基于SPWM技術(shù)的逆變電路結構簡(jiǎn)析

與常見(jiàn)的PWM技術(shù)相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機領(lǐng)域中應用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機SPWM逆變電路當中，關(guān)鍵器件的取值與作用，幫助大家理解電路的運行原理。

圖1

由圖1所示，在此款逆變電路圖當中標示1的兩個(gè)穩壓二極管和電阻什么作用，在具體選型時(shí)應該注意什么?

圖中標示2的地方根據資料顯示是起到緩沖作用，那么其中的原理是什么?

電阻電容如何進(jìn)行選擇?通過(guò)要緩沖是否可以像圖中標示3的地方是IR2130典型電路接法，同樣是電阻和滑動(dòng)變阻器阻值怎么選，這一塊的過(guò)流檢測怎么用(4)圖中標示4的地方這個(gè)放大倍數怎么定，被放大的電流如何進(jìn)行估算?

首先來(lái)解釋一下1標示的電阻作用。在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，快速泄放掉IGBT的g極和e極之間的寄生電容的電壓使得IGBT關(guān)斷速度更快。電阻太大的話(huà)開(kāi)通速度快，而關(guān)斷速度慢，電阻太小關(guān)斷速度快，開(kāi)通速度慢，甚至不能完全開(kāi)通。兩個(gè)穩壓管作用：保護IGBT的G和E之間的電壓不超過(guò)+-18V。

2標示顯示的RC電路起到緩沖吸收的作用，如果功率電路上有較大電感或寄生電感，當IGBT關(guān)斷時(shí)，該支路上電流瞬間減小，Ldi/dt將會(huì )產(chǎn)生很大的沖擊電壓，擊穿IGBT，緩沖吸收電流能夠減小Ldi/dt，從而達到保護IGBT的目的。如果開(kāi)關(guān)頻率不高，關(guān)斷過(guò)程較長(cháng)，且IGBT電壓裕量足夠大，可省略緩沖吸收電路。

以上就是針對SPWM技術(shù)當中一些關(guān)鍵性參數的含義與作用解釋。設計一款電路之前，找到范例并對其中的構造進(jìn)行研究是很有必要的。通過(guò)對其中一些關(guān)鍵性問(wèn)題的思考，能夠獲得比通過(guò)循序漸進(jìn)更好-