華虹半導體持續打造卓越eNVM工藝平臺

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)—— 華虹半導體有限公司 （ “華虹半導體” 或 “公司” ）近日宣布，其95納米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工藝平臺通過(guò)不斷的創(chuàng )新升級，技術(shù)優(yōu)勢進(jìn)一步增強，可靠性相應大幅提升。

華虹半導體95納米SONOS eNVM工藝技術(shù)廣泛應用于微控制器（MCU）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等領(lǐng)域，具有穩定性好、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。相對上一代技術(shù)，95納米SONOS eNVM 5V工藝實(shí)現了更小設計規則，獲得了同類(lèi)產(chǎn)品芯片面積的縮??；邏輯部分芯片門(mén)密度較現有業(yè)界同類(lèi)工藝提升超過(guò)40%，達到業(yè)界領(lǐng)先水平；所需光罩層數較少，能夠提供更具成本效益的解決方案。同時(shí)，95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領(lǐng)先的器件性能，存儲介質(zhì)擦/寫(xiě)特性達到了2毫秒的先進(jìn)水平；低功耗器件驅動(dòng)能力提高20%，僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應用。

華虹半導體持續深耕，95納米SONOS eNVM采用全新的存儲器結構以及優(yōu)化操作電壓，大大提高了閾值電壓的窗口。在相同測試條件下，SONOS IP的擦寫(xiě)能力達到1000萬(wàn)次，可靠性提升20倍；在85℃條件下，數據保持能力可長(cháng)達30年，處于國際領(lǐng)先水平。華虹半導體致力于持續優(yōu)化工藝水平，在提升數據保持能力條件下，同時(shí)提升擦寫(xiě)次數，更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)對超高可靠性產(chǎn)品的需求。  

此外，隨著(zhù)高可靠性工藝平臺及衍生工藝受到青睞，公司基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋MTP（Multi-Time Programmable Memory）應用。通過(guò)簡(jiǎn)化設計、優(yōu)化IP面積和減少測試時(shí)間等，在IP面積、測試時(shí)間、使用功耗和擦寫(xiě)能力上比MTP性能更優(yōu)，更具競爭力。在此基礎上增加配套的可選器件，進(jìn)一步滿(mǎn)足電源管理和RF類(lèi)產(chǎn)品的需求。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士 表示：“嵌入式非易失性存儲器技術(shù)向來(lái)是華虹半導體的 ‘王牌’之一，一直保持著(zhù)業(yè)界領(lǐng)先地位，為廣大MCU客戶(hù)提供了靈活多樣的技術(shù)平臺。在‘8英寸+12英寸’戰略定位的指引下，公司在8英寸平臺上，通過(guò)縮小存儲單元IP面積、減少光罩層數等方式來(lái)進(jìn)一步強化嵌入式閃存技術(shù)工藝；同時(shí)，我們發(fā)揮12英寸平臺更小線(xiàn)寬特性，打造高性能的嵌入式非易失性存儲器工藝技術(shù)平臺，在鞏固智能卡芯片制造領(lǐng)航者地位的同時(shí)，滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)、MCU、汽車(chē)電子等高增長(cháng)的市場(chǎng)需求?！?/p>