DDR5內存五大升級都有啥？最后一個(gè)你絕對想不到

12代酷睿誕生以來(lái)，除開(kāi)CPU本身，最受關(guān)注的莫過(guò)于在先進(jìn)協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內存協(xié)議，打破了多年來(lái)內存產(chǎn)品性能和體驗的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內存浪潮。

關(guān)于前者，鑒于尚未出現消費級PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品，在此略過(guò)。今天，重點(diǎn)聊聊被譽(yù)為“內存行業(yè)革命”的DDR5內存。

關(guān)于DDR5內存，大多數用戶(hù)的直觀(guān)感受便是頻率的提升，即由DDR4內存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據最新消息DDR5內存后續頻率甚至達到6000MHz以上水準。僅從數值觀(guān)感上而言，DDR5確實(shí)稱(chēng)得上是一次內存技術(shù)的大飛躍大革命，除開(kāi)數值刺激，從技術(shù)角度，DDR5內存主要有以下五大技術(shù)升級，其中最后一個(gè)出乎意料。

01 等效頻率成倍提升——跑得更快

DDR5最耀眼的技術(shù)升級，都是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從“2133MHz”跨越式增長(cháng)至“4800MHz”，甚至隨著(zhù)當下DDR5內存調參的深入，6400MHz或將成為主流水平。

頻率的提升，使得DDR5內存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無(wú)論是在讀取測試、寫(xiě)入測試，還是復制、延時(shí)方面，從跑分結果而言，DDR5無(wú)疑是超前，提升更是巨幅的。

DDR5內存跑分

DDR4內存跑分

這也是眾多用戶(hù)，對于DDR5內存的第一印象，也是最易接受的技術(shù)創(chuàng )新，即頻率提升帶來(lái)的跑分提升，讓計算機在理論上能夠“跑得更快”了。

02 DRAM容量提升——容量更大

內存的DRAM容量也是此次DDR5內存技術(shù)提升的重點(diǎn)方向，在JEDEC的DDR4規范中，單顆內存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時(shí)代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

換句話(huà)說(shuō)，DDR4時(shí)代單條32GB可能便是消費級內存的容量天花板了，可進(jìn)入DDR5時(shí)代，標準規范的提升，制程工藝和內部設計的冗余，使得單條32GB成為業(yè)界主流標準，甚至于后續單條64GB，乃至于單條128GB，都將成為可能。

當然了，以上容量規格的誕生，還需要DDR5技術(shù)進(jìn)一步升級和優(yōu)化，以及消費用戶(hù)的接受程度，是一個(gè)漫長(cháng)的革新過(guò)程；但標準協(xié)議的誕生，便是內存容量擴充的積極信號。

03 工作電壓更低——功耗更低、超頻更強

如果說(shuō)容量和性能的倍增是最為顯著(zhù)的技術(shù)升級，那么接下來(lái)的內部技術(shù)的升級和糾正，則是在更深維度進(jìn)行了迭代優(yōu)化。

工作電壓的降低，便是其中重要的一環(huán)。

DDR5內存工作電壓低至1.1V，對比DDR4最低1.2V的工作電壓，實(shí)現了20%左右的降低，它的降低擁有兩個(gè)重要意義。

其一是功耗方面，尤其是對于筆記本產(chǎn)品，以及企業(yè)級服務(wù)器產(chǎn)品而言，20%的功耗降低，具有顯著(zhù)的節能意義；其二是超頻潛能，起始電壓的降低，使得后續進(jìn)行超頻調參有了更大的可操作空間，能進(jìn)一步提升內存的超頻潛能。

04 On-die ECC下放——糾錯能力更強、運行更穩定

實(shí)際上，隨著(zhù)晶圓光刻技術(shù)不斷改進(jìn)，DRAM芯片密度不斷提高，導致數據泄露、數據校正、數據出錯的可能性加大。尤其是在企業(yè)級應用場(chǎng)景下，為了避免數據錯誤的頻繁發(fā)生，業(yè)界便引入ECC糾錯機制，從而規避風(fēng)險，提高可靠性并降低缺陷率。

而全新DDR5內存，為了進(jìn)一步穩定數據傳輸和校正，迎入了一項類(lèi)似企業(yè)級應用場(chǎng)景的On-die ECC糾錯機制，該機制能夠動(dòng)態(tài)糾正數據單位錯誤，或是數據編碼錯誤，為用戶(hù)日常應用的穩定性，提供技術(shù)保障，這是企業(yè)級技術(shù)下放到消費級場(chǎng)景的一次大膽嘗試，也是DDR5內存極具創(chuàng )新的重要產(chǎn)品升級。

05 雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

最后一項重要技術(shù)升級，便是雙32位尋址通道的引入，其基本原理是將DDR5內存模組內部64位數據帶寬，分為兩路帶寬分別為32位的可尋址通道，從而有效的提高了內存控制器，進(jìn)行數據訪(fǎng)問(wèn)的效率，同時(shí)減少了延遲。

所以我們可以看到，單條DDR5內存插入電腦后，部分專(zhuān)業(yè)軟件甚至直接識別為雙通道內存，便是由于DDR5內存模組激進(jìn)的將“64位單通道”化為“獨立32位雙通道”的技術(shù)創(chuàng )新；當然這種雙通道設計，和常規意義上的雙通道還是存在相當區別，并不能和傳統意義上的兩條內存組成雙通道進(jìn)行對比，其提升的效果也視應用場(chǎng)景有著(zhù)一定性能差異。

但總的來(lái)說(shuō)，雙32位尋址通道的引入，對于尋址性能和延遲降低，有著(zhù)顯著(zhù)提升作用，DDR5總體性能的躍升某種意義上和該技術(shù)有著(zhù)千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。

06 DDR5新技術(shù)帶來(lái)的思索

DDR5內存自從去年開(kāi)始展露頭角，就一直深處風(fēng)口浪尖，新技術(shù)的到來(lái)，必然會(huì )引發(fā)舊產(chǎn)品的脫節，新舊產(chǎn)品、新舊技術(shù)的更迭和換代，是科技行業(yè)無(wú)時(shí)無(wú)刻不在發(fā)生的必然事件。

對于從業(yè)者而言，快速了解和接納新技術(shù)新工藝，是繼續的根本；對于消費者而言，新技術(shù)可以不喜歡不看好，卻無(wú)法不接受，深處技術(shù)大躍進(jìn)時(shí)代的你我，擋不住也躲不了，你說(shuō)呢？