紫光國產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心

在今天召開(kāi)的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì )上，紫光集團展出了旗下芯片及云計算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開(kāi)展出了旗下長(cháng)江存儲研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結構，核心容量也提升到了256Gb。

根據官網(wǎng)資料，長(cháng)江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設計、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲器公司。長(cháng)江存儲為全球工商業(yè)客戶(hù)提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應用于移動(dòng)設備、計算機、數據中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。

在閃存芯片上，長(cháng)江存儲去年就小規模量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，不過(guò)核心容量只有64Gb，整體規格相比目前的主流水平有所落伍，長(cháng)江存儲也不打算大規模量產(chǎn)，今年底真正量產(chǎn)的是64層堆棧的3D閃存。

根據長(cháng)江存儲之前的介紹，他們的3D閃存采用了Xstacking堆棧結構，去年推出了Xstacking 1.0，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng )新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數百萬(wàn)根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

從展出的64層堆棧閃存來(lái)看，其核心容量已經(jīng)提升到了256Gb，是32層閃存的4倍，相比目前512Gb到1Tb的水平來(lái)說(shuō)依然有差距，但是256Gb核心的閃存在64層閃存中已經(jīng)是主流水平了，換算下來(lái)核心容量8GB了，可以輕松制造出512GB到1TB容量的SSD硬盤(pán)。

今年年底預計長(cháng)江存儲正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能，預計2020年底可望將產(chǎn)能提升帶月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規模，而明年則會(huì )跳過(guò)96層堆棧直接殺向128層堆棧，進(jìn)一步縮短與三星東芝等公司的差距。