安森美半導體推出新的以太網(wǎng)供電(PoE)方案 支持IoT端點(diǎn)日增的功率需求

推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，憑借不斷增長(cháng)的符合IEEE802.3bt標準的產(chǎn)品和技術(shù)陣容引領(lǐng)行業(yè)。以太網(wǎng)供電(PoE)使用新的IEEE802.3bt標準，可用于通過(guò)局域網(wǎng)(LAN)聯(lián)接提供高達90 W的高速互聯(lián)。安森美半導體的方案不僅支持新標準的功率限制，還將功率擴展到100 W用于電信和數字標識等系統。

新的IEEE802.3bt PoE標準有潛力變革物聯(lián)網(wǎng)(IoT)所涉及的每個(gè)垂直市場(chǎng)，使更精密的端點(diǎn)可在更大的網(wǎng)絡(luò )運行。IEEE802.3bt標準通過(guò)新的“Autoclass”特性?xún)?yōu)化能量管理，令受電設備(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電設備(PSE)。這也令每個(gè)PSE僅向每個(gè)PD分配適當的功率量，從而最大化可用能量和帶寬。

與IEEE 802.at標準(PoE+)提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高達90 W的功率和互聯(lián)到新的應用，無(wú)需專(zhuān)用且通常為離線(xiàn)的電源。PoE將簡(jiǎn)化網(wǎng)絡(luò )拓撲，并提供更強固的“即插即用”用戶(hù)體驗。

 商業(yè)信息提供商IHS Markit電源半導體高級分析師Kevin Anderson說(shuō)：“以太網(wǎng)供電是當今電源半導體發(fā)展最快的市場(chǎng)之一，預計2017年到2022年的復合平均單位增長(cháng)率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應用，如更高功率聯(lián)接的照明、聯(lián)網(wǎng)的高分辨率監控攝像機和高性能無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)?！?/p>

NCP1095和NCP1096接口控制器構成安森美半導體PoE-PD方案的基礎，具有實(shí)施PoE接口所需的所有特性，包括檢測、自動(dòng)分類(lèi)和限流?？刂破鞑捎靡粋€(gè)外部(NCP1095)或內部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096集成的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導通電阻?？刂破髋湟訬CP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge?四通道MOSFET，為PoE應用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些器件賦能高效的PoE接口，最高可達標準的90 W功率限制，若需更高的功率，可用專(zhuān)用的100 W方案。

安森美半導體工業(yè)和離線(xiàn)電源方案副總裁Ryan Cameron說(shuō)：“作為一家講究高能效的公司，我們很高興能促進(jìn)PoE充分發(fā)揮潛力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案，使這技術(shù)更容易廣及所有開(kāi)發(fā)工程師，有助于使更多聯(lián)接的設備具有保證的互操作性?！?/p>