英特爾：摩爾定律繼續有效，7nm正在路上

　　與非網(wǎng)采訪(fǎng)了英特爾的三位技術(shù)專(zhuān)家，他們分別是英特爾公司高級副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長(cháng)Mike Mayberry、英特爾公司技術(shù)、系統架構和客戶(hù)端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士和英特爾中國研究院院長(cháng)宋繼強。

　　問(wèn)題1：工藝節點(diǎn)發(fā)展到10nm以下，芯片代工廠(chǎng)面臨哪些挑戰?應該如何應對?

　　Mike Mayberry： CMOS 縮放并未就此終止，隨著(zhù)我們控制制造能力的提高，我們可以看到它還在持續進(jìn)步。我們與其說(shuō)受到物理條件的限制，不如說(shuō)受到我們以高精度大批量制造的能力的限制。是的，進(jìn)步很難，我們不期望它會(huì )變得更容易，但我們確實(shí)希望繼續進(jìn)步下去。

　　我們從 22 納米節點(diǎn)的 Trigate (FinFET) 開(kāi)始轉向 3D技術(shù)，但更好的例子是我們在 5 月推出的96 層NAND閃存，每個(gè)單元 4 位，每個(gè)芯片封裝高達 1T bits 的信息。這是一個(gè)真正的后登納德 (post-Dennard) 示例，將增加的功能打包到一個(gè)沒(méi)有特性縮放的裸片中。隨著(zhù)時(shí)間的推移，我們預計邏輯也將朝著(zhù) 3D技術(shù)方向發(fā)展。

英特爾公司高級副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長(cháng)Mike Mayberry

　　我們有一些很有前途的研究設備，例如隧道場(chǎng)效應晶體管 (FET) 和鐵電體，它們可以大幅提高功率性能。不幸的是，它們不是 CMOS 的簡(jiǎn)單替代品。因此，我們期望以異構的方式集成這些器件(例如作為分層)，從而將縮放 CMOS 的優(yōu)點(diǎn)與這些新設備提供的新功能相結合。

　　隨著(zhù)數據量和數據類(lèi)型的激增，我們希望將專(zhuān)門(mén)打造的新架構快速集成到新的數據世界中。如果我們在物理接口、編程模型、安全性等方面進(jìn)行標準化，那么異構集成不僅速度更快，而且可以將來(lái)自多個(gè)團隊的小芯片組合起來(lái)。

　　結合了內存和計算的新架構是后波拉克 (post-Pollack) 數據處理的一個(gè)例子，其中一個(gè)是我們的神經(jīng)擬態(tài)測試芯片Loihi。

　　與傳統軟件工作負載相比，人工智能工作負載通常具有極為不同的內存訪(fǎng)問(wèn)模式，因此可以利用不同的數據處理架構。

　　我們預期摩爾定律的經(jīng)濟效益將繼續存在，即使在現在和未來(lái)，摩爾定律看起來(lái)與戈登·摩爾最初發(fā)現的大不相同。因此，我們不要被辯論分散注意力，而是應該繼續提供更好的產(chǎn)品。未來(lái) 50 年，我們必須超越我們過(guò)去 50 年的成就。

　　問(wèn)題2：貴公司是否有開(kāi)發(fā)或者支持10nm以下工藝節點(diǎn)的解決方案?在技術(shù)研發(fā)中遇到了哪些問(wèn)題?如何得到解決?

　　任沐新博士：我們的7納米制程正在深度研發(fā)中，我們在這方面也取得了很好的進(jìn)展。我們現在還不能給出一個(gè)確切的時(shí)間表。但是我們通過(guò)總結10納米的經(jīng)驗來(lái)幫助定義7納米方面也做出了一些相當明智的選擇。我們正努力的在密度、功耗和性能以及進(jìn)度的可預測性之間找到最佳平衡點(diǎn)。所以我想你會(huì )發(fā)現，新方案在這三方面更加平衡。

英特爾公司技術(shù)、系統架構和客戶(hù)端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士

　　因此，我們仍然會(huì )繼續提高晶體管密度，但也會(huì )注意這個(gè)密度和我們一直努力提高的晶體管性能之間的平衡關(guān)系，因為晶體管性能在我們的個(gè)人電腦業(yè)務(wù)和服務(wù)器業(yè)務(wù)中都是提高ASP(平均銷(xiāo)售價(jià)格)的重要因素。我們也會(huì )注意在(預測)產(chǎn)品的發(fā)布(時(shí)間)方面做到更精確。以上這些都是在我們推進(jìn)7納米時(shí)、從10納米學(xué)到的寶貴經(jīng)驗。我們一直在密切關(guān)注7納米的進(jìn)展，就像我們現在密切關(guān)注10納米一樣。我能感覺(jué)到在研發(fā)進(jìn)展過(guò)程中我們已經(jīng)很好的吸取了這些經(jīng)驗;我們正按照所披露的產(chǎn)品路線(xiàn)圖，全力推進(jìn)我們的產(chǎn)品規劃。

　　英特爾中國研究院院長(cháng)宋繼強：英特爾持續創(chuàng )新推動(dòng)半導體制造技術(shù)的發(fā)展，10納米明年量產(chǎn)，而在10納米的基礎上，7納米的進(jìn)展也非常好，通過(guò)采用超微縮技術(shù)，英特爾讓單個(gè)芯片的成本加速降低。結合超微縮以及多節點(diǎn)技術(shù)集成，英特爾不斷強化以數據為中心的產(chǎn)品領(lǐng)導力。

       在半導體封裝方面，英特爾以“混搭”異構設計，連接不同制程工藝生產(chǎn)出來(lái)的“小芯片”，采用全新的2D和3D封裝技術(shù)，能夠以超高能效移動(dòng)設備的功耗，提供強大的PC性能。