國產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步：長(cháng)江存儲或跳過(guò)192層閃存 切入232層
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2016年成立的長(cháng)江存儲，于2017年通過(guò)自主研發(fā)和國際合作的方式，設計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(cháng)江存儲晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202206/435167.htm在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標。DT報道稱(chēng)，業(yè)內人士給出消息稱(chēng)，長(cháng)江存儲計劃跳過(guò)192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。
根據此前韓國研究機構OERI的一份報告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會(huì )量產(chǎn)超200層閃存，長(cháng)江存儲則要到2024年，現在來(lái)看，它們低估了長(cháng)江存儲的技術(shù)儲備。此前傳出長(cháng)江存儲有望打入蘋(píng)果供應鏈，為iPhone等產(chǎn)品供貨閃存的說(shuō)法，倘若最終實(shí)現，那么無(wú)疑將有著(zhù)打破產(chǎn)業(yè)格局的動(dòng)能。
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