東芝存儲器株式會(huì )社開(kāi)發(fā)出世界首款QLC 3D閃存
存儲器解決方案全球領(lǐng)導者東芝存儲器株式會(huì )社今日宣布開(kāi)發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結構的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設備是首款采用4位元(四階存儲單元,QLC)技術(shù)的閃存設備,該技術(shù)使閃存設備的存儲容量較3位元(TLC)設備進(jìn)一步提高并推動(dòng)了閃存技術(shù)創(chuàng )新。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201707/361610.htm多位元內存通過(guò)管理每個(gè)獨立存儲單元中的電子數目來(lái)存儲數據。實(shí)現QLC技術(shù)帶來(lái)一系列技術(shù)挑戰,在相同電子數目下位元數目每增加一個(gè),需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲器株式會(huì )社利用其先進(jìn)的電路設計能力和行業(yè)領(lǐng)先的64層3D閃存工藝技術(shù),創(chuàng )造出QLC 3D閃存。
該原型采用64層3D閃存工藝技術(shù),具有世界最大的裸芯片容量[3](768千兆比特/96 GB)。原型已于6月初發(fā)往固態(tài)硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)控制器廠(chǎng)商處進(jìn)行評估和開(kāi)發(fā)。
QLC 3D閃存還在單一封裝內實(shí)現了具有16顆粒堆疊式結構的1.5TB存儲設備,這是業(yè)界最大存儲容量[4]。這一開(kāi)創(chuàng )性產(chǎn)品樣品將于8月7-10日在美國加州圣克拉拉舉行的2017年閃存峰會(huì )上亮相。
東芝存儲器株式會(huì )社已經(jīng)實(shí)現64層256千兆比特(32 GB)設備的批量生產(chǎn),隨著(zhù)批量生產(chǎn)的擴張,公司將繼續通過(guò)推動(dòng)技術(shù)發(fā)展來(lái)展示公司的行業(yè)領(lǐng)導力。該新QLC產(chǎn)品專(zhuān)注于滿(mǎn)足市場(chǎng)對高密度、芯片尺寸更小的閃存解決方案日益增長(cháng)的需求,主要面向企業(yè)級SSD、消費級SSD和存儲卡等應用。
注:
1. 數據來(lái)源:東芝存儲器株式會(huì )社,截至2017年6月28日。
2. 一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構,相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上),其極大地提高了密度。
3. 數據來(lái)源:東芝存儲器株式會(huì )社,截至2017年6月28日。
4. 數據來(lái)源:東芝存儲器株式會(huì )社,截至2017年6月28日。
* 本文提及的公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能均為其各自公司的商標。
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