存儲器風(fēng)吹草動(dòng)，國內廠(chǎng)商如何不“風(fēng)聲鶴唳”？

　　對于無(wú)處不在的存儲器產(chǎn)業(yè)，任何“風(fēng)吹草動(dòng)”都會(huì )引發(fā)敏感猜想。而存儲器在連續兩年走高之際，開(kāi)始掉頭釋放出下探信號，有分析宣稱(chēng)DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過(guò)于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低，主導廠(chǎng)商三星、SK海力士亦推遲擴產(chǎn)來(lái)抑制價(jià)格下跌之勢。作為存儲器市場(chǎng)的兩大主力，DRAM、NAND為何同時(shí)來(lái)到下降基點(diǎn)?這對于國內如火如荼大舉壓境的廠(chǎng)商而言究竟是福是禍?

　　持續兩年上漲之后首次下探

　　作為名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”，存儲器行業(yè)有著(zhù)強周期特點(diǎn)，在經(jīng)歷了幾十年的起伏之后，已基本形成了寡頭壟斷格局。在過(guò)去兩年，這些寡頭嘗到了不少的甜頭。

　　Gartner統計顯示，2017年存儲市場(chǎng)營(yíng)收增加將近500億美元，市場(chǎng)規模達1300億美元，較2016年大增61.8%。與之相對應的是價(jià)格上漲之勢驚人，DRAMeXchange指出，2017年DRAM價(jià)格上漲超過(guò)四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場(chǎng)為PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)。

　　由此，存儲器王者三星得償夙愿，憑借存儲價(jià)格的高漲，取代霸占半導體營(yíng)收排名榜首20多年的英特爾，成為新的半導體霸主。要知道，2017年光是三星的存儲營(yíng)收就增加近200億美元。

　　今年第一和第二季度，DRAM依然持上漲之勢，三星、SK海力士和美光等廠(chǎng)商也都先后宣布了擴產(chǎn)計劃。但最近局面似乎有所轉變：相關(guān)分析師指出，存儲器價(jià)格走低，一方面是PC、移動(dòng)設備和數據中心這三大應用產(chǎn)品的需求動(dòng)能在過(guò)去幾周明顯趨緩，這恐怕會(huì )讓第三季度報價(jià)一路走低。另一方面，由于需求降溫的關(guān)系，三星、SK 海力士的庫存也在增加。

　　表現在DRAM層面，RBC分析師Amit Daryanani認為由于三星、SK海力士增產(chǎn)的影響，預估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚20%、20-25%。這將為市場(chǎng)帶來(lái)壓力，而需求也將相對收縮，外資相繼調降美光目標價(jià)，并預計美光2019會(huì )計年度的毛利率，將因NAND、DRAM均價(jià)受挫而萎縮約200個(gè)基點(diǎn)。

　　NAND遭遇了同樣困境。Baird分析師Tristan Gerra指出，下半年智能手機市場(chǎng)出貨表現將相對疲弱，NAND閃存的供給過(guò)剩情況將日益惡化。因而有分析師說(shuō)2019年上半年NAND價(jià)格將重挫11~13%，而且這位分析師認為目前的存儲定價(jià)周期與2014年末到2015年初情況相似，當時(shí)也出現存儲器需求大跌的狀況。

　　這也引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)股市應聲下跌，不止是美光，相應的設備股、封測股也均受到波及，顯示市場(chǎng)對一波行情的一致看衰。

　　以延后擴產(chǎn)應對

　　雖然有關(guān)廠(chǎng)商以及相關(guān)協(xié)會(huì )仍強調存儲器的需求會(huì )持續強勁，但此時(shí)的價(jià)格松動(dòng)究竟是市場(chǎng)一時(shí)“興起”，還是整體下滑開(kāi)始的一個(gè)發(fā)端?從全球來(lái)看，存儲器行業(yè)一直處于周期性波動(dòng)中，甚至出現遠高于半導體產(chǎn)業(yè)平均值的巨幅波動(dòng)，宏觀(guān)經(jīng)濟、應用走勢、供給策略等都在影響存儲器的波形。

　　對于這一走向，知名半導體專(zhuān)家莫大康分析說(shuō)，存儲器價(jià)格起伏是正常，不可能持續像2017年那樣瘋漲，所以?xún)r(jià)格下降是正常。

　　與之相呼應的是，頭部廠(chǎng)商不約而同的對策。DRAM經(jīng)過(guò)幾十年的周期循環(huán)后，玩家從80年代的40~50家，已巨變成為三星、SK海力士和美光三強。而在NAND閃存陣列中，也已是三星、東芝/閃迪、西部數據、美光和SK海力士的天下。

　　據悉，三星與SK海力士已在延后擴產(chǎn)。在上月中，三星宣布，將原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬(wàn)片DRAM計劃延至今年底。這一舉措有需求放緩要為DRAM價(jià)格形成支撐的因素，但或亦有技術(shù)難度提升需要時(shí)間解決良率問(wèn)題的原因。

　　同時(shí)，消息人士稱(chēng)三星也在放慢3D NAND閃存產(chǎn)能擴張的計劃，新產(chǎn)能難以在2019年上半年上線(xiàn)。

　　由于三星和SK海力士對全球的存儲市場(chǎng)擁有很高的市場(chǎng)份額，他們的這些決定釋放出很強的信號。這對正在緊鑼密鼓量產(chǎn)的國內廠(chǎng)商而言，究竟有何波及效應?

　　國內廠(chǎng)商加緊備戰

　　由于國內在存儲器領(lǐng)域基本沒(méi)有話(huà)語(yǔ)權，因而存儲器的大幅度漲價(jià)讓中國著(zhù)實(shí) “很受傷”。記者查閱資料發(fā)現，2016年7月，一個(gè)DDR4-2133 DRAM芯片的平均合同價(jià)格為1.31美元;而到現在，行情已上漲至7.56美元，這樣的“飛躍”實(shí)在難以承受。

　　因而，一方面，在國家政策和資金扶持下的中國存儲企業(yè)正在快馬加鞭加快量產(chǎn);另一方面，則在加強進(jìn)行反壟斷調查。由于三星、SK海力士與美光在DRAM市場(chǎng)囊括約96%的市場(chǎng)占有率，繼去年年底三星遭發(fā)改委約談之后，中國反壟斷機構前幾個(gè)月前又約談了美光。未來(lái)反壟斷調查的事件可能將持續發(fā)生，并或從側面抑制存儲器漲幅。

　　今年對于中國存儲產(chǎn)業(yè)而言是關(guān)鍵節點(diǎn)，在NAND閃存為主的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于手機內存的合肥長(cháng)鑫以及利基型內存的福建晉華三大陣營(yíng)中，量產(chǎn)正開(kāi)足馬力加快進(jìn)行。

　　從進(jìn)度來(lái)看，長(cháng)江存儲將在2018年底量產(chǎn)32層64G的NAND 閃存，2019年量產(chǎn)64層128G，并同步研發(fā)128層256G。在DRAM方面，合肥長(cháng)鑫計劃于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年第三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達到2萬(wàn)片/月。而福建晉華正使用12英寸晶圓制造DRAM，最快9月試產(chǎn)。

　　如果這些產(chǎn)能都如期釋放，而屆時(shí)市場(chǎng)供過(guò)于求之勢不減，那么價(jià)格戰將一觸即發(fā)，這意味著(zhù)對存儲器行業(yè)的高額投入在短期內并不能帶來(lái)可觀(guān)回報，國內廠(chǎng)商能否耐得住虧損，不斷加強后續的資金投入?畢竟這種挑戰當是常態(tài)。更何況，誠如莫大康所言，實(shí)現量產(chǎn)只是第一步，關(guān)鍵要看年銷(xiāo)售額是否能接近10億美元，產(chǎn)能達4萬(wàn)片/月。這才能表明生產(chǎn)線(xiàn)能立足，而何時(shí)能實(shí)現亦是一大問(wèn)題。

　　短時(shí)間內，中國存儲企業(yè)并不會(huì )對三星、美光等構成威脅，但隨著(zhù)中國存儲產(chǎn)業(yè)的快速推進(jìn)，這些廠(chǎng)商將舉起價(jià)格戰、專(zhuān)利訴訟戰甚至反周期戰的大棒不斷夾擊，在這一拉鋸戰中，國內三大廠(chǎng)商要沖鋒“技術(shù)自主研發(fā)”與“穩定量產(chǎn)規?！眱纱蟆案叩亍比孕钑r(shí)間的磨練，真正逆襲依然面臨諸多挑戰。但目前存儲器已到了歷史轉移的節點(diǎn)上，把握這一機遇，由逆向設計到創(chuàng )新，由低端到高端，已是國內存儲器業(yè)的必然之路，唯有義無(wú)反顧。