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華虹半導體持續打造卓越eNVM工藝平臺

作者:華虹半導體有限公司 時(shí)間:2020-07-20 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)—— 華虹半導體有限公司 ( “華虹半導體” 或 “公司” )近日宣布,其95納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)工藝平臺通過(guò)不斷的創(chuàng )新升級,技術(shù)優(yōu)勢進(jìn)一步增強,可靠性相應大幅提升。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202007/415866.htm

華虹半導體95納米SONOS eNVM工藝技術(shù)廣泛應用于微控制器()、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域,具有穩定性好、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。相對上一代技術(shù),95納米SONOS eNVM 5V工藝實(shí)現了更小設計規則,獲得了同類(lèi)產(chǎn)品芯片面積的縮??;邏輯部分芯片門(mén)密度較現有業(yè)界同類(lèi)工藝提升超過(guò)40%,達到業(yè)界領(lǐng)先水平;所需光罩層數較少,能夠提供更具成本效益的解決方案。同時(shí),95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領(lǐng)先的器件性能,存儲介質(zhì)擦/寫(xiě)特性達到了2毫秒的先進(jìn)水平;低功耗器件驅動(dòng)能力提高20%,僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應用。

華虹半導體持續深耕,95納米SONOS eNVM采用全新的存儲器結構以及優(yōu)化操作電壓,大大提高了閾值電壓的窗口。在相同測試條件下,SONOS IP的擦寫(xiě)能力達到1000萬(wàn)次,可靠性提升20倍;在85℃條件下,數據保持能力可長(cháng)達30年,處于國際領(lǐng)先水平。華虹半導體致力于持續優(yōu)化工藝水平,在提升數據保持能力條件下,同時(shí)提升擦寫(xiě)次數,更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)對超高可靠性產(chǎn)品的需求。  

此外,隨著(zhù)高可靠性工藝平臺及衍生工藝受到青睞,公司基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋(Multi-Time Programmable Memory)應用。通過(guò)簡(jiǎn)化設計、優(yōu)化IP面積和減少測試時(shí)間等,在IP面積、測試時(shí)間、使用功耗和擦寫(xiě)能力上比性能更優(yōu),更具競爭力。在此基礎上增加配套的可選器件,進(jìn)一步滿(mǎn)足電源管理和RF類(lèi)產(chǎn)品的需求。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士 表示:“嵌入式非易失性存儲器技術(shù)向來(lái)是華虹半導體的 ‘王牌’之一,一直保持著(zhù)業(yè)界領(lǐng)先地位,為廣大客戶(hù)提供了靈活多樣的技術(shù)平臺。在‘8英寸+12英寸’戰略定位的指引下,公司在8英寸平臺上,通過(guò)縮小存儲單元IP面積、減少光罩層數等方式來(lái)進(jìn)一步強化嵌入式閃存技術(shù)工藝;同時(shí),我們發(fā)揮12英寸平臺更小線(xiàn)寬特性,打造高性能的嵌入式非易失性存儲器工藝技術(shù)平臺,在鞏固智能卡芯片制造領(lǐng)航者地位的同時(shí),滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)、、汽車(chē)電子等高增長(cháng)的市場(chǎng)需求?!?/p>



關(guān)鍵詞: MCU MTP

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