美光推出全球首款 176 層 NAND 移動(dòng)解決方案，助力 5G 超快體驗

內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司) 近日宣布，公司已開(kāi)始批量出貨全球首款基于 176 層 NAND 技術(shù)的通用閃存 UFS 3.1 移動(dòng)解決方案。該產(chǎn)品為高端旗艦手機量身打造，與前代產(chǎn)品相比可實(shí)現高達 75% 的順序寫(xiě)入和隨機讀取性能提升^[1]，從而解鎖 5G 潛力 — 只需 9.6 秒即可下載一部 2 小時(shí)的 4K 電影^[2]。

美光 176 層 NAND 的緊湊尺寸，完美契合移動(dòng)設備的大容量和小體積需求。此前，美光于 6 月宣布已出貨搭載 176 層 NAND 的 PCIe 4.0 固態(tài)硬盤(pán)，為專(zhuān)業(yè)工作站和超薄筆記本提供高性能、低功耗的靈活設計選擇。如今，美光將開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河的前沿 NAND 技術(shù)和性能成功應用于智能手機，帶來(lái)更快的手機響應體驗，實(shí)現應用程序之間真正的多任務(wù)處理。

美光移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 表示：“5G 通信技術(shù)能將移動(dòng)設備的傳輸速率提升至數個(gè) Gb 的級別，但這種超快移動(dòng)體驗必須具備高性能硬件基礎。美光的 176 層 NAND 實(shí)現了技術(shù)突破，為智能手機提供無(wú)與倫比的性能，使消費者能輕松快捷地在移動(dòng)端體驗豐富的多媒體內容?！?/p>

美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的混合工作負載性能相比上一代產(chǎn)品提升了 15%，使手機啟動(dòng)和切換應用的速度更快，從而打造更為流暢的移動(dòng)體驗。美光將 176 層 NAND 技術(shù)應用于 UFS 3.1，克服了存儲瓶頸，使手機用戶(hù)盡享 5G 高速通信。

榮耀終端有限公司產(chǎn)品線(xiàn)總裁方飛表示：“榮耀全能旗艦 Magic3 系列將率先搭載美光推出的業(yè)界首款 176 層 NAND 技術(shù) UFS 3.1。該款高性能 3D NAND 解決方案將為榮耀手機用戶(hù)在同時(shí)多應用使用，以及高速下載、存儲等場(chǎng)景帶來(lái)快捷流暢的使用體驗?！?/p>

美光 176 層移動(dòng)解決方案具有以下優(yōu)勢：

●   更強的性能：美光 176 層 UFS 3.1 解決方案相比上一代產(chǎn)品的順序寫(xiě)入速度提升 75%，隨機讀取速度提升 70%，大幅提升應用性能。

●   更快的下載速度：高達 1,500 MB/秒的順序寫(xiě)入速度意味著(zhù)下載一部 10 分鐘的 4K (2,160 像素分辨率)      網(wǎng)絡(luò )視頻只需 0.7 秒^[3]，而下載一部 2 小時(shí)的 4K 電影只需 9.6 秒。

●   更流暢的移動(dòng)體驗：與上一代產(chǎn)品相比，美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的優(yōu)秀性能將響應延遲縮短約 10%，確保了更可靠的移動(dòng)體驗。

●   更持久的設備壽命：美光 176 層移動(dòng)解決方案可寫(xiě)入的總字節數比上一代產(chǎn)品高出一倍^[4], 這意味著(zhù)可存儲之前兩倍的總數據量，而不會(huì )損害設備的可靠性。即使是重度手機用戶(hù)，也會(huì )發(fā)現智能手機的使用壽命大幅提升。

美光 176 層 UFS 3.1 移動(dòng)解決方案供貨

基于美光 176 層分立式 NAND 的 UFS 3.1 移動(dòng)解決方案現已公開(kāi)出貨，提供 128GB、256GB 和 512GB 三種容量。

[1] 所有數據均基于與美光上一代 96 層 UFS 3.1 存儲設備對比

[2] 假設每部電影的文件大小為 14GB

[3] 假設視頻文件大小為 1GB

[4] 數據基于美光上一代浮動(dòng)柵極 96 層 NAND 的 UFS 3.1 對比禁用了 WriteBooster 寫(xiě)入加速的 176 層 NAND 產(chǎn)品