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EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > A*STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計劃,以開(kāi)發(fā)全新先進(jìn)封裝層轉移工藝

A*STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計劃,以開(kāi)發(fā)全新先進(jìn)封裝層轉移工藝

作者: 時(shí)間:2019-03-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  北京,2019年3月27日 – 新加坡科技研究局()微電子研究院(IME)與設計和生產(chǎn)創(chuàng )新性半導體材料的全球領(lǐng)先企業(yè)Soitec宣布推出一項聯(lián)合計劃,將要開(kāi)發(fā)采用先進(jìn)多芯片級封裝技術(shù)的新一代層轉移工藝?;谖㈦娮友芯吭旱?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/晶圓">晶圓級扇出封裝(FOWLP)和2.5D硅中介層(TSI)以及Soitec的Smart Cut?技術(shù),新的轉移工藝可實(shí)現高性能、高能效、高產(chǎn)量以及成本競爭力。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201903/398932.htm

  先進(jìn)封裝技術(shù)目前主要用于服務(wù)器、智能手機、工業(yè)和汽車(chē)應用領(lǐng)域的系統級芯片(SOC),通過(guò)將半導體芯片組合封裝的多種方式來(lái)降低成本、功耗和提供高效散熱。截至2022年,先進(jìn)封裝市場(chǎng)預計將擴大三倍,為中高端應用提供200萬(wàn)片初制1。隨著(zhù)晶體管和電路尺寸日益縮小以及數量不斷增多,芯片變得日益復雜。這推動(dòng)了先進(jìn)封裝工藝的協(xié)同創(chuàng )新,通過(guò)尋找優(yōu)化成本效益的制造方案并增加數據帶寬,以支持智能手機、云計算和邊緣計算應用。

  先進(jìn)封裝中的一項標準工藝涉及使用全硅晶片來(lái)進(jìn)行層轉移,其成本高達3美分/ mm2。 Soitec在未來(lái)三年內將與IME合作,評估其Smart Cut?技術(shù)在IME兩個(gè)先進(jìn)封裝平臺晶圓級扇出封裝(FOWLP)和2.5D硅中介層(TSI)的應用。這些測試的目的是開(kāi)發(fā)出一種新的層轉移工藝,以促進(jìn)未來(lái)封裝技術(shù)發(fā)展。此新工藝可實(shí)現更高性能、更低功耗,同時(shí)通過(guò)避免使用全硅片來(lái)降低生產(chǎn)成本。IME同時(shí)也會(huì )展開(kāi)測試來(lái)評估新工藝的可靠性與穩健性,幫助Soitec檢測技術(shù)長(cháng)期應用的可行性。

  Smart Cut?技術(shù)利用光離子注入和晶圓鍵合來(lái)定位超薄單晶層,并將其從一個(gè)襯底轉移到另一個(gè)襯底。它的工作原理類(lèi)似納米刀,可使有源層獨立于支撐機械襯底被管理。這樣做的主要優(yōu)點(diǎn)在于可使用低溫鍵合和分離技術(shù),創(chuàng )建多個(gè)薄至納米級別且幾近無(wú)缺陷的硅層。這些硅層之后將被置于有源晶體管電路的頂部,通過(guò)調節注入能量和工藝工程,可以高精度地調節被轉移的硅層厚度。最后經(jīng)由蝕刻和沉積工藝,晶體管即可完成。 此外,供體襯底可以多次重復使用,因為每次層轉移操作之后,硅晶圓表面會(huì )被重新拋光。

  作為領(lǐng)先的研究機構,IME匯聚了全球半導體供應鏈包括無(wú)晶圓設計公司、代工廠(chǎng)、外包半導體裝配和測試服務(wù)提供商(OSATs)、EDA供應商、設備制造商和材料開(kāi)發(fā)商等,展示可用于智能手機、數據中心、高性能計算、5G 、物聯(lián)網(wǎng)以及汽車(chē)應用的先進(jìn)封裝解決方案。在此次與Soitec的合作中,IME將在架構定義、建模、設計、流程集成、可靠性評估和故障分析這些先進(jìn)封裝領(lǐng)域提供專(zhuān)業(yè)知識。 IME將在其功能齊全且先進(jìn)的300mm晶圓級封裝線(xiàn)——2.5D / 3DIC試生產(chǎn)線(xiàn)中率先采用先進(jìn)的封裝技術(shù)。 IME在高級晶圓級扇出封裝(FOWLP)和2.5D硅中介層(TSI)方面的端到端工藝能力和專(zhuān)有技術(shù)將縮短開(kāi)發(fā)周期,并可提供基于Smart Cut?技術(shù)的經(jīng)濟高效的封裝解決方案。合作期間,Soitec將在其位于新加坡的Pasir Ris工廠(chǎng)為IME提供設備、研發(fā)人員和凈室專(zhuān)用空間。

  微電子研究院執行董事Dim-Lee Kwong教授說(shuō)道:“先進(jìn)封裝在高價(jià)值半導體市場(chǎng)上仍然是一個(gè)亮點(diǎn),我們很高興能與Soitec合作開(kāi)發(fā)封裝解決方案,這將有助于先進(jìn)封裝在新加坡以及全球的細分市場(chǎng)發(fā)展?!?/p>

  Soitec首席技術(shù)官Christophe Maleville表示:“Soitec和IME相信Smart Cut?技術(shù)將帶來(lái)突破性成果,徹底改變2.5D/3D層轉移工藝流程。這一戰略合作不僅將開(kāi)發(fā)出先進(jìn)封裝這一Smart Cut? 新應用場(chǎng)景,還將為Soitec開(kāi)辟在優(yōu)化襯底制造之外的全新市場(chǎng)?!?/p>

  文獻來(lái)源:

  1. Yole 2017發(fā)展報告關(guān)于12英寸晶圓中3D及 2.5D硅通孔(TSV) 技術(shù)



關(guān)鍵詞: A*STAR 晶圓

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