國家存儲器基地一期提前封頂 年產(chǎn)值可達100億美元

　　9月28日消息，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(一期)一號生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房，實(shí)現提前封頂。

　　趙偉國表示，存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規?；l(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航。該項目實(shí)現提前封頂，這是為不辱使命、堅定不移推進(jìn)國家戰略所必須要做到的?？陀^(guān)地說(shuō)，我們在核心技術(shù)和產(chǎn)品結構上仍然與世界一流水平存在差距，實(shí)現追趕超越的目標絕非一朝一夕，需要堅定的戰略定力和耐力，以及矢志不渝的長(cháng)期投入;而另一方面，從現在開(kāi)始到未來(lái)的5-10年，也正是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳窗口期。既然選擇了存儲芯片作為切入點(diǎn)和突破口，紫光集團和長(cháng)江存儲就一定要抓住機遇，直面挑戰，知難而上，通過(guò)超常規的投入縮短發(fā)展周期，迅速登上全球存儲行業(yè)的競爭舞臺。

　　據悉，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來(lái)科技城，項目一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開(kāi)工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產(chǎn)廠(chǎng)房，其核心生產(chǎn)廠(chǎng)房和設備每平方米的投資強度超過(guò)3萬(wàn)美元。

　　此次提前封頂的項目(一期)一號生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房建筑面積達52.4萬(wàn)㎡，預計將于2018年投入使用。項目(一期)達產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。