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NexperiaP溝道MOSFET,采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準,適合汽車(chē)應用,可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品,在保證性能的基礎上,將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇,導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構,由Nexperia率先應用,已在汽車(chē)等要求
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