英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應鏈的前沿技術(shù)和解決方案

　　英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個(gè)電能供應鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統及應用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專(zhuān)家還將就產(chǎn)品和應用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會(huì )上進(jìn)行交流。

　　從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數字化功率創(chuàng )新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù)，英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著(zhù)至關(guān)重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世界，無(wú)盡能源”(Empowering A World Of Unlimited Energy)為主題，重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品：

　　· 1200V TRENCHSTOP? IGBT7

　　1200V TRENCHSTOP? IGBT7基于最新微溝槽技術(shù)，可大幅降低損耗，并提供高度可控性。該芯片專(zhuān)門(mén)針對工業(yè)驅動(dòng)器應用進(jìn)行優(yōu)化，可大幅降低靜態(tài)損耗，提高功率密度，與EmCon7 1200V 二極管技術(shù)構成IGBT開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)更為柔和。另外，通過(guò)將功率模塊中允許過(guò)載的最高工作溫度提高至 175℃，可顯著(zhù)提高功率密度。

　　· CoolSiC? MOSFET —— 一場(chǎng)值得信賴(lài)的技術(shù)革命

　　CoolSiC? MOSFET 1200V 是將系統設計帶到全新效率和功率密度水平的前沿解決方案。采用溝槽柵技術(shù)的碳化硅MOSFET技術(shù)，英飛凌分別在 62mm 和EASY2B封裝中實(shí)現了 3 毫歐姆和6毫歐姆的半橋模塊，代表業(yè)內的領(lǐng)先水平。通過(guò)結合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC? MOSFET 是光伏逆變器、UPS 、電動(dòng)汽車(chē)充電和工業(yè)驅動(dòng)應用的最佳解決方案。

　　面向中國的光伏客戶(hù)和應用，英飛凌開(kāi)發(fā)了定制化產(chǎn)品，如三電平模塊提高了組串型逆變器的單機的功率極限，碳化硅 MOSFET 在模塊中的應用，大大提高了效率和功率密度。

· MIPAQ? -Pro —— 一個(gè)真正意義上的智能IGBT模塊

　　MIPAQ? Pro 是一款集成 IGBT、驅動(dòng)、散熱器、傳感器、數字控制以及通訊總線(xiàn)的大功率智能功率模塊(IPM)。通過(guò)對諸如芯片工作結溫、輸出電流、直流電壓等關(guān)鍵參數的實(shí)時(shí)監控，進(jìn)行故障預警和保護，從而實(shí)現了強大的智能保護功能。在減少設計冗余，實(shí)現功率輸出最大化的同時(shí)，確保 IPM 可以在設定的極限范圍內安全穩定工作，在設備出現故障隱患時(shí)，及時(shí)發(fā)現并有效預防，大大提高了設備的現場(chǎng)有效運行時(shí)間。

　　· TRENCHSTOP? Feature IGBT —— 帶多重保護和集成多種應用電路功能的IGBT

　　為了提高 IGBT 使用的可靠性，越來(lái)越來(lái)的用戶(hù)更傾向于 IGBT 本身自帶多重保護或者集成多種應用電路功能，如過(guò)壓保護、過(guò)流保護、過(guò)溫保護、有源鉗位、故障報警等。因此，英飛凌即將推出全新的多功能 IGBT——TRENCHSTOP? Feature IGBT。該系列 IGBT 包含多種組合，即根據不同應用的設計需求，集成不同保護或者其它功能，為用戶(hù)提供一種設計簡(jiǎn)單但安全可靠的方案。

　　· Infineon? Eco Block壓接式模塊

　　英飛凌在2017年完善了全系列高性?xún)r(jià)比焊接式20mm、34mm和50mm雙極器件模塊后，2018年即將推出高性?xún)r(jià)比壓接式Eco Block系列，用于擴展現有的經(jīng)典PowerBLOCK壓接技術(shù)產(chǎn)品線(xiàn)。該模塊的典型應用包括不間斷電源和變頻器市場(chǎng)，包括60mm晶閘管/晶閘管TT、晶閘管/二極管TD和 二極管/二極管DD模塊，以及70mm晶閘管模塊。其阻斷電壓為1600/2200V，電流范圍是420A到 1200A。新系列產(chǎn)品保留了PowerBLOCK模塊的重要特性功能，擁有壓接技術(shù)特有的短路導通特性、并同時(shí)擁有高性?xún)r(jià)比。系出名門(mén)，秉承了英飛凌一貫的“可持續、環(huán)境友好”設計。

　　· IGBT 系統解決方案和應用解決方案

　　IGBT 應用解決方案包括 IGBT 和碳化硅器件驅動(dòng)方案和各種設計評估板。IGBT 系統解決方案包括逆變焊機、電動(dòng)汽車(chē)充電、兆瓦級 1500V 光伏逆變器和主要應用于電力機車(chē)和高速列車(chē)的牽引和輔助變流器，柔性高壓直流輸電等XHP?3 并聯(lián)方案。

　　· 最新一代1200V IGBT6 單管IGBT

　　1200V IGBT6單管比上一代1200V單管IGBT，進(jìn)一步降低了導通壓降和開(kāi)關(guān)損耗，首批推出5個(gè)型號有兩種芯片技術(shù) S6和H6，兩種封裝形式，TO247_Plus和TO247_Plus 4Pin?？梢哉f(shuō)這一代IGBT6的推出，不僅是在上一代1200V單管IGBT的基礎上芯片技術(shù)的升級，還擴展了電流輸出能力，對于系統設計，可以減少并聯(lián)個(gè)數，大大提升系統可靠性?？梢詮V泛應用于光伏，UPS，焊機，變頻器等領(lǐng)域。

　　· TRENCHSTOPTM5芯片在D2PAK封裝中的產(chǎn)品

　　TRENCHSTOPTM5是英飛凌最新一代650V IGBT芯片系列，在市場(chǎng)上廣受歡迎，以前單管只有TO-247封裝，英飛凌于近日推出了TRENCHSTOP5芯片封裝在D2PAK的貼片型封裝中的系列產(chǎn)品。相比于TO-247封裝，D2PAK封裝由于管腳短，雜散電感小了很多，可以以更低開(kāi)關(guān)損耗工作于更高的開(kāi)關(guān)頻率。同時(shí)，D2PAK封裝的結對殼的熱阻并沒(méi)有升高，又可以直接在IMS上進(jìn)行貼片焊接，整個(gè)散熱效果要比傳統的TO-247封裝散熱效果要更好。這樣一來(lái)同樣大小的芯片，D2PAK封裝能比TO-247封裝輸出更大的電流，對提升系統效率和功率密度，有很大的幫助。

　　· DDPAK，創(chuàng )新正面散熱SMD封裝滿(mǎn)足大功率SMPS市場(chǎng)需求

　　得益于集成式4引腳開(kāi)爾文源配置，可降低寄生源電感，減輕振蕩傾向。采用正面散熱SMD封裝的CoolMOS?和CoolSiC?可在電路板與MOSFET之間實(shí)現更大溫差及延長(cháng)系統使用壽命。

　　PCIM Asia 是 PCIM Europe 在亞洲地區的姐妹展，迄今已成功舉辦過(guò) 16 屆，專(zhuān)注于電力電子技術(shù)，以及該領(lǐng)域技術(shù)在國家電網(wǎng)、工業(yè)、軌道交通、智能運動(dòng)及電動(dòng)車(chē)等方面的應用。