傳Intel 2021年用上臺積電6nm 2022年直接上馬3nm工藝

在半導體工藝上,Intel的10nm已經(jīng)量產(chǎn),但是官方也表態(tài)其產(chǎn)能不會(huì )跟22nm、14nm那樣大,這或許是一個(gè)重要的信號。此前業(yè)界多次傳出Intel也會(huì )外包芯片給臺積電,最新爆料稱(chēng)2022年Intel也會(huì )上臺積電3nm。

來(lái)自業(yè)界消息人士@手機晶片達人的爆料稱(chēng),Intel預計會(huì )在2021年大規模使用臺積電的6nmn工藝,目前正在制作光罩(Mask)了。

在2022年Intel還會(huì )進(jìn)一步使用臺積電的3nm工藝代工。

在更早的爆料中,手機晶片達人指出Intel 2021年開(kāi)始外包外公的主要是GPU及芯片組,還警告說(shuō)2021年蘋(píng)果、海思、Intel及AMD會(huì )讓產(chǎn)能非常緊張。

假如Intel真的打算擴大外包,除了已經(jīng)部分外包的芯片組之外,首當其沖的就是GPU,因為GPU相對CPU制造來(lái)說(shuō)更簡(jiǎn)單一些,而且臺積電在GPU制造上很有經(jīng)驗。

結合之前的消息來(lái)看,Intel的Xe架構獨顯DG1使用的是自家10nm工藝制造,今年底上市,擁有96組EU執行單元,一共是768個(gè)核心,基礎頻率1GHz,加速頻率1.5GHz,1MB二級緩存以及3GB顯存,TDP為25W。

預計DG1的性能與GTX950相當,比GTX 1050則差了15%左右,總體定位不高,適合高能效領(lǐng)域,尤其是筆記本GPU。

DG1之后還會(huì )有DG2獨顯,這就是一款高性能CPU了,之前爆料DG2會(huì )用上臺積電的7nm工藝,現在來(lái)看應該是7nm改良版的6nm工藝了。

不過(guò)2021年Intel自己的7nm工藝也會(huì )量產(chǎn),官方早已宣布用于數據中心的Ponte Vecchio加速卡會(huì )使用自家的7nm EUV工藝。