燦芯半導體推出基于中芯國際14nm FinFET工藝的ONFI 4.2 IO和物理層IP
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定制芯片設計、生產(chǎn)及IP授權的高新技術(shù)企業(yè)——燦芯半導體日前宣布推出基于中芯國際14nm FinFET工藝的ONFI 4.2 IO及物理層IP，該IO支持SDR/NV-DDR/NV-DDR2 1.8V, NV-DDR3 1.2V, 該物理層IP采用全數字設計，具有低功耗、面積小等特點(diǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202106/426122.htm此次推出的ONFI物理層IP可應用于開(kāi)放式NAND閃存界面，兼容ONFI 4.2/4.1/4.0/3.2等標準，目前該IO及物理層IP已經(jīng)在中芯國際40nm及14nm FinFET工藝上通過(guò)硅驗證。
ONFI 4.2物理層IP具有如下特點(diǎn)：
● 基于中芯國際14nm FinFET、 40LL工藝，并通過(guò)流片驗證測試
● 支持14nm FinFET NV_DDR3 1.2V Max 1600Mbps; NV_DDR21.8V Max 800Mbps
● 支持40LL Max 800Mbps
● 支持芯片內終端匹配電阻(On-Die Termination; ODT)及支持阻抗校準
● 遵循國際開(kāi)放式NAND閃存界面規范, 支持ONFI4.2/ 4.1/4.0/3.2等標準
● 支持DQS Gate、Write、Read訓練
● 采用全數字延遲單元(DLL)
● 采用APB寄存器接口
“基于10多年定制芯片設計和IP研發(fā)的成功經(jīng)驗，燦芯半導體緊跟中芯國際先進(jìn)工藝，持續為客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值，” 燦芯半導體工程副總裁劉亞?wèn)|表示，“基于中芯國際14nm FinFET工藝的ONFI IP已通過(guò)流片驗證，將助力客戶(hù)在中芯國際14nm先進(jìn)工藝上快速實(shí)現量產(chǎn)?！?/p>
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