Intel眼中的“假7nm” 臺積電：N7制程節點(diǎn)命名遵循慣例、確非物理尺度

基于三星5nm工藝的高通驍龍X60基帶已發(fā)布,臺積電下半年也將基于5nm(N5)為蘋(píng)果代工A14、華為代工麒麟1020等芯片。

顯然,這對于仍在打磨14nm并在10nm供貨能力掙扎的Intel來(lái)說(shuō),似乎并不利。

不過(guò),Intel早在2017年就撰文抨擊行業(yè)內關(guān)于流程節點(diǎn)命名的混亂,時(shí)任工藝架構和集成總監的Mark Bohr呼吁晶圓廠(chǎng)們建立套統一的規則來(lái)命名先進(jìn)制程,比如晶體管密度。而且以這個(gè)標準來(lái)看的話(huà),Intel的10nm甚至比競品的7nm還要優(yōu)秀。

此后,坊間的挺I派喊出三星、臺積電是“假7nm”的口號。

對此,臺積電營(yíng)銷(xiāo)負責人Godfrey Cheng做客AMD webinar活動(dòng)時(shí)回應,從0.35微米(350nm)開(kāi)始,所謂的工藝數字就不再真正代表物理尺度了。他解釋,7nm/N7是一種行業(yè)標準化術(shù)語(yǔ)而已,之后還有N5等等。

他同樣認為“需要尋求一種全新的、對工藝節點(diǎn)不同的描述化語(yǔ)言?！?/p>

按照Intel的建議,以邏輯晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米的百萬(wàn)晶體管數)來(lái)作為定義工藝節點(diǎn)的指標,將掃描觸發(fā)器和NAND2密度考慮進(jìn)去,同時(shí)報告SRAM單元規模。