博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開(kāi)工

近日，南湖區舉行一季度重大項目集中開(kāi)竣工活動(dòng)，參加本次集中開(kāi)竣工活動(dòng)的項目共54個(gè)，總投資達219.96億元，開(kāi)竣工項目數量、總投資以及項目平均投資額均創(chuàng )南湖區歷史新高。主會(huì )場(chǎng)開(kāi)工儀式設在嘉興科技城的浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目現場(chǎng)。

博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目是第三代半導體材料示范項目，也是嘉興南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺的第二個(gè)標志性項目。該項目總投資25億元，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司將引進(jìn)6寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)兼容4寸氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)設備。該項目將分兩期實(shí)施，項目全部達產(chǎn)后可實(shí)現年銷(xiāo)售30億元以上，年稅收6600萬(wàn)元以上。

“預期在明年二季度就能達成試產(chǎn)，明年可以批量生產(chǎn)?！?浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司董事長(cháng)張博說(shuō)，該項目從接觸洽談到開(kāi)工只用了大約半年時(shí)間，在疫情期間，南湖區、嘉興科技城的工作人員也一直與企業(yè)保持聯(lián)系，通過(guò)電話(huà)、視頻等一起抓好項目推進(jìn)，“我們非常認可嘉興南湖的辦事效率和優(yōu)質(zhì)的營(yíng)商環(huán)境?！?/p>

據介紹，該項目的實(shí)施將拉開(kāi)氮化鎵半導體國產(chǎn)替代的大幕，因為氮化鎵在全球都是非常緊缺的芯片資源，國內90%以上依賴(lài)進(jìn)口，所以急需這樣的產(chǎn)品來(lái)完成替代。氮化鎵屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數據中心、通信設備、智能電網(wǎng)及太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。