汽車(chē)“四化”趨勢明確，對半導體需求價(jià)值量倍增

汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)化、智能化、數字化及聯(lián)網(wǎng)化方向發(fā)展，直接帶動(dòng)汽車(chē) 含硅量提升。新能源電動(dòng)汽車(chē)的出現意味著(zhù)傳統汽車(chē)的核心競爭要素將 被取代，產(chǎn)品價(jià)值鏈被重塑。

新能源車(chē)中對于電力控制的需求大幅增加，功率器件中特別是 IGBT 是 工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其通過(guò)信號指令來(lái)調節電路中的 電壓、電流等以實(shí)現精準調控的目的，保障電子產(chǎn)品、電力設備正常運 行，同時(shí)降低電壓損耗，使設備節能高效。汽車(chē)半導體作為汽車(chē)電動(dòng)化 關(guān)鍵載體之一，需求價(jià)值成倍增長(cháng)，據估算純電動(dòng)車(chē)單車(chē)的半導體總價(jià) 值量相比傳統汽車(chē)提升 70%以上。

新能源汽車(chē)行業(yè)銷(xiāo)量將快速增長(cháng)

新能源汽車(chē)具有成本、效率和環(huán)保等優(yōu)勢，2020 年 11 月國務(wù)院印發(fā)《新 能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃（2021－2035 年）》，提出 2025 年新能源汽車(chē)新 車(chē)銷(xiāo)售量達到汽車(chē)新車(chē)銷(xiāo)售總量的 20%左右，年總銷(xiāo)量將達到 500-600 萬(wàn)輛，相比 2020 年 120 萬(wàn)輛銷(xiāo)量，未來(lái) 5 年新能源汽車(chē)每年增速約 40%， 意味著(zhù)未來(lái)汽車(chē)行業(yè)景氣度將持續高企。按照我國新能源汽車(chē)產(chǎn)量有望 在 2025 年實(shí)現 600 萬(wàn)輛左右估算，預計國內新能源車(chē)功率器件市場(chǎng)空 間將增至 160 億元。

新能源汽車(chē)帶來(lái)功率半導體量?jì)r(jià)齊升

價(jià)值量上，新能源車(chē)半導體價(jià)值量從傳統的 450 美元提升至 750 美元。 其中功率半導體價(jià)值量提升最多，占比從傳統汽車(chē)的 10%左右提升至純 電動(dòng)汽車(chē)的 55%，提升幅度達到 9 倍，單車(chē)價(jià)值量將達到 455 美元。例 如特斯拉的三相交流異步電機，每相用 28 個(gè) IGBT 累計 84 個(gè)，其他電機 12 個(gè) IGBT，特斯拉總共用到 96 個(gè) IGBT，單車(chē) IGBT 價(jià)值約 400 美 元左右。

功率半導體持續創(chuàng )新升級，國產(chǎn)化龍頭企業(yè)替代空間大

目前車(chē)規級功率半導體國產(chǎn)化程度不高，替代空間大。汽車(chē)功率半導體 前 5 大企業(yè)主要為英飛凌、STM 等外資企業(yè)，全球市占率達到 63%。技 術(shù)上，功率半導體處于第二代 Si 基往第三代 SiC/GaN 等襯底材料升級 過(guò)程中，產(chǎn)品還在持續創(chuàng )新。在國內整體市場(chǎng)需求快速增長(cháng)的同時(shí)，技 術(shù)創(chuàng )新還在持續升級，給國產(chǎn)企業(yè)帶來(lái)較好的彎道超車(chē)機會(huì )。推薦：三 安光電、斯達半導、華潤微等龍頭公司。

新能源汽車(chē)時(shí)代，汽車(chē)半導體迎來(lái)大機會(huì )

新能源汽車(chē)對能量轉換需求有望推動(dòng)功率器件大發(fā)展

隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車(chē)電子迎來(lái)結構性變革大機會(huì )。 在傳統燃料汽車(chē)中，汽車(chē)電子主要分布于動(dòng)力傳動(dòng)系統、車(chē)身、安全、娛樂(lè )等 子系統中。按照功能劃分，汽車(chē)半導體可大致分為功率半導體（IGBT 和 MOSFET 等）、MCU、傳感器及其他等元器件。

對于新能源汽車(chē)而言，汽車(chē)不再使用汽油發(fā)動(dòng)機、油箱或變速器，“三電系統” 即電池、電機、電控系統取而代之，新增 DC-DC 模塊、電機控制系統、電池 管理系統、高壓電路等部件。相應地實(shí)現能量轉換及傳輸的核心器件功率半導 體含量大大增加。因此從半導體種類(lèi)上看，傳統燃料汽車(chē)中 MCU 含量最高 （23%），而新能源汽車(chē)中功率半導體含量最高（55%）。

新能源汽車(chē)市場(chǎng)概況

目前，我國 2020 年前三季度整體乘用車(chē)銷(xiāo)量 1337.6 萬(wàn)輛，其中新能源車(chē)銷(xiāo)量 為 65 萬(wàn)輛，而假設每個(gè)月 200 萬(wàn)輛銷(xiāo)量，占比不到 5%。預計 2020 年新能源 銷(xiāo)量在 120 萬(wàn)輛左右，市場(chǎng)滲透率 4.8%。2025 年滲透率目標為 20%，要實(shí)現 該目標意味著(zhù)接下來(lái) 5 年新能源汽車(chē)占比要提升 15%，每年滲透率平均提升約 3%，對應約 75 萬(wàn)輛的增量。

展望 2021 年，我國將成為拉升新能源車(chē)增量的主要地區：一方面，多項政策 拉動(dòng)車(chē)輛銷(xiāo)售與充電站設立；另一方面，對外牌車(chē)施行嚴格限行措施的一線(xiàn)城 市如上海，新能源車(chē)牌不在限行規范內等，在多方面的刺激下，新能源車(chē)的銷(xiāo) 售將回升至全球平均值之上。

多重因素驅動(dòng)下，新能源汽車(chē)景氣度高企

全球汽車(chē)市場(chǎng)規模超過(guò) 3.5 億美元，年均銷(xiāo)量 9000 萬(wàn)輛左右，汽車(chē)行業(yè)成為一 個(gè)龐大的支柱性產(chǎn)業(yè)。2009 年中國汽車(chē)銷(xiāo)量首次超越美國，至今已連續 11 年 穩居全球第一大汽車(chē)市場(chǎng)，近幾年汽車(chē)銷(xiāo)量穩定在 2500 萬(wàn)輛/年左右。

2010 年新能源汽車(chē)被國務(wù)院確定為七大戰略性新興產(chǎn)業(yè)之一，行業(yè)于 2014 年 后開(kāi)始進(jìn)入高速增長(cháng)通道，從 2015 年開(kāi)始國內新能源車(chē)銷(xiāo)量穩居全球第一。 2019 年中國新能源汽車(chē)銷(xiāo)量共計 120.6 萬(wàn)輛，占全球 221 萬(wàn)輛的一半以上。

2020 年 11 月，國務(wù)院辦公廳印發(fā)了《新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃（2021-2035）》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《規劃》），提出到 2025 年，新能源汽車(chē)新車(chē)銷(xiāo)量將達到汽車(chē)總銷(xiāo) 量的 20%，預計 500-600 萬(wàn)輛。未來(lái) 5 年中國的新能源汽車(chē)行業(yè)將迎來(lái)近 40% 的復合增速，顯示行業(yè)超高的景氣度。

多角度因素考慮，新能源汽車(chē)優(yōu)勢明顯

在成本、效率和環(huán)保的驅動(dòng)下，新能源汽車(chē)注定成為未來(lái)汽車(chē)的主流形態(tài)：

從成本角度看，目前國家補貼和地方政府補貼相對較高，同時(shí)新能源汽車(chē)能耗 費用以及保養費用較低，從車(chē)輛的全生命周期角度看， 新能源汽車(chē)的全生命周期成本低于燃油汽車(chē)。

從技術(shù)角度看，在汽車(chē)智能化大趨勢下，電動(dòng)汽車(chē)在承接自動(dòng)駕駛性能方面更 具優(yōu)勢。和燃油車(chē)相比，電動(dòng)車(chē)整體結構更加簡(jiǎn)化，計算機和其他電子設備更 易與汽車(chē)控制器接口銜接，與智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)相結合更具能耗優(yōu)勢。

從環(huán)保角度看，歐美繼續推行嚴格的排放標準，美國加州政府要求 2035 年起， 加州銷(xiāo)售的每輛新車(chē)必須實(shí)現零排放。我國新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃中提出到 2025 年，新能源汽車(chē)新車(chē)銷(xiāo)售量達到汽車(chē)新車(chē)銷(xiāo)售總量的 20%左右。

汽車(chē)電動(dòng)化推動(dòng)功率半導體量?jì)r(jià)齊升

汽車(chē)電子拉動(dòng)半導體整體需求

從傳統燃料汽車(chē)到新能源汽車(chē)，半導體在汽車(chē)領(lǐng)域的占比逐年增加，汽車(chē)含硅 量大大提升。2019 年全球半導體行業(yè)市場(chǎng)規模為 4121 億美元，其中汽車(chē)行業(yè) 貢獻 12.3%的營(yíng)收。2010-2019 年汽車(chē)成為半導體行業(yè)需求增長(cháng)最快的行業(yè)， 年復合增速高達 9.2%，遠高于半導體行業(yè)整體 3.7%的增速水平。

汽車(chē)電動(dòng)化，半導體價(jià)值倍增

從單車(chē)半導體價(jià)值量看，混動(dòng)汽車(chē)和純電動(dòng)車(chē)半導體價(jià)值分別為 735 美元和 750 美元，相比傳統燃油汽車(chē) 450 美元大大增加。

在傳統燃油汽車(chē)中，功率半導體主要用在啟動(dòng)、停止和行車(chē)安全等領(lǐng)域。按照 傳統汽車(chē)中半導體價(jià)值 450 美元，功率器件為 50 美元，占比 10%左右。由于 新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增 至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。按照純電動(dòng)汽車(chē)半導體單車(chē)價(jià) 值 750 美元計算，功率半導體單車(chē)價(jià)值量約為 455 美元,相比傳統汽車(chē)新能源車(chē)隊功率半導體需求提升接近 9 倍。

新能源汽車(chē)半導體主賽道：功率半導體

相較于燃油汽車(chē)，電動(dòng)車(chē)新增功率器件的需求主要有三個(gè)方面：逆變器中的 IGBT 模塊；OBC、DC/DC 中的高壓 MOSFET；輔助電器中的 IGBT 分立器件。 功率半導體是新能源汽車(chē)價(jià)值量提升最多的部分，需求端主要為 IGBT、 MOSFET 及多個(gè) IGBT 集成的 IPM 模塊等產(chǎn)品，核心用于大電流和大電壓的環(huán) 境。

根據英飛凌介紹，從器件對應功率看，當功率從 100kW 增加到 200kW 以上， 對應的器件從 IGBT 到 SiC MOSFET 過(guò)渡。根據應用場(chǎng)景不同，具體對應不同 的功率器件。

新能源汽車(chē)功率半導體市場(chǎng)空間測算

根據全球新能源乘用車(chē)銷(xiāo)售量預計 2025 年約 2100 萬(wàn)輛推算，按微混（525 元）、 插電混動(dòng)（2100 元）和純電(3185 元)三類(lèi)車(chē)型功率器件成本估算，2025 年全 球新能源汽車(chē)功率半導體市場(chǎng)空間約 370 億元。

按照我國新能源汽車(chē)產(chǎn)量有望在 2025 年實(shí)現 600 萬(wàn)輛左右估算，考慮功率半 導體價(jià)格漲幅，按純電動(dòng)車(chē) EV 功率器件 800-3500 元/輛，插電混動(dòng)車(chē) PHEV （燃油動(dòng)力系統上外掛電動(dòng)系統）功率器件均為 2100 元/輛，預計國內新能源 車(chē)功率器件市場(chǎng)空間 2025 年將增至 160 億元。

細分賽道一：IGBT，汽車(chē)動(dòng)力系統的“CPU”

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上 公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT 是工業(yè)控制及自動(dòng)化 領(lǐng)域的核心元器件，其作用類(lèi)似于人類(lèi)的心臟，能夠根據工業(yè)裝置中的信號指 令來(lái)調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現精準調控的目的。保障 電子產(chǎn)品、電力設備正常運行，同時(shí)降低電壓損耗，使設備節能高效。

IGBT 是由 MOSFET 和 BJT 組成的復合功率半導體器件，既具備 MOSFET 輸 入阻抗高、控制功率小、驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)勢，也具備 BJT 通態(tài) 電流大、通電壓低、損耗小等優(yōu)點(diǎn)。其在高壓、高速、大電流等方面相比其他 功率半導體器件具備明顯優(yōu)勢，是未來(lái)功率半導體應用的主要發(fā)展方向。

從上世紀 80 年代至今，IGBT 經(jīng)歷了數代更新發(fā)展，從平面穿通型（PT）到溝 槽型電場(chǎng)—截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線(xiàn)寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷 時(shí)間、功率損耗等各項指標經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從 600V 提高到 6500V 以上。IGBT 技術(shù)不斷更新是提高耐壓水平和減小損耗以達到下游領(lǐng)域 的需求。采用新架構的 IGBT 通過(guò)降低關(guān)斷時(shí)間和通態(tài)壓降來(lái)減少功率損耗， 提高斷態(tài)電壓水平，同時(shí)新工藝使得面積更小，工作溫度更高，成本更低。

IGBT 未來(lái)發(fā)展趨勢主要薄片工藝，目的在于減小襯底電阻和較少熱阻而達到進(jìn) 一步減少損耗。在管芯上主要增加器件面積，提高電流密度。同時(shí)為了進(jìn)一步 降低制造成本，硅片也從一開(kāi)始的 5 英寸到現在主流的 8 英寸和 12 英寸，折 算后每顆芯顆成本可進(jìn)一步降低。

技術(shù)方面。在新能源汽車(chē)中 IGBT 應用范圍一般在電壓 600V 以上，電流 10A 以上或頻率 1KHz 以上的區域，主要對應高電壓環(huán)境的電力驅動(dòng)系統，電機控 制系統及車(chē)載充電器，單車(chē) IGBT 價(jià)值約 400 美元左右。

電力驅動(dòng)系統主要用在逆變器 DC-AC 中，將充電電池 12V 的直流電轉換成為 驅動(dòng)電機 220V 的交流電驅動(dòng)電機工作。電機控制系統上需要用到幾十個(gè) IGBT， 從電池輸出高電壓后，需通過(guò) DC-DC 變化為低電壓后供汽車(chē)低壓網(wǎng)絡(luò )使用， 例如特斯拉的三相交流異步電機，每相用 28 個(gè) IGBT 累計 84 個(gè)，其他電機 12個(gè) IGBT，特斯拉總共用到 96 個(gè) IGBT。

電控系統是電動(dòng)車(chē)價(jià)值量第二大單個(gè)部件，單個(gè)電動(dòng)車(chē)中電控采購成本約為 3000-5000 元，其中 IGBT 在電控成本中占比高達 41%，是電控核心部件，其 功能主要是完成車(chē)載充電器上電流變化。除此之外，IGBT 亦用于空調系統， PCT 加熱器等小功率逆變部分。

IGBT 市場(chǎng)規?？臻g較大，全球 IGBT 市場(chǎng) 2018 年規模約為 62.24 億美元，預計 2025 年達到 95 億美元。我國 IGBT 市場(chǎng)規模 2019 年達 155 億元，根據 Trendforce 預測，受益于新能源汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國 IGBT 市場(chǎng)規模將持續增長(cháng)，預計到 2025 年中國 IGBT 市場(chǎng)規模將達到 526 億元（75 億美金），年復合增長(cháng)率達 19.11%。

競爭格局。目前 IGBT 芯片基本都被外資壟斷，我國 IGBT 高度依賴(lài)進(jìn)口。根據 英飛凌對 2018 年全球市場(chǎng)格局的統計，模組端斯達半導作為唯一國產(chǎn)公司躋 身前十位，市場(chǎng)占比 2.2%。從汽車(chē)功率半導體公司上看，前 5 大企業(yè)主要為英 飛凌、STM 等外資企業(yè)，市占率達到 63%，整體市場(chǎng)還是被海外壟斷。

除斯達半導外，中車(chē)時(shí)代電氣及比亞迪為國內 IGBT 自主研發(fā)領(lǐng)軍企業(yè)。根據 2019 年國內車(chē)規級 IGBT 市場(chǎng)統計，前 10 名供應商中三家中國企業(yè)（比亞迪、 斯達半導、中車(chē)時(shí)代電氣）的市場(chǎng)份額合計僅 20.4％，國產(chǎn)化程度低。相對全 球整體市場(chǎng)，國內市場(chǎng)生態(tài)相對寬松，國產(chǎn)品牌獲得相對更高的市場(chǎng)份額。

整體上看 IGBT 市場(chǎng)空間大，且目前國產(chǎn)化程度低，車(chē)規級 IGBT 國產(chǎn)化替代空 間大。目前國產(chǎn)龍頭已進(jìn)入頭部市場(chǎng)，且技術(shù)發(fā)展較快，在政策和資本大力支 持下，國內廠(chǎng)商有望打開(kāi)市場(chǎng)缺口占領(lǐng)部分市場(chǎng)份額。

細分賽道二：第三代半導體 SiC 等器件嶄露頭角

硅是半導體行業(yè)第一代基礎材料，目前全球 95%以上的集成電路元器件是以硅 為襯底制造的。半導體材料經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，可以分為三代：

第一代半導體材料：鍺、硅等單晶半導體材料，硅擁有 1.1eV 的禁帶寬度以及 氧化后非常穩定的特性。 第二代半導體材料：砷化鎵、銻化銦等化合物半導體材料，砷化鎵擁有 1.4 電 子伏特的禁帶寬度以及比硅高五倍的電子遷移率。

第三代半導體材料：以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，有更高飽 和漂移速度和更高的臨界擊穿電壓等突出優(yōu)點(diǎn)，適合大功率、高溫、高頻、抗 輻照應用場(chǎng)合。

半導材料發(fā)展至今，第一代硅材料半導體已經(jīng)接近完美晶體?；诠璨牧仙掀? 件的設計和開(kāi)發(fā)也經(jīng)過(guò)了許多代的結構和工藝優(yōu)化和更新，正在逐漸接近硅材 料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來(lái)愈小。以氮化鎵、碳化硅為 代表的第三代半導體具備優(yōu)異的材料物理特性，為進(jìn)一步提升電力電子器件的 性能提供了更大的空間。

第三代半導體由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點(diǎn)，又稱(chēng)為寬禁帶半導體， 主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二 代的砷化鎵有所區別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、 高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應高溫、高功率、高壓、高 頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件，可有效突破傳統硅基功率 半導體器件及其材料的物理極限。

SiC 與 Si 相比，在耐高壓、耐高溫、高頻等方面具備碾壓優(yōu)勢，是材料端革命 性的突破。在耐高壓方面，SiC 擊穿場(chǎng)強是 Si 的 10 倍，這意味著(zhù)同樣電壓等 級的 SiC MOSFET 晶圓的外延層厚度只需要 Si 的十分之一，對應的漂移區阻抗大大降低，且 SiC 禁帶寬度是 Si 的 3 倍，導電能力更強。在耐高溫方面， SiC 熱導率及熔點(diǎn)非常高，是 Si 的 2-3 倍。在高頻方面，SiC 電子飽和速度是 Si 的 2-3 倍，能夠實(shí)現 10 倍的工作頻率。

根據 Rohm 對 SiC MOSFET 在汽車(chē)應用中的進(jìn)度預測，隨著(zhù)技術(shù)成熟，SiC MOSFET 將逐漸替代部分 Si MOSFET。通過(guò)采用全 SiC 功率模塊制造的逆變 器可以使開(kāi)關(guān)損耗降低 75％（芯片溫度為 150°C），逆變器尺寸下降 43%， 重量輕 6kg，最終汽車(chē)連續續航距離增加 20-30%。

目前 SiC 市場(chǎng)滲透率相對較低，根據 Cree 對 SiC 器件的預測，18 年全球 SiC 的器件銷(xiāo)售額 4.2 億美元，預計在 2024 年達到 50 億美元。特斯拉 2018 年將 SiC 用于 Model 3 后，超過(guò) 90%電動(dòng)車(chē)廠(chǎng)決定要用 SiC，整個(gè)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈 出現 SiC 缺貨。

從競爭格局上看，Cree、Rohm、ST 都已形成了 SiC 襯底-外延-器件-模塊垂直 供應的體系，而 Infineon、Bosch、On Semi 等廠(chǎng)商則購買(mǎi) SiC 襯底，隨后自 行進(jìn)行外延生長(cháng)并制作器件及模塊。目前 SiC 市場(chǎng)的供給牢牢把控在襯底廠(chǎng)商 手里，Cree、II-VI 及 Si-Crystal（Rohm 旗下）合計占據了 90%的出貨量，而 器件及模組的供應商中 Cree、Rohm、Infineon 及 ST 合計占據了超過(guò) 70%的 市場(chǎng)份額，但總體上由于市場(chǎng)目前還處于初期階段，滲透率較低，未來(lái)幾年的 競爭格局還有較大不確定性。

目前我國 SiC 方面也有多個(gè)玩家加入，在材料端有多家公司進(jìn)入賽道，例如天 科合達和山東天岳；在外延方面有瀚天天成、東莞天域、三安集成、中電科等。 三安是目前第三代半導體布局最全的龍頭企業(yè)，下游有多家整車(chē)廠(chǎng)商及功率器 件廠(chǎng)商都加入到該賽道中。

整體上看 SiC 功率器件市場(chǎng)滲透率較低，增速較快，目前行業(yè)內企業(yè)還處于跑 馬圈地階段，市場(chǎng)競爭格局存在不確定性，國內廠(chǎng)商有望在未來(lái)的增量市場(chǎng)中 獲得一定份額。

國內外功率半導體重點(diǎn)企業(yè)分析（參見(jiàn)原報告）

比亞迪

比亞迪半導體公司是比亞迪子公司，是中國最大的車(chē)規級 IGBT 廠(chǎng)商。公司主 要業(yè)務(wù)覆蓋功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導體的研發(fā)、生產(chǎn) 及銷(xiāo)售，以 IDM 模式，擁有包含芯片設計、晶圓制造、封裝測試和下游應用在 內的一體化經(jīng)營(yíng)全產(chǎn)業(yè)鏈。根據科創(chuàng )板日報消息，目前比亞迪車(chē)規級的 IGBT 已到 5 代，碳化硅 MOSFET 已到 3 代，自有 SiC 產(chǎn)線(xiàn)正在建設中。比亞迪旗 艦車(chē)型漢 EV 四驅版是國內首款批量搭載 SiC MOSFET 組件的車(chē)型，按照比亞迪公布的計劃，預計到 2023 年，其旗下電動(dòng)車(chē)將實(shí)現碳化硅功率半導體全面 替代，整車(chē)性能在現有基礎上再提升 10％。

斯達半導

斯達半導自成立以來(lái)一直從事以 IGBT 為主的功率半導體芯片和模塊的設計研 發(fā)和生產(chǎn)，并以 IGBT 模塊形式對外實(shí)現銷(xiāo)售。根據 IHS Markit 的數據，2018 年公司在全球 IGBT 模塊市場(chǎng)排名第八，在國內企業(yè)中排名第一。目前已實(shí)現 自主設計并量產(chǎn) IGBT 國際第六代芯片（FS-Trench），并掌握相應封裝工藝， 打破了國外功率半導體巨頭長(cháng)期實(shí)現 IGBT 芯片的壟斷。除了 IGBT 之外，公司 產(chǎn)品同時(shí)還有 MOSFET 模塊、晶閘管、SiC 功率器件等。日前，公司發(fā)布投資 約 2.29 億元建設全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項目公告，預計項目建設周期 2 年， 建成后項目將有年產(chǎn) 8 萬(wàn)顆車(chē)規級全碳化硅功率模組生產(chǎn)線(xiàn)和研發(fā)測試中心。

2019 年公司營(yíng)收實(shí)現 7.79 億元，同比增長(cháng) 15.41%，凈利潤實(shí)現 1.36 億元， 同比增長(cháng) 40.74%。近五年公司營(yíng)收和凈利潤復合增長(cháng)率分別達 32.6%和 62.81%。2019 年 IGBT 模塊的銷(xiāo)售收入占營(yíng)業(yè)收入的 97%，其中 1200V IGBT 模塊的銷(xiāo)售收入占營(yíng)業(yè)收入的 73%，是公司的主要產(chǎn)品。 其他電壓 IGBT 模塊收入占比 24%。

其他產(chǎn)品占比較小，包括 MOSFET 模 塊、整流及快恢復二極管模塊等，占營(yíng)業(yè)收入的 3%。公司 IGBT 模塊產(chǎn)品豐 富，種類(lèi)齊全，覆蓋工業(yè)級、汽車(chē)級和家電領(lǐng)域的應用。目前，公司 IGBT 產(chǎn) 品種類(lèi)超過(guò) 600 種，電壓等級涵蓋 100V～3300V，電流等級涵蓋 10A～3600A。

中車(chē)時(shí)代電氣

中車(chē)時(shí)代半導體是中車(chē)時(shí)代電氣子公司，主要生產(chǎn)大功率晶閘管、IGCT、IGBT 及 SiC 器件及其組件，以 IDM 模式，聚焦軌道交通、高壓輸配電和新能源市場(chǎng)， 著(zhù)眼于推進(jìn)新能源汽車(chē)組件配套建設項目，包括電控、電機、IGBT、傳感器在 內的系統集成。目前，公司功率器件產(chǎn)品要應用于軌道交通、新能源汽車(chē)、光 伏逆變器等領(lǐng)域，IGBT 已覆蓋 750 V-6500 V，SiC 器件已覆蓋 650 V-1700 V， 700V、3300V 混合 SiC 牽引變流器以及 3300V 全 SiC 牽引變流器已規模應用。

三安光電

三安集成是三安光電子公司，三安集成電路涵蓋微波射頻、高功率電力電子、 光通訊等領(lǐng)域的化合物半導體制造平臺，以 IDM 模式，具備襯底材料、外延生長(cháng)、以及芯片制造能力。公司 2020 年以來(lái)銷(xiāo)售出貨大幅增長(cháng)，實(shí)現銷(xiāo)售收入 3.75 億元，同比增長(cháng) 680.48%。

砷化鎵射頻出貨客戶(hù)累計將近 100 家、氮化鎵射頻產(chǎn)品重要客戶(hù)產(chǎn)能正逐步爬 坡；電力電子產(chǎn)品客戶(hù)累計超過(guò) 60 家，27 種產(chǎn)品已進(jìn)入批量量產(chǎn)階段；光通 訊業(yè)務(wù)除擴大現有中低速 PD/MPD 產(chǎn)品的市場(chǎng)領(lǐng)先份額外，高端產(chǎn)品 10G APD/25G PD、VCSEL 和 DFB 發(fā)射端產(chǎn)品均已在行業(yè)重要客戶(hù)處驗證通過(guò)， 進(jìn)入批量試產(chǎn)階段；濾波器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)性能優(yōu)越，產(chǎn)線(xiàn)持續擴充及備貨中。 目前，公司已經(jīng)完成 SIC MOSFET 器件量產(chǎn)平臺的打造，1200V 80mΩ產(chǎn)品 已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，可廣泛適用于光伏逆變器、 開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓 DC/DC、新能源充電和電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域。

英飛凌(Infineon)

英飛凌科技公司于 1999 年在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導體公司 之一。公司前身為西門(mén)子集團的半導體部門(mén)，于 1999 年獨立，2000 年上市。 公司作為國際半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新的領(lǐng)導者，為有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信、汽車(chē)及工業(yè)電子、 內存、計算機安全以及芯片卡市場(chǎng)提供先進(jìn)的半導體產(chǎn)品及完整的系統解決方 案。截止 2020 年 12 月 18 日，英飛凌科技公司市值為 405 億美金，靜態(tài)估值 為 42 倍。

作為功率半導體領(lǐng)導者，英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家提供覆蓋硅、碳化硅和氮化 鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司，擁有高性?xún)r(jià)比的第七代 CoolMOS?、基于 第三代寬禁帶半導體的高性能 CoolSiC?與 CoolGaN?、以及支持更高頻率應 用的第六代 OptiMOS?等豐富產(chǎn)品組合，從芯片技術(shù)層面提升電源效率。同時(shí) 英飛凌也是 IGBT 技術(shù)領(lǐng)導者，根據 IHS Markit 最新數據，英飛凌在全球 IGBT 市場(chǎng)市占率達 34.5%。

公司在汽車(chē)半導體領(lǐng)域深耕多年，近 20 年公司汽車(chē)半導體收入逐年上升，復合 增速約為 10.1%。隨著(zhù) 2015 年新能源汽車(chē)市場(chǎng)的增長(cháng)，汽車(chē)半導體收入增幅 及市場(chǎng)份額逐年擴大，目前公司已成為汽車(chē)半導體最大的供應廠(chǎng)商。

2020 年第三季度汽車(chē)事業(yè)部收入 10 億歐元，環(huán)比增加 29.08% ， 同 比 增 加 17.81%。根據公司三季報說(shuō)明，收入大幅增加主要源于電動(dòng)車(chē)以及 MCU 銷(xiāo)量 的增加。從收入構成上看，2020 年公司功率半導體收入 55%，其中約一半來(lái) 自于新能源汽車(chē)和自動(dòng)駕駛部分的需求。

從公司歷史估值情況看，2020 年公司 PE 倍數持續走高，在 2020 年 9 月后市 盈率大幅上升，究其原因主要是新能源車(chē)歐洲市場(chǎng) 2020 年的爆發(fā)。根據歐洲 汽車(chē)制造商協(xié)會(huì )（ACEA）的統計，歐洲新能源車(chē)注冊量在 2020 年明顯增加， 第三季度大幅增加至 27 萬(wàn)輛左右，同比增加 221.6%，環(huán)比增加 111.69%。

根據英飛凌對未來(lái)新能源汽車(chē)市場(chǎng)預測，2023 年全球新能源市場(chǎng)滲透率將超過(guò) 23%，2027 年將超過(guò) 50%。未來(lái)公司重點(diǎn)布局 SiC 功率模組為基礎的升級版 電動(dòng)車(chē)平臺，同時(shí) SiC MOSFET 業(yè)務(wù)借由 IGBT 的大量客戶(hù)優(yōu)勢將迅速增長(cháng)， 預計汽車(chē)半導體整體銷(xiāo)量有大幅增加。

三菱電機

三菱電機株式會(huì )社是三菱集團的核心企業(yè)之一，成立于 1921 年。根據三菱電 機株式會(huì )社 2019 年年報，截至 2019 年 3 月 31 日，公司員工數量達 145,817 人。三菱電機在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電 等市場(chǎng)占據著(zhù)重要的地位。三菱電機的半導體產(chǎn)品包括功率模塊（IGBT、IPM、 MOSFET 等）、微波/射頻和高頻光器件、光模塊和標準工業(yè)用的 TFTLCD 等。

作為全球領(lǐng)先的 IGBT 企業(yè)，三菱電機在中等電壓、高電壓 IGBT 領(lǐng)域處于領(lǐng) 先地位。根據 IHSMarkit 2018 年報告，2017 年全球市場(chǎng)占有率為 17.90%， 僅次于英飛凌。

風(fēng)險提示

核心假設或邏輯的主要風(fēng)險

1、 新能源汽車(chē)市場(chǎng)銷(xiāo)售量不及預期；

2、 歐美新能源汽車(chē)品牌對國內企業(yè)形成壓力，國產(chǎn)化進(jìn)度不及預期；

3、 科技研發(fā)不及預期，車(chē)規級功率器件國產(chǎn)化不及預期。

4、 中美科技貿易戰導致國內企業(yè)采購設備及材料方面受到限制，技術(shù)及產(chǎn)出 受到限制，導致業(yè)務(wù)低于預期。