首款5nmRISC-V架構芯片成功流片 由臺積電工藝
近日,RISC-V架構芯片設計公司SiFive宣布,其首款基于臺積電5nm工藝的RISC-V架構的SoC芯片成功流片。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202104/424520.htm這顆芯片基于SiFive E76 32位核心,該核心專(zhuān)為不需要全量精度的AI、微控制器、邊緣計算等場(chǎng)景設計,同時(shí)SiFive也提供按需定制功能的服務(wù)。SoC采用2.5D封裝并集成了HBM3存儲單元,帶寬7.2Gbps。
RISC-V架構是一個(gè)是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集原則的開(kāi)源指令集架構。被認為未來(lái)有希望與ARM和X86架構三分天下的未來(lái)之星。RISC-V架構在誕生后的短短五六年時(shí)間里吸引到了包括高通、谷歌、英偉達、阿里巴巴等數百家企業(yè)和高校參與研發(fā)和商用。它備受追捧的關(guān)鍵一點(diǎn)在于,開(kāi)放的源代碼芯片體系結構允許公司開(kāi)發(fā)兼容的芯片,而無(wú)需像開(kāi)發(fā)ARM芯片一樣,預付各種費用。
此次成功流片意味著(zhù)這款芯片在設計上已經(jīng)取得了成功,如果順利,將在一年內成功量產(chǎn)。
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