美光展示新一代嵌入式存儲產(chǎn)品，彰顯安全及制造實(shí)力

在2019“汽車(chē)技術(shù)日”上，美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部工程總監劉群（左）與商務(wù)拓展經(jīng)理馬烈偉先生接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪(fǎng)。

如何選擇嵌入式存儲產(chǎn)品？

基本上從這幾個(gè)角度考量——速度、容量、成本，還有尺寸和設計等因素。

從存儲的定義來(lái)講，需要把握以下幾點(diǎn)。第一是存儲的容量問(wèn)題，DRAM和NAND主要看帶寬需求，速度的把控確定平臺對于存儲方案的選用。例如ADAS的算法速度會(huì )決定我們選用GDDR6或LPDDRx/DDRx，每一代產(chǎn)品所對應的速度范圍是不同的，這是根據不同工業(yè)應用需要考慮的。速度確定之后發(fā)現，LP4或者是DDR4的主要區別在于，LP4是在較小的form factor, 和低功耗情況下提供高帶寬，DDR4更多地是可拓展操作。

從存儲方面看，先要確定容量和速度接口問(wèn)題，每一種存儲需求是有一定的存儲容量范圍，可以納入客戶(hù)解決方案的考量。

另外還有成本問(wèn)題，目前的存儲技術(shù)主要是2D或者是3D，美光的PCIe SSD具備1TB的存儲容量，因為基于先進(jìn)的64層TLC技術(shù)。

新產(chǎn)品及合作動(dòng)向

首先是消費電子產(chǎn)品，美光有全球第一個(gè)1TB microSD，預計2019年下半年推出。很多人覺(jué)得1TB SD卡沒(méi)有什么改變，其實(shí)現在的SD卡比大多數芯片更薄，所以制造上面臨著(zhù)更大的挑戰。美光提供128GB和1TB的容量選擇。并以很小的封裝實(shí)現1TB的存儲容量，方法是采用了美光先進(jìn)的96層3D QLC NAND技術(shù)，提供高達100MB/s的讀取速度和95MB/s寫(xiě)入速度，同時(shí)該產(chǎn)品也滿(mǎn)足了SD卡的性能規范和其他的速度要求。

關(guān)于與合作廠(chǎng)商的開(kāi)發(fā)方面,隨著(zhù)自動(dòng)駕駛技術(shù)演進(jìn)，我們面臨一個(gè)問(wèn)題，即客戶(hù)正不斷進(jìn)行研發(fā)，會(huì )用到1TB的存儲，幾十GB的DRAM，并且對速度要求更高，這就為存儲廠(chǎng)商帶來(lái)了挑戰，例如高通等廠(chǎng)商正需要一個(gè)強勁的內存解決方案。為此，美光與高通展開(kāi)了合作，以推動(dòng)下一代車(chē)載信息娛樂(lè )系統的創(chuàng )新。

另外的合作伙伴例如Mobileye，其與美光合作以推進(jìn)其第五代自動(dòng)駕駛平臺的發(fā)展。美光的存儲解決方案滿(mǎn)足L5級自動(dòng)駕駛汽車(chē)高性能和低功耗的需求，支持 EyeQ5 平臺實(shí)現超級計算機功能。

另外，美光推出了業(yè)內第一個(gè)1TB汽車(chē)級和工業(yè)級PCIe NVMe閃存存儲，即美光2100AI 和 2100AT 3D TLC SSD系列（如下圖）。該系列產(chǎn)品基于美光的64層3D TLC技術(shù)進(jìn)行研發(fā)。應用PCIe接口，其讀取速度比UFS 2.1和SATA 3接口快2倍以上，寫(xiě)入速度快1.5倍以上。與傳統的PCIe閃存有所區別，該系列是容量最高的小型閃存存儲，提供16X20mm 的BGA封裝和22X30mm 的M.2外形，支持-40℃~105℃的表面溫度，存儲接口是PCIe x4第三代，NVMe 1.3支持直接啟動(dòng)選項。它還有一些端到端路徑保護，并且符合質(zhì)量和可靠性標準。

接下來(lái)是125℃的45nm NOR閃存產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品是對美光原有產(chǎn)品線(xiàn)的補充。NOR的主要用途在于A(yíng)DAS系統，因為ADAS需要快速啟動(dòng)。這種技術(shù)要求是很多存儲技術(shù)難以具備的，而NOR閃存可以滿(mǎn)足這種需求，可以通過(guò)納秒級的速度支持快速啟動(dòng)，同時(shí)具備耐高溫和長(cháng)期數據保留性能，讀取帶寬可以達到每秒400MB。

Authenta NOR閃存解決方案，提供內容與命令驗證，實(shí)現芯片級的設備保護功能。因為有SHA256測量加速器，用戶(hù)可以靈活地定義設置。同時(shí)提供了不同傳輸速率和電壓的可選選項。