn)業(yè)布局要求并經(jīng)市級認定的平臺，按不超過(guò)平臺建設費用的40%給予補助，最高3000萬(wàn)元。平臺建成后，根據運營(yíng)服務(wù)情況，按每年不超過(guò)1500萬(wàn)元給予補助。

（十三）完善產(chǎn)業(yè)投融資環(huán)境。探索設立市級集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，重點(diǎn)支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。支持符合條件的企業(yè)通過(guò)融資貸款、融資租賃參與項目建設和運營(yíng)，按照實(shí)際貸款或融資部分最高2.5個(gè)百分點(diǎn)進(jìn)行貼息，貼息年限最長(cháng)不超過(guò)5年。支持企業(yè)充分利用主板、創(chuàng )業(yè)板、科創(chuàng )板等多層次資本市場(chǎng)上市融資發(fā)展，按上市掛牌進(jìn)程分階段給予不超過(guò)1500萬(wàn)元的補助。支持保險機構參與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,引導保險資金開(kāi)展股權投資。

（十四）促進(jìn)進(jìn)出口貿易快速增長(cháng)。搭建覆蓋通關(guān)全過(guò)程的信息互通和監管平臺，優(yōu)化和簡(jiǎn)化集成電路產(chǎn)品的進(jìn)出口環(huán)節和程序，建立本市集成電路企業(yè)、科研機構等試點(diǎn)單位“白名單”，便利試點(diǎn)單位通關(guān)。建立集成電路重點(diǎn)商品進(jìn)口指導目錄，對企業(yè)進(jìn)口自用集成電路生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專(zhuān)用建筑材料、配套系統和集成電路生產(chǎn)設備及零配件等目錄所列商品，且年度累計進(jìn)口金額超過(guò)5000萬(wàn)元的，按照進(jìn)口金額的5%給予補貼，每年最高500萬(wàn)元。嚴格落實(shí)國家集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠政策，對集成電路重大項目進(jìn)口新設備，準予分期繳納進(jìn)口環(huán)節增值稅。

（十五）支持行業(yè)組織發(fā)揮橋梁作用。成立聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游的半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，不斷匯聚和融合全球產(chǎn)業(yè)資源和力量，提升深圳半導體與集成電路整體競爭力。支持產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、行業(yè)協(xié)會(huì )等社會(huì )組織發(fā)展，按項目擇優(yōu)給予最高500萬(wàn)元資助。對經(jīng)認定的聯(lián)盟、協(xié)會(huì )等社會(huì )組織，每年按照實(shí)際租金及物業(yè)服務(wù)管理費的50%予以補貼，可連續補貼3年，每年最高不超過(guò)100萬(wàn)元。在招商引資方面有突出貢獻的給予招商引資獎勵。

4、構建高質(zhì)量人才保障體系

（十六）加強人才激勵保障。充分發(fā)揮市場(chǎng)調節作用，突出以用為本、市場(chǎng)認可、市場(chǎng)評價(jià)，以人才市場(chǎng)價(jià)值、經(jīng)濟貢獻為主要評價(jià)標準，建立與人才市場(chǎng)價(jià)值、經(jīng)濟貢獻掛鉤的市場(chǎng)化激勵機制，重點(diǎn)支持引進(jìn)和留住一線(xiàn)研發(fā)人員，工程技術(shù)骨干及中高層管理人員，個(gè)人獎勵金額最高不超過(guò)500萬(wàn)元。對在列入國家鼓勵的重點(diǎn)集成電路企業(yè)清單單位從事基礎研究、核心技術(shù)研發(fā)的人才，給予一定年限的穩定支持。對市行業(yè)主管部門(mén)認定的集成電路重點(diǎn)單位，優(yōu)先給予人才住房配額。

（十七）實(shí)施集成電路全球人才回溯計劃。加快從重點(diǎn)國家（地區）靶向引進(jìn)全球高端人才、創(chuàng )新團隊和管理團隊。設立海外人才引進(jìn)服務(wù)機構與海外人才歸國綠色通道，拉通海外集成電路高層次人才“選引用留”全流程服務(wù)機制，提供全程代辦服務(wù)，為高層次人才發(fā)放“鵬城優(yōu)才卡”，人才憑卡可直接辦理子女入學(xué)、人才住房、醫療保健、獎勵補貼申報等業(yè)務(wù)。

（十八）產(chǎn)學(xué)聯(lián)動(dòng)培養各層次專(zhuān)業(yè)人才。大力發(fā)揮企業(yè)在人才培養中的作用，加快推進(jìn)產(chǎn)教融合，鼓勵有條件的高校（含技師學(xué)院）采取與集成電路企業(yè)合作的方式共建高技能人才培訓基地，經(jīng)認定符合條件的培訓基地項目，按照不超過(guò)基地建設投入的20%給予一次性補助，最高2000萬(wàn)元。加強高校（含技師學(xué)院）專(zhuān)業(yè)建設，擴大半導體專(zhuān)業(yè)招生規模，重點(diǎn)培養一批高層次、復合型人才。

5、打造高水平特色產(chǎn)業(yè)園區

（十九）優(yōu)化產(chǎn)業(yè)空間供給。由市產(chǎn)業(yè)主管部門(mén)統籌，半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群重點(diǎn)區負責對每年的產(chǎn)業(yè)用地和產(chǎn)業(yè)用房指標予以量化，保證全市半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)每年新增或升級改造20萬(wàn)平米產(chǎn)業(yè)用地或50萬(wàn)平米產(chǎn)業(yè)用房供給。采用“容缺受理”“并聯(lián)審批”模式，提前開(kāi)展用地選址預審，同步審定項目遴選方案和產(chǎn)業(yè)發(fā)展監管協(xié)議，提高審批效率加快土地出讓。

（二十）加大特色園區建設支持力度。對經(jīng)認定的新建或已有產(chǎn)業(yè)空間改造的特色產(chǎn)業(yè)園區，在立項、注冊、審批環(huán)節開(kāi)通綠色通道，就近配套道路、供水、排污、排水、電訊光纜、供電、天然氣和土地平整等“八通一平”基礎設施。根據實(shí)際需要，建設跨區域的雙回路供電備份設施，滿(mǎn)足集成電路制造企業(yè)高強度、不間斷電力供應需求。

（二十一）加強環(huán)保配套措施。對于擬建設的特色園區，由市、區環(huán)保主管部門(mén)組成工作專(zhuān)班，一對一提供環(huán)保專(zhuān)業(yè)指導服務(wù)。完善園區環(huán)境基礎設施建設，鼓勵園區加大配套固體、液體和氣體污染物處理設施、環(huán)境監測、環(huán)境風(fēng)險應急防控、環(huán)境信息化等方面的投入，按照不超過(guò)建設費用的50%給予補助，最高2000萬(wàn)元。