Microchip全新EERAM存儲器解決方案，可降低存儲器成本并在斷電時(shí)提供數據保護

從智能電表到生產(chǎn)線(xiàn)，需要進(jìn)行重復任務(wù)數據記錄的應用必須能夠在處理過(guò)程中斷電的情況下自動(dòng)恢復內容。按照每比特存儲單價(jià)計算，目前用于這些數據記錄的低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布推出全新系列的串行外設接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品，與當前的串行NVRAM產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可為系統設計人員節省高達25%的成本。新系列產(chǎn)品為Microchip的EERAM產(chǎn)品陣容增添了范圍從64 Kb到1 Mb不等的四種可靠SPI密度。

  EERAM是一種獨立非易失性RAM存儲器，使用與串行SRAM相同的SPI和I2C協(xié)議，可使器件在斷電期間保留SRAM內容，而無(wú)需使用外部電池。用戶(hù)幾乎看不見(jiàn)該器件的所有非易失性部分。當器件檢測到電源耗盡時(shí)，會(huì )自動(dòng)將SRAM數據傳輸到非易失性存儲器中，并在電源恢復供電時(shí)再將數據移回到SRAM中。以生產(chǎn)線(xiàn)為例，工作站在其整個(gè)生命周期中會(huì )處理高達數百萬(wàn)個(gè)任務(wù)，而在任務(wù)期間丟失數據可能會(huì )造成生產(chǎn)線(xiàn)檢修或物品報廢。EERAM在這些場(chǎng)景中會(huì )自動(dòng)存儲SRAM內容，從而使生產(chǎn)線(xiàn)可從任務(wù)中斷處開(kāi)始，恢復運行。

EERAM價(jià)格之所以較低，是因為使用了標準的互補金屬氧化物半導體（CMOS）和閃存工藝。因為這些器件采用的是產(chǎn)量最高，使用最廣泛的工藝，因此可提供業(yè)界最佳的可靠性和最低的成本。而諸如鐵電RAM（FRAM）的替代解決方案采用的則是特殊工藝，不但成本高，而且長(cháng)期供貨不穩。全新EERAM系列具有Microchip以客戶(hù)驅動(dòng)的“淘汰模式”，有助于確保在客戶(hù)需要的時(shí)間內為其供貨。

Microchip存儲器產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“EERAM為系統設計人員提供了系統所需的可靠且高性?xún)r(jià)比的非易失性RAM解決方案。幾年前，我們首次推出了4 Kb和16 Kb密度產(chǎn)品，取得了良好的市場(chǎng)反響。我們的全新系列產(chǎn)品首次提供SPI接口，并將密度擴展到了1兆位，為滿(mǎn)足客戶(hù)的系統設計需求提供了更多選擇?！?/p>

供貨與定價(jià)

下列器件采用8引腳SOIC、SOIJ和DFN封裝，已正式量產(chǎn)。 10,000枚起售，單價(jià)為：

·       48L640（64 Kb SPI），每片0.70美元起

·            48L256（256 Kb SPI），每片1.40美元起

·            48L512（512 Kb SPI），每片2.10美元起

·            48LM01（1 Mb SPI），每片2.90美元起